一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统技术方案

本发明专利技术提供一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。本发明专利技术还提供一种计算机可读存储介质。本发明专利技术还提供一种掩模边界检测系统。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统
本专利技术涉及光刻领域，尤其涉及一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统。
技术介绍
光刻技术是用于制造超大规模集成电路的核心技术之一，光刻系统采用光源照射掩模版，通过投影物镜将掩模上的集成电路版图成像到光刻胶上。计算光刻使用计算机来模拟、仿真光刻的光学和化学过程，从理论上探索增大光刻分辨率和工艺窗口的途径，指导工艺参数的优化。随着技术节点不断缩减，光刻工艺分辨率的提高依赖与分辨率增强技术，包括优化光照条件、光学临近效应修正和添加亚分辨率辅助图形。从32nm技术节点以下，计算光刻已经成为光刻研发的核心。实际一个芯片的尺寸最大可达32mm*26mm，其中最小的图形的线宽只有50nm，因此光刻层的版图文件可达几百个GB。由于计算光刻的运算量巨大，目前的计算机系统无法一次处理整个掩模版图，因而需要把掩模版图划分成微米量级的小块版图然后对其进行分布式并行计算，最后将各个优化好的小块版图整合起来。整合之后的版图需要在划分的边界上检测优化后的图形的一致性。掩模边界一致是指掩模主图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：/n步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；/n步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及/n步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：
步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；
步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及
步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。


2.如权利要求1所述的一种掩模边界检测方法，其特征在于：步骤S3包括扩步骤S31，检测主图形图层中的主图形与掩模边界线是否存在交点；步骤S32，若步骤S31中检测到存在交点，则检测主图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S33，当角度方向不同时，检测目标图形与掩模边界线交点处是否有人为放置的断点，若无人为放置的断点，则直接判断主图形在该处掩模边界不具有一致性，反之则判断具有一致性。


3.如权利要求2所述的一种掩模边界检测方法，其特征在于：步骤S33包括步骤S331，以交点为中心延伸一长方形空间；步骤S332，在长方形空间内搜寻目标图形与掩模边界线相交处是否存在人为设置的断点，当不存在断点时则判断该主图形在掩模边界不具有一致性，反之则判断具有一致性。


4.如权利要求1所述的一种掩模边界检测方法，其特征在于：步骤S2包括步骤S21，检测辅助图形图层中的辅助图形与掩模边界线是否存在相交；步骤S22，若步骤S21中检测到存在交点，则检测辅助图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S23，根据角度方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈运，廖丹丹，张生睿，方伟，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44