【技术实现步骤摘要】
基于扇出型的封装结构、芯片及其制作方法
本专利技术属于半导体封装
，尤其涉及一种基于扇出型的封装结构、芯片及其制作方法。
技术介绍
半导体广泛应用于各种智能电子产品中，智能系统的集成对电子元器件产品在单位面积下的功能密度和性能要求不断地提高，这对元件尺寸不断缩小的芯片封装制造工艺提出更高的要求。因此，如何在一个细小空间内集成不同功能模块的元器件，实现不同产品的功能需求，增强芯片的实用性，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种基于扇出型的封装结构、芯片及其制作方法，旨在解决细小空间内集成不同功能模块的元器件封装以提高封装密度，实现不同产品功能需求，从而增强芯片的实用性。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种基于扇出型的封装结构，包括第一芯片封体、模塑化合物层和布线层，所述模塑化合物层顶面设有第一芯片封体，所述模塑化合物层底面设有布线层，所述模塑化合物层设有若干个导线通孔，所述模塑化合物层通过导线通孔与第一芯片封体、布线层电信号连接。优选地，所述...
【技术保护点】
1.一种基于扇出型的封装结构，其特征在于，包括第一芯片封体、模塑化合物层和布线层，所述模塑化合物层顶面设有第一芯片封体，所述模塑化合物层底面设有布线层，所述模塑化合物层设有若干个导线通孔，所述模塑化合物层通过导线通孔与第一芯片封体、布线层电信号连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于扇出型的封装结构，其特征在于，包括第一芯片封体、模塑化合物层和布线层，所述模塑化合物层顶面设有第一芯片封体，所述模塑化合物层底面设有布线层，所述模塑化合物层设有若干个导线通孔，所述模塑化合物层通过导线通孔与第一芯片封体、布线层电信号连接。
2.根据权利要求1所述的基于扇出型的封装结构，其特征在于，所述第一芯片封体包括塑封层、第一介电层、第一芯片组、无源元件、金属引线和接合垫，所述第一介电层上设有第一芯片组，所述第一芯片组一侧设有至少1个无源元件，所述第一介电层设有若干个与所述导线通孔对应连接的导电柱，所述导电柱上下端面分别设有接合垫，所述第一芯片组通过金属引线与接合垫键合连接，所述第一介电层上设有塑封层，所述塑封层包覆第一芯片组、无源元件、金属引线和接合垫。
3.根据权利要求2所述的基于扇出型的封装结构，其特征在于，所述第一芯片组包括至少2个第一芯片，位于底层的所述第一芯片的有源面裸露于塑封层底面，所述第一芯片组的排列包括并排排列及/或叠加排列。
4.根据权利要求3所述的基于扇出型的封装结构，其特征在于，所述第一芯片组的叠加排列包括斜向阶梯叠加排列、水平交错叠加排列和金字塔形叠加排列。
5.根据权利要求1所述的基于扇出型的封装结构，其特征在于，所述模塑化合物层内塑封有至少1个第二芯片，所述第二芯片上下端面设有第二介电层，位于下端面的所述第二介电层内设有导电内连线，所述第二芯片通过导电内连线与所述布线层电信号连接。
6.根据权利要求1所述的基于扇出型的封装结构，其特征在于，所述布线层内设有重分布线，所述布线层底面设有焊接区，所述焊接区上设有连接所述重分布线的焊接球。
7.根据权利要求6所述的基于扇出型的封装结构，其特征在于，所述布线层为至少1层。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的基于扇出型的封装结构，其特征在于，该芯片封装结构还包括电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包覆所述第一芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宗铭，
申请(专利权)人：上海赛米德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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