【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法,其特征在于包括步骤:①在单晶硅片(1)上面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积、热生长工艺热生长一层二氧化硅膜层(8);②在单晶硅片(1)下面采用低压化学气相淀积工艺 或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下层氮化硅膜层(2);③二氧化硅膜层(8)上面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层上层氮化硅膜层(3);④在上层氮化硅膜层(3)上面涂一层光刻胶,采用光刻工艺光刻形 成温敏电阻层(5)的结构图形;⑤采用磁控溅射工艺在上层氮化硅膜层(3 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杨拥军,徐淑静,吕树海,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:13[中国|河北]
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