微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板技术

本发明专利技术提供了一种微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板，该微发光二极管像素单元器件结构包括：氮化镓基微发光二极管结构，氮化镓基微发光二极管结构包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和与氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于p型氮化镓层之上。通过直接利用半导体技术，在已经包括LED基本工艺结构的氮化镓基LED外延片上制备TFT结构，规避了现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和TFT的集成所带来的成本高、良率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板
本专利技术涉及微发光二极管
，具体涉及一种微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及包含该微发光二极管像素单元器件结构的显示面板。
技术介绍
近年来，微发光二极管(LightEmittingDiode，LED)显示技术发展迅速，备受业界追捧。其制备过程通常是利用巨量转移技术将百万甚至千万数量级的微LED从一块基板转移到薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板上，以实现微LED和TFT的集成。然而，由于微LED的尺寸通常只有几微米到几十微米，像素间距太小，因此巨量转移过程需要成本高昂的精密设备才能实现，并且产品良率较低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例致力于提供一种微LED像素单元器件结构、制备方法及显示面板，以解决现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和TFT的集成时，导致的生产成本高、产品良率低的问题。本专利技术一方面提供了一种微发光二极管像素单元器件结构，包括：氮化镓基微发光二极管结构，包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，包括：/n氮化镓基微发光二极管结构，所述氮化镓基微发光二极管结构包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和/n与所述氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于所述p型氮化镓层之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，包括：
氮化镓基微发光二极管结构，所述氮化镓基微发光二极管结构包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和
与所述氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于所述p型氮化镓层之上。


2.如权利要求1所述的微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，所述氮化镓基微发光二极管结构和所述薄膜晶体管结构水平布置。


3.如权利要求1所述的微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，所述氮化镓基微发光二极管结构还包括透明电极，所述透明电极设置在所述p型氮化镓层之上。


4.如权利要求1所述的微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，还包括与所述氮化镓基微发光二极管结构电连接的电容结构，所述电容结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于所述p型氮化镓层之上。


5.一种微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供氮化镓基二极管外延片，所述氮化镓基二极管外延片包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；
在所述n型氮化镓层上制备薄膜晶体管结构和电容结构；
分别制备所述n型氮化镓层和所述p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构；
将所述薄膜晶体管结构、所述电容结构和所述微发光二极管结构电连接。


6.如权利要求5所述的微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，在所述n型氮化镓层上制备薄膜晶体管结构和电容结构包括：
在所述p型氮化镓层的表面进行台面刻蚀至露出部分n型氮化镓...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭恩卿，邢汝博，韦冬，李晓伟，张宇，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32