【技术实现步骤摘要】
显示面板
本专利技术涉及Mini-LED或Micro-LED显示
,尤其涉及一种显示面板。
技术介绍
MiniLED/MicroLED(MLED)显示技术在近两年进入加速发展阶段,应用在中小型显示器应用领域。相较于有机电激光显示(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)屏幕,MLED显示在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。在MLED显示技术中,背板技术作为关键技术,优化背板技术对于MLED显示技术至关重要。常规BCE(即背沟道蚀刻型结构)薄膜晶体管背板技术采用6mask(6张掩膜板)技术,其中金属层(M2)使用钼/铜叠层结构,部分金属层11作为LED的绑定层,ITO作为COF绑定保护层。在制备如图1所示的结构时,因为制程温度较低,钝化层(PV)成膜温度提高及后续PV制程的热退火制程易造成金属层(M2)中的铜电极氧化甚至脱落,影响电极导电性能。此外,半导体所需热处理温度随材料成分变化,部分氧化物需要高温制程,该技术不能更好的兼容。一般为了适应高温制程,采用三层叠层结构 ...
【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:/n基板;/n第一金属层,设于所述基板上;/n第一绝缘层,设于所述基板以及所述第二绝缘层上;/n半导体层,设于所述第一绝缘层上;/n第二金属层,设于所述第一绝缘层以及所述半导体层上;/n透明保护层,设于所述第二金属层上;/n第二绝缘层,设于所述基板上且包覆所述透明保护层、所述第二金属层以及所述半导体层。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一金属层,设于所述基板上;
第一绝缘层,设于所述基板以及所述第二绝缘层上;
半导体层,设于所述第一绝缘层上;
第二金属层,设于所述第一绝缘层以及所述半导体层上;
透明保护层,设于所述第二金属层上;
第二绝缘层,设于所述基板上且包覆所述透明保护层、所述第二金属层以及所述半导体层。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第二绝缘层包括第一凹槽以及第二凹槽;
所述第一凹槽向下延伸至所述第二金属层的上表面;
所述第二凹槽向下延伸至所述透明保护层的上表面。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
LED,设于所述第一凹槽中且连接所述第二金属层。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
所述第二凹槽中对应的部分所述透明保护层为COF绑定层。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一金属层包括栅极,所述栅极设于所述半导体层的下方
所述第二金属层包括源漏电极;
所述栅极、所述半导体层以及所述源漏电极形成一薄膜晶体管。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第一金属层包括外围走线;
所述第二金属层包括COF绑定走线,所述COF绑定走线连接所述外围走线...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗传宝,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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