一种测量制冷型红外探测器光敏元间温差的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术专利公开了一种测量制冷型红外焦平面探测器件各光敏元间的温度差的装置和方法。温度分布不均匀会导致材料的禁带宽度有差异从而影响器件的响应波长，不利于焦平面的均匀性指标的提高，因此不同位置的光敏元温度分布是非常值得关注的。但目前还没有哪个方法能简单方便的测量几何尺寸在微米量级的光敏元的温度。本专利通过静电计测量微小面积光敏元的电势差，可以方便的得到他们间的温度差。该方法简便易行，测量准确，值得推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测器检测技术，具体是指一种测量制冷型红外探测器光 敏元间温差的装置和方法，它适用于测量制冷型红外探测器光敏元之间的温度 差异。
技术介绍
随着红外焦平面技术的发展，出现了大面阵长线列的红外探测器件。对于这些面积较大、光敏元数目众多的器件，其在80K左右工作温度下的光敏元之 间的温度差异成为越来越受关注的一个问题。因为焦平面上感光区域的温度分 布不均匀会导致材料的禁带宽度有差异从而影响器件的响应波长，不利于焦平 面的均匀性指标的提高。但目前为止还没有直接测量每一光敏元的温度的方 法，因为光敏元的几何尺寸及其间距都在微米量级，现有的温度测量方法无法 区分这么小空间的温度差异，而利用光谱间接的测量得到的是温度、应变及组 分几个因素的综合结果，所以必须发展新的方法获取光敏元的温度分布信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量测制冷型红外焦平面器件光敏元间温度差异 的方法，解决制冷型红外焦平面器件光敏元间温度差异的测量问题。本专利技术方法利用了半导体材料的温差电动势效应温度会引起半导体材料的费米能级Ep位置的变化，随着温度的升高，无论是P型还是N型半导体其 费米能级EF均向本征费米能级Ei移动，而一般来说，应变及组分只会引起导 带底能量Ec及价带顶能量Ev的位置变化，不会引起半导体材料EF的变化，这样就导致一块半导体材料内两个温度不同的地方产生温差电动势，所以通过测量光敏元间的温差电动势就可以获取温差信息。对于内部有pn结势垒或肖 特基势垒的情况，温差电动势仍然可以测出。在平衡状态下，假设芯片处于均 匀的温度场中，则费米能级为一平直的直线，如若某处温度有变化，便会导致 Ef的升高或降低，对外产生温差电动势。本专利技术的测量装置如附图l所示，由硅引线板2、铟柱3、 P型碲镉汞4和 n型碲镉汞构成的探测器器件封装在低温杜瓦8中，器件用真空导热油脂粘贴 杜瓦的冷头1上，连接各个光敏元的测量引线6通过杜瓦的内部电路将光敏 元引出，静电计10通过静电计引线9并联杜瓦8上的与光敏元相连的金属触 点上，由静电计10测得光敏元之间的电势差。在实际测量中，从导线接触低 温光敏元的一端到处于室温的另一端本身就存在一个可观的温差电动势。为消 除这个电动势的影响，采用相同的测量引线6来连接各个光敏元，并且与静电 计10连接的静电计引线9选用两根同材质同型号同长度(L产L》的测量引线 并使测量是室温To (T,二T2二T。)保持恒定。整个测量装置安置在静电屏蔽网 11中。由半导体物理学的知识可知，在材料组分分布均匀和温度场恒定的情况 下，温差」T随温差电动势」V单调变化，因此我们可以用」V来表征JT。 这样，以焦平面器件上的某一个光敏元为基准点，多次测量其他光敏元与之的 温差，就可以得到整个焦平面器件的温度分布了。本专利技术的优点在于该方法弥补了制冷型红外焦平面领域量测比较器件的 温度均匀性的技术空白，操作简便易行，可以定量的给出整个器件的温度分布。 附图说明图1为本专利技术的测量装置结构示意图，图中各编号的定义按编号从小到大 的顺序排列依次为l-冷头；2-Si引线板；3-铟柱；4-p型碲镉汞；5-n型碲镉汞；6-杜瓦内与光敏元连接的测量引线；7-窗口； 8-杜瓦；9-静电《十引线；10-静电计；11-静电屏蔽铜网。测量时测量温度恒定在TQ，静电计的两极的温度 T!及T2等于To。 具体实施例方式1. 将碲镉汞器件封装于低温杜瓦8中，以真空导热油脂把待测样品粘贴在 杜瓦冷头1上，同时把各光敏元引至杜瓦外，所有引线6均采用10丝 的金丝，并保证从光敏元的焊点到杜瓦输出端的测温差电动势测量点的 金丝长度为10cm。2. 将杜瓦8的真空腔抽真空以确保器件的温度能降到红外器件实际工作的 低温。3. 杜瓦8的液氮腔中灌满液氮，通过冷头l把器件冷却。4. 约30分钟后器件温度达到平衡，开始测量。测量在有静电屏蔽网ll的 房间进行，测量引线亦需要很好的屏蔽。5. 用Kdthley6517A静电计通过杜瓦输出端测量光敏元间电势差，所用引 线9为两根材质长度均相同的屏蔽线。6. 多次测量基准光敏元与其他光敏元间的电势差，即可得到用Z1V表征的 器件4T分布了。权利要求1.一种测量制冷型红外探测器光敏元间温差的装置，它主要包括杜瓦(8)、静电计(10)和静电屏蔽网11，其特征在于被测量的探测器器件由真空导热油脂粘贴杜瓦(8)中的冷头(1)上，被测器件上的各个光敏元通过测量引线(6)与杜瓦(8)上的金属触点相连，静电计(10)通过静电计引线(9)并联在杜瓦(8)的金属触点上，通过静电计(10)测量各个光敏元件的电动势，整个装置安放在静电屏蔽网(11)中。2. 根据权力要求1所述的一种测量制冷型红外探测器光敏元间温差的装 置，其特征在于所说的连接各个光敏元的测量引线(6)均采用直径为O.lmm， 长度为10cm的金丝。3. 根据权力要求1所述的一种测量制冷型红外探测器光敏元间温差的装 置，其特征在于所说的静电计引线(9)为两根材质长度均相同的屏蔽线。4. 根据权力要求1所述的一种测量制冷型红外探测器光敏元间温差的装 置，其特征在于所说的静电计(10)是用Kdthley6517A静电计。5. —种采用权利要求1所述的装置测量制冷型红外探测器光敏元间的温 差的方法，其特征在于它包括以下步骤A.将碲镉汞器件封装于低温杜瓦(8)中，以真空导热油脂把待测样品粘贴在杜瓦冷头(1)上，同时把各光敏元引至杜瓦(8)得金属触点上；B. 将杜瓦(8)的真空腔抽真空以确保器件的温度能降到红外器件实际工 作的低温；C. 杜瓦(8)的液氮腔中灌满液氮，通过冷头把器件冷却；D. 约30分钟后器件温度达到平衡，开始测量,测量在有静电屏蔽的房间 进行，测量引线亦需要很好的屏蔽； E. 用Keithley6517A静电计通过杜瓦输出端测量光敏元间电势差，所用引 线(9)为两根材质长度均相同的屏蔽线；F. 多次测量基准光敏元与其他光敏元间的电势差，即可得到用电动势表 征的器件温差分布。全文摘要本专利技术专利公开了一种测量制冷型红外焦平面探测器件各光敏元间的温度差的装置和方法。温度分布不均匀会导致材料的禁带宽度有差异从而影响器件的响应波长，不利于焦平面的均匀性指标的提高，因此不同位置的光敏元温度分布是非常值得关注的。但目前还没有哪个方法能简单方便的测量几何尺寸在微米量级的光敏元的温度。本专利通过静电计测量微小面积光敏元的电势差，可以方便的得到他们间的温度差。该方法简便易行，测量准确，值得推广使用。文档编号G01K7/01GK101373153SQ20081020154公开日2009年2月25日 申请日期2008年10月22日 优先权日2008年10月22日专利技术者张海燕, 李言谨, 胡晓宁, 陆华杰, 龚海梅 申请人:中国科学院上海技术物理研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量制冷型红外探测器光敏元间温差的装置，它主要包括杜瓦（８）、静电计（１０）和静电屏蔽网１１，其特征在于：被测量的探测器器件由真空导热油脂粘贴杜瓦（８）中的冷头（１）上，被测器件上的各个光敏元通过测量引线（６）与杜瓦（８）上的金属触点相连，静电计（１０）通过静电计引线（９）并联在杜瓦（８）的金属触点上，通过静电计（１０）测量各个光敏元件的电动势，整个装置安放在静电屏蔽网（１１）中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海燕，胡晓宁，李言谨，龚海梅，陆华杰，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]