芯片封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种芯片封装结构，所述方法包括：封装晶圆、金属凸块、待封装芯片以及塑封层。本发明专利技术将待封装芯片直接键合在待封装晶圆上，无需进行外部的重新布线层，形成了双面封装的系统级封装结构，从而提升单一芯片功能，并可以通过本发明专利技术的封装方式实现封装体积的优化，另外，通过机械加压的方式控制金属凸块显露于塑封层的高度，从而可以省略对塑封层进行研磨的步骤，简化工艺，提高封装结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构
本技术属于半导体封装
，特别涉及一种芯片封装结构。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，随着人们对功能更强大、性能更佳、能源效率更高、制造成本更低以及外形尺寸越来越小的需求，晶圆级封装(WLPSiP)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。然而，现有的封装结构大多存在功能单一、单面封装以及封装体积大等缺陷。因此，如何提供一种芯片封装方法及芯片封装结构以解决现有的上述问题实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构，用于解决现有技术中封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：/n封装晶圆；/n金属凸块，位于所述封装晶圆上；/n待封装芯片，键合于所述封装晶圆上，且所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述封装晶圆的同一侧；以及/n塑封层，形成于所述封装晶圆上，所述塑封层将所述金属凸块、所述待封装芯片包围，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：
封装晶圆；
金属凸块，位于所述封装晶圆上；
待封装芯片，键合于所述封装晶圆上，且所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述封装晶圆的同一侧；以及
塑封层，形成于所述封装晶圆上，所述塑封层将所述金属凸块、所述待封装芯片包围，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面。


2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层的上表面高于所述待封装芯片的上表面。


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【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，吴政达，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32