一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统技术方案

本发明专利技术提供一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。本发明专利技术还提供一种计算机可读存储介质。本发明专利技术还提供一种掩模边界检测系统。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统
本专利技术涉及光刻领域，尤其涉及一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统。
技术介绍
光刻技术是用于制造超大规模集成电路的核心技术之一，光刻系统采用光源照射掩模版，通过投影物镜将掩模上的集成电路版图成像到光刻胶上。计算光刻使用计算机来模拟、仿真光刻的光学和化学过程，从理论上探索增大光刻分辨率和工艺窗口的途径，指导工艺参数的优化。随着技术节点不断缩减，光刻工艺分辨率的提高依赖与分辨率增强技术，包括优化光照条件、光学临近效应修正和添加亚分辨率辅助图形。从32nm技术节点以下，计算光刻已经成为光刻研发的核心。实际一个芯片的尺寸最大可达32mm*26mm，其中最小的图形的线宽只有50nm，因此光刻层的版图文件可达几百个GB。由于计算光刻的运算量巨大，目前的计算机系统无法一次处理整个掩模版图，因而需要把掩模版图划分成微米量级的小块版图然后对其进行分布式并行计算，最后将各个优化好的小块版图整合起来。整合之后的版图需要在划分的边界上检测优化后的图形的一致性。掩模边界一致是指掩模主图形和亚分辨率辅助图形的线段经过光学邻近效应修正后，在版图切分的边界上不能有阶跃式的变化。掩模版图在边界上不一致说明版图优化出现问题，需要对算法进行改进和完善。一块完整的芯片版图在进行计算的时候会被划分成几万甚至几十万个小块版图，如果直接用肉眼去检测，几乎是不可能完成的任务。如何有效地检测这些版图上面的图形，并且准确定位到掩模图形的线段在边界上不一致的具体位置坐标，是计算光刻中亟需解决的问题。
技术实现思路
为克服现有问题，本专利技术提供一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统。本专利技术解决技术问题的技术方案是提供一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。优选地，步骤S3包括扩步骤S31，检测主图形图层中的主图形与掩模边界线是否存在交点；步骤S32，若步骤S31中检测到存在交点，则检测主图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S33，当角度方向不同时，检测目标图形与掩模边界线的交点处是否有人为放置的断点，若无人为放置的断点，则直接判断主图形在该处掩模边界不具有一致性，若有人为放置的断点，则判断具有一致性。优选地，步骤S33包括步骤S331，以交点为中心延伸一长方形空间；步骤S332，在长方形空间内搜寻是否存在人为设置的断点；当不存在断点时，则判断该主图形在掩模边界不具有一致性，否则判断具有一致性。优选地，步骤S2包括步骤S21，检测辅助图形图层中的辅助图形与掩模边界线是否存在相交；步骤S22，若步骤S21中检测到存在交点，则检测辅助图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S23，根据角度方向相同或相反，判断出辅助图形在掩模边界具有一致性或不具有一致性。优选地，所述角度方向为辅助图形及主图形与掩模边界线相交的交点所成角度的方向。优选地，步骤S1包括步骤S11，分别读取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层；及步骤S12，将掩模版图进行切割，以形成多个小正方形版块。优选地，所述掩模边界检测方法还包括步骤S4，获取掩模版图中不具有一致性的主图形及辅助图形的位置。优选地，步骤S4包括步骤S41，在掩模版图上建立平面坐标系；及步骤S42，根据步骤S1-S3检测的结果，对应坐标系的位置，以获取全部不具有一致性的图形处于坐标系中的位置。本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行所述权利要求1-8中任一项中所述异物检测方法。本专利技术还提供一种掩模边界测系统，所述掩模边界检测系统包括：划分模块，用于获取掩模版图中的主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；检测模块，用于检测辅助图形图层及主图形图层在划分处的一致性。与现有技术相比，本专利技术提供的一种掩模边界检测方法具有以下优点：1.通过该检测方法，只涉及到图形与图形之间的布尔运算，相对现有的检测方法，可快速准确的检测出掩模版图中所有不具一致性的主图形及辅助图形。2.通过在主图形与掩模边界线相交处延伸长方形空间，并搜索该空间内目标图形与掩模边界线的交点处是否存在人为设置的断点，从而判断主图形的一致性，可以避免由于存在人为设置断点时的误判断。3.通过对辅助图形与掩模边界线相交的角度方向进行检测，可以准确的识别出辅助图形是否具有一致性。4.通过在掩模版图上设置坐标系，可以得到所有不具一致性的图形处于掩模版图上的位置。【附图说明】图1是本专利技术第一实施例一种掩模边界检测方法的流程示意图。图2A是图1中步骤S1的流程示意图。图2B是图1中步骤S1后的效果示意图。图3A是图1中步骤S2的流程示意图。图3B是图3A中步骤S23的效果示意图。图3C是图3B的A处及B处放大图。图4A是图1中步骤S3的流程示意图。图4B是图4A中步骤S33的流程示意图。图4C是图4A中步骤S33的效果示意图。图4D是图4C中的C处放大图。图5A是本专利技术第一实施例一种掩模边界检测方法的附加流程示意图。图5B是图5A中步骤S4的流程示意图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，本专利技术提供一种掩模边界检测方法，其包括以下步骤：步骤S1：获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；步骤S2：检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；步骤S3：检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。具体的，掩模版图为在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作的各种功能图形，用于对光致抗蚀剂涂层选择性曝光，以通过曝光过程将图形信息转移到产品上。由于部分相干成像过程中的非线性空间滤波，降低了成像的质量，引发了光学临近效应，从而需要对图形进行修正，这就使得掩模版图中包括主图形图层及辅助图形图层。辅助图形图层为用于修正光学临近效应的辅助图形，主图形图层为根据目标版图优化之后得到的主图形。由于掩模版图为多个优化好的小版块整合而成，所以检测在划分处的主图形及辅助图形的一致性，即可体现掩模边界的一致性。可以理解，主图形是通过目标图形图层中的目标图形向外延伸扩展得到。可以理解，划分即为按照小版块整合成掩模版图的位置将掩模版图进行切割，从而将原始的大版图划分成多个正方形，即采用网格线对原始的大版图进行划分得到多个正方形，划分得到网本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：/n步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；/n步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及/n步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩模边界检测方法，用于拼接后掩模边界一致性的检测，其特征在于：该方法包括步骤：
步骤S1，获取掩模版图中的目标图形图层、主图形图层及辅助图形图层，并对掩模版图进行划分；
步骤S2，检测辅助图形图层中的辅助图形在划分处的一致性；及
步骤S3，检测主图形图层中的主图形在划分处的一致性。


2.如权利要求1所述的一种掩模边界检测方法，其特征在于：步骤S3包括扩步骤S31，检测主图形图层中的主图形与掩模边界线是否存在交点；步骤S32，若步骤S31中检测到存在交点，则检测主图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S33，当角度方向不同时，检测目标图形与掩模边界线交点处是否有人为放置的断点，若无人为放置的断点，则直接判断主图形在该处掩模边界不具有一致性，反之则判断具有一致性。


3.如权利要求2所述的一种掩模边界检测方法，其特征在于：步骤S33包括步骤S331，以交点为中心延伸一长方形空间；步骤S332，在长方形空间内搜寻目标图形与掩模边界线相交处是否存在人为设置的断点，当不存在断点时则判断该主图形在掩模边界不具有一致性，反之则判断具有一致性。


4.如权利要求1所述的一种掩模边界检测方法，其特征在于：步骤S2包括步骤S21，检测辅助图形图层中的辅助图形与掩模边界线是否存在相交；步骤S22，若步骤S21中检测到存在交点，则检测辅助图形与掩模边界线相交的角度方向；及步骤S23，根据角度方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈运，廖丹丹，张生睿，方伟，
申请(专利权)人：深圳晶源信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44