在一个实施例中，提供了一种确定如存储设备的电子部件的工作温度何时超过阈值温度的方法。该方法包括：周期性地向安装在电子部件上的电容器进行充电；一旦电容器被充电就初始化定时器以从一个计数值递减计数；确定电容器在定时器递减计数到零之前是否已放电；以及如果电容器在定时器递减计数到零之前即已放电，则产生一个中断。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及电子部件的热管理。特别地，本专利技术的实施例涉及一种确定电子部件的工作温度何时超过阈值温度的方法和系统。
技术介绍
很多电子部件对温度敏感。例如，诸如存储设备之类的电子部件会有一个清晰的阈值温度，以致如果设备的工作温度越过该阈值温度，那么设备就可能失效、工作不可靠或发生某种形式的损坏。因此，必须控制电子部件的工作温度以使其保持在阈值温度以下。于是，就有了热管理系统用来检测电子部件的工作温度何时超过阈值温度，并采取使工作温度回到阈值温度以下的步骤。在专利技术者所知的至少一个此类热管理系统中，使用温度传感器确定电子部件的工作温度，上述温度传感器测量比如跨二极管的两个结之间的电压或电压差以确定电子部件的工作温度。由于电压和电压差比较小，此类温度传感器必须具有复杂的电子设备以检测电压/电压差。这会增加温度传感器的成本。此外，必须由控制器对温度传感器进行周期性地读取或采样以得到最新的工作温度值。必须周期性地对温度传感器进行采样，这会产生减小给定时段内的存储周期数目的影响。附图说明图1示出了依照本专利技术的一个实施例包括存储设备以及存储器控制器的系统的高级框图； 图2示出了依照本专利技术的一个实施例，存储设备12中的某些部件的功能框图；图3示出了图1中的存储设备的控制逻辑电路中的某些部件的功能框图；图4示出了依照本专利技术的一个实施例，实现图1中的存储设备的部分功能性的一种电路的实现方案；以及图5是示出不同温度下的电容器放电速度图。具体实施例方式在以下描述中，为解释起见，阐明了很多特定的细节以提供对本专利技术的透彻理解。然而，显然，对于本领域的技术人员，无需这些特定细节即可实现本专利技术。另外，结构和设备均以框图的形式示出以避免对本专利技术描述不清。该说明书中对“一个实施例”和“实施例”的引用意味着结合实施例描述的具体特征、结构或特性被包括在至少一个本专利技术的实施例中。在本说明书中的多个地方出现“在一个实施例中”的短语，这并非指需要全部参考同一实施例，也并非是与其他实施例互斥的独立或备选的实施例。另外，本文描述了许多特征，这些特征可能由某些实施例而非其他实施例所展现。同样地，本文也描述了许多需求，这些需求可能是某些实施例而非其他实施例的需求。附图中的图1示出了依照本专利技术的一个实施例的系统10的高级框图。系统10包括通过通信路径16耦合到存储器控制器14的存储设备12，依照本专利技术的一个实施例，该通信路径16可包括总线。依照本专利技术的一个实施例，存储设备12可包括附图中的图2所示的结构。参考图2，可以看到存储设备12包括多个存储单元20，图2中仅示出了其中的四个。存储单元20可以依据任何存储器技术而设计，而且可以是比如DRAM单元、SRAM单元、DDR DRAM单元等。存储设备12安装在印刷电路板(PCB)13上。在一个实施例中，若干存储设备12可耦合在一起以形成装在印刷电路板(PCB)13上的存储设备12的阵列。PCB 13上安装了串行存在检测(SPD)器件22，该器件在本质上是储存存储设备12的关键参数信息的电可擦除只读存储器(EEPROM)器件。例如，这些参数可能包括存储器类型、容量、速度、电压接口、行数、列地址、单元存储体以及其他关键信息。参数信息通过通信路径16发送到存储器控制器14，以便于系统10的配置。如下所述，存储设备12也包括电容器24、充电电路26、定时电路28以及比较器电路30。控制逻辑32包括用来控制存储设备12中的各种电路的工作的控制例程，如下面更详细的描述。从附图中的图3可以看到，控制逻辑32包括模式寄存器34。在一个实施例中，模式寄存器34包括了解扣(trip)温度的值，它限定了存储设备12的工作温度的上限。通常，如果存储设备12工作于解扣温度之上的工作温度，则可能出现存储设备12失效的现象。因此，在一个实施例中，存储器控制器14的功能是用来监控存储设备12的工作温度，并在工作温度超过解扣温度时执行动作以降低存储设备12的工作温度。在一个实施例中，在控制逻辑32的控制下，充电电路26周期性地以电荷向电容器24充电，以使得电容器具有电位Vc。经过一段时间之后，来自于电容器24上的电荷即会泄漏或放电直至电容器24的电位Vc为0。附图中的图5示出了三种不同温度T1、T2和T3下电容器24的放电速度图，其中T3＞T2＞T1，且T1至T3代表存储设备12的工作温度。如下所述，工作温度越高，电容器24放电的速度越快。在一个实施例中，定时电路28包括从一个对计数值进行递减计数的定时器，该计数值由模式寄存器34中的解扣温度所示。例如，如果模式寄存器34中有一个78℃的解扣温度值，那么，在一个实施例中，定时电路28中的定时器即从数值2700000开始递减计数，该数值是一个代表在存储设备12的工作温度为78℃时电容器24放电所将花费时间的数值。本领域的技术人员将理解，如果存储设备12的工作温度大于78℃，那么电容器24就将在更短的时间内放电。或者，如果存储设备12的工作温度小于78℃，那么电容器24的放电将会花费更长的时间。因此，在一个实施例中，在控制逻辑32的控制下，比较器电路30将表示电容器24上所剩余的电荷的信号与表示定时电路28中的定时器是否已经递减计数至零的信号相比较。基于前面所述，可以看出如果电容器24已经放电，而定时电路28仍向零进行递减计数，那么这就表示存储设备12的工作温度超过解扣温度，在上面的例子中，解扣温度被设为78℃。在此情况下，控制逻辑32向存储器控制器14产生一个中断。存储器控制器14包括控制逻辑16，一旦控制逻辑16接收到来自存储设备12的中断，即采取动作以降低存储设备12的工作温度。在一个实施例中，该动作可包括将发给存储设备12的存储周期的数目按比例减小，以降低其工作温度。在上述示例中，模式寄存器是被存储设备12的制造商以解扣温度来编程。在本专利技术的另一实施例中，存储器控制器14中的配置逻辑18向存储设备12发送信号，从而以解扣温度对模式寄存器进行编程。一旦配置逻辑14已经以解扣温度对模式寄存器进行编程，在一个实施例中，控制逻辑32确定对定时电路28中的定时器进行初始化的计数值。为了完成这些，在一个实施例中，提供了一个查找表36，作为控制逻辑32的一部分。查找表包括在给定不同解扣温度时用来初始化定时电路28中的定时器的起始计数值。例如，基于附图中的图3所示的查找表36，对于80℃的解扣温度，计数起始值3500000被选为定时器的初始值。如果解扣温度为85℃，可以看到起始计数值将为5100000。在一个实施例中，查找表36由存储设备12的制造商利用对于各解扣温度的设备特定值以及与该解扣温度相关联的关联计数起始值所创建。本领域的技术人员将理解，存储设备12的各种电路只是被根据其功能而示出，而且实际上图2中所示出的某些电路可能被结合到其他电路中，或者结合为单个电路。附图中的图4示出了实现上述存储设备12的电路的功能的一个电路实施例。参考附图中的图4，存储设备12中的电容器被模拟为场效应晶体管，它作为NMOS器件52在图4中示出。电压源50连接到NMOS器件52的“漏极”。当NMOS器件52的“存储”管脚被触发至逻辑值1时，NMOS器件52的栅极即打开，电荷被转移到NMOS器件5本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种方法，包括以下步骤：对安装在电子部件上的电容器进行周期性充电；一旦所述电容器被充电，就对定时器进行初始化以从一个计数值进行递减计数；确定所述电容器是否在所述定时器递减计数至零之前已放电；以及如果所述电容器在所述定 时器递减计数至零之前已放电，则产生一个中断。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：SK贾因，A米什拉，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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