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本发明公开了一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法,涉及传感器领域中的一种纳米尺度测量温度传感器器件的制作。本发明制作的器件由单晶硅片、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺...该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法,涉及传感器领域中的一种纳米尺度测量温度传感器器件的制作。本发明制作的器件由单晶硅片、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺...