一种鳍式场效应晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成若干条状鳍片和虚拟栅极，所述虚拟栅极的两侧形成有侧墙；在所述条状鳍片上形成源极或漏极；沉积层间介质层，并对所述层间介质层进行化学机械平坦化CMP以露出所述虚拟栅极的顶部；在单扩散区域形成单扩散区切断；以及将所述单扩散区域以外的其它虚拟栅极替换为金属栅极。

【技术实现步骤摘要】
一种鳍式场效应晶体管的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor，FinFET)的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补式金氧半导体晶体管)器件的尺寸也不断缩小。由于CMOS器件按比例缩小时栅极的线宽也随之缩小，源极或漏极很容易漏电，CMOS器件的饱和电流也难以提高，因此CMOS器件从二维平面型向三维型发展，鳍式场效应管(FinFET)应运而生。鳍式场效应晶体管是一种新的互补式金氧半导体晶体管。鳍式场效应晶体管的主要特点是其沟道区域呈被栅极包裹的鳍状半导体。沿源漏方向的鳍的长度为沟道长度。栅极包裹的结构增强了栅的控制能力，对沟道提供了更好的电学控制。相对于传统的平面晶体管而言，鳍式场效应晶体管具有以下优势：(1)鳍式场效应晶体管沟道一般是轻掺杂甚至不掺杂的，它避免了离散的掺杂原子的散射作用，同重掺杂的平面器件相比，载流子迁移率将会大大提高；r>(2)与传统的平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：/n在衬底上形成若干条状鳍片和虚拟栅极，所述虚拟栅极的两侧形成有侧墙；/n在所述条状鳍片上形成源极或漏极；/n沉积层间介质层，并对所述层间介质层进行化学机械平坦化CMP以露出所述虚拟栅极的顶部；/n在单扩散区域形成单扩散区切断；以及/n将所述单扩散区域以外的其它虚拟栅极替换为金属栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：
在衬底上形成若干条状鳍片和虚拟栅极，所述虚拟栅极的两侧形成有侧墙；
在所述条状鳍片上形成源极或漏极；
沉积层间介质层，并对所述层间介质层进行化学机械平坦化CMP以露出所述虚拟栅极的顶部；
在单扩散区域形成单扩散区切断；以及
将所述单扩散区域以外的其它虚拟栅极替换为金属栅极。


2.如权利要求1所述的制造方法，所述在单扩散区域形成单扩散区切断包括：
蚀刻在单扩散区域内的虚拟栅极及其下方的硅衬底以形成单扩散区沟槽；
在所述单扩散区沟槽内沉积填充材料以填满所述单扩散区沟槽；以及
对所述填充材料进行化学机械平坦化使得所述填充材料与所述层间介质层平齐以形成所述单扩散区切断。


3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述蚀刻在单扩散区域内的虚拟栅极及其下方的硅衬底以形成单扩散区沟槽包括：
在所述单扩散区域以外的其它区域形成单扩散区遮罩以打开所述单扩散区域内的虚拟栅极；
蚀刻被打开的虚拟栅极以及所述被打开的虚拟栅极下方的硅衬底以形成所述单扩散区沟槽；以及
去除所述单扩散区遮罩。


4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在单扩散区域以外的其它区域形成单扩散区遮罩包括：
利用光阻或硬掩膜将所述单扩散区域以外的其它区域覆盖以形成所述单扩散区遮罩。

【专利技术属性】
技术研发人员：颜天才，苏炳熏，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31