纳米尺度微型温度传感器的制作方法技术

技术编号:2554556 阅读:430 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法,涉及传感器领域中的一种纳米尺度测量温度传感器器件的制作。本发明专利技术制作的器件由单晶硅片、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件,周围环境温度的变化引起其阻值的变化,达到测量温度,作为传感器的目的。本发明专利技术制作的器件还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。特别适用于微流体传感器等要求体积较小的场合作为精确温度测量及IC芯片、传感器芯片等嵌入式在片温度测量的传感器装置。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法,其特征在于包括步骤:①在单晶硅片(1)上面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积、热生长工艺热生长一层二氧化硅膜层(8);②在单晶硅片(1)下面采用低压化学气相淀积工艺 或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下层氮化硅膜层(2);③二氧化硅膜层(8)上面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层上层氮化硅膜层(3);④在上层氮化硅膜层(3)上面涂一层光刻胶,采用光刻工艺光刻形 成温敏电阻层(5)的结构图形;⑤采用磁控溅射工艺在上层氮化硅膜层(3)上、温敏电阻层(5...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨拥军徐淑静吕树海
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所
类型:发明
国别省市:13[中国|河北]

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