一种智能光衰减接收装置及光模块制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及光模块领域，具体涉及一种智能光衰减接收装置及光模块。智能光衰减接收装置还包括分束器、光吸收器、光电二极管、负载电阻和MOS管，所述接收器、分束器、光吸收器和光电探测器依次设置，所述光吸收器的两电极分别与电源端和MOS管的漏极或源极连接，所述MOS管的源极或漏极接地，其栅极与负载电阻连接，所述负载电阻和光电二极管构成通电回路。本实用新型专利技术的有益效果在于，与现有技术相比，本实用新型专利技术通过设置光吸收器，在光信号功率超过预设值使进行功率衰减，后再接入ROSA，以保护APD ROSA不被烧毁，从而更好的保护APD ROSA的使用。

【技术实现步骤摘要】
一种智能光衰减接收装置及光模块
本技术涉及光模块领域，具体涉及一种智能光衰减接收装置及光模块。
技术介绍
对于长距离通信的光模块，通过APDROSA(雪崩光电二极管光接收组件)实现光电转换。参考图1，光信号101通过接收器110接收，并入射至APD120中。由于APD120对输入光信号的承受能力有限，特别是大功率的光信号101，容易导致APDROSA损坏，甚至烧毁，使光模块的接收功能失效。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种智能光衰减接收装置及光模块，解决由于APD对输入光信号的承受能力有限，特别是大功率的光信号，容易导致APDROSA损坏，甚至烧毁，使光模块的接收功能失效的问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种智能光衰减接收装置，包括接收器和光电探测器，还包括分束器、光吸收器、光电二极管、负载电阻和MOS管，所述接收器、分束器、光吸收器和光电探测器依次设置，所述光吸收器的两电极分别与电源端和MOS管的漏极或源极连接，所述MOS管的源极或漏极接地，其栅极与负载电阻连接，所述负载电阻和光电二极管构成通电回路；其中，从接收器接收的光信号经过分束器分光，一束光经过光吸收器入射至光电探测器，另一束光入射至光电二极管处，所述光电二极管在通电回路中产生电流并使负载电阻产生电压，所述MOS管在负载电阻的电压大于开启电压时导通，并使光吸收器工作以衰减光信号。其中，较佳方案是：所述光电探测器为雪崩光电二极管。其中，较佳方案是：所述分束器分束成占比为98％-99％的主光路和占比为1％-2％的副光路，所述主光路入射至经过光吸收器入射至光电探测器，所述副光路入射至光电二极管。其中，较佳方案是：所述MOS管为NMOS管；所述NMOS管为高速响应NMOS管。其中，较佳方案是：所述MOS管的栅极还并联一稳压二极管，所述稳压二极管的另一端接地。其中，较佳方案是：所述光电二极管的阳极与负载电阻连接，其阴极与电源端连接，所述负载电阻的另一端接地，所述光电二极管与负载电阻之间的节点与MOS管的栅极连接。其中，较佳方案是：所述光吸收器的阳极与MOS管的漏极或源极连接，其阴极与电源端连接。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种光模块，其特征在于：包括所述的智能光衰减接收装置和壳体，所述智能光衰减接收装置的功能模块均封装在壳体中，所述壳体上设有引脚。其中，较佳方案是：所述引脚包括与智能光衰减接收装置的电源端连接的电源引脚和接地引脚。本技术的有益效果在于，与现有技术相比，本技术通过设置光吸收器，在光信号功率超过预设值使进行功率衰减，后再接入ROSA，以保护APDROSA不被烧毁，从而更好的保护APDROSA的使用。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：图1是现有技术光接收装置的结构示意图；图2是本技术智能光衰减接收装置的结构示意图。具体实施方式现结合附图，对本技术的较佳实施例作详细说明。如图2所示，本技术提供一种智能光衰减接收装置的较佳实施例。一种智能光衰减接收装置，包括接收器210和光电探测器240，还包括分束器220、光吸收器230、光电二极管261、负载电阻262和MOS管250，所述接收器210、分束器220、光吸收器230和光电探测器240依次设置，所述所述光吸收器230的两电极分别与电源端和MOS管250的漏极或源极连接，所述MOS管250的源极或漏极接地，其栅极与负载电阻262连接，所述负载电阻262和光电二极管261构成通电回路；其中，从接收器210接收的光信号经过分束器220分光，一束光经过光吸收器230入射至光电探测器240，另一束光入射至光电二极管261处，所述光电二极管261在通电回路中产生电流并使负载电阻262产生电压，所述MOS管250在负载电阻262的电压大于开启电压时导通，并使光吸收器230工作以衰减光信号。具体地，光信号依次经过接收器210、分束器220、光吸收器230入射至光电探测器240中，同时，在分束器220作用下，还将光信号分束入射至光电二极管261中，光电二极管261在于负载电阻262所形成的通电回路中产生电流，所述电流在负载电阻262形成电压，由于MOS管250的栅极与接入负载电阻262，在负载电阻262的电压较小时，MOS管250的漏极和源极断路，光吸收器230、MOS管250和电源端所构成的通电回路处于断路状态，光吸收器230不工作，光信号直接入射至至光电探测器240，不进行衰减操作。当光信号功率变大时，光电二极管261在于负载电阻262所形成的通电回路中产生电流也变大，所述电流在负载电阻262形成电压也变大，直至负载电阻262的电压大于或等于MOS管250的开启电压时，MOS管250导通，即MOS管250的漏极和源极通路，光吸收器230、MOS管250和电源端所构成的通电回路处于通路状态，光吸收器230处于工作状态，并对光信号进行衰减操作，实现智能主动功率衰减，更好的保护光电探测器240，便于APDROSA的安全使用。其中，由于光吸收器230的阳极与MOS管250的漏极或源极连接，其阴极与电源端连接，在MOS管250导通后，光吸收器230的两极直接接入电源端和接地，形成通电回路，在电源端的电源驱动下，进行工作，对光信号进行衰减操作。在本实施例中，关于光电探测器240，光电探测器240优选为雪崩光电二极管261，雪崩光电二极管261指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管261的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管261”。其中，光电探测器240包括TO管座，所述TO管座上设有四个引脚，分别是作为电源端的电源引脚VCC、接地引脚、RF引脚和bias引脚。在本实施例中，关于分束器220，所述分束器220分束成占比为98％-99％的主光路和占比为1％-2％的副光路，所述主光路入射至经过光吸收器230入射至光电探测器240，所述副光路入射至光电二极管261。当然，也可以适当调节主光路和副光路的比例，通过与光电二极管261和负载电阻262的配合，调整光信号功率与负载电阻262电压的关系。以及，所述光电二极管261的阳极与负载电阻262连接，其阴极与电源端连接，所述负载电阻262的另一端接地，所述光电二极管261与负载电阻262之间的节点与MOS管250的栅极连接。根据光电二极管261的属性，在接入电压或反向电压后，会在光照度增大(光信号功率增加)的前提下，产生的电流也会不断增大，当电流值达到一个数值时，负载电阻262的电压也达到MOS管250的开启电压值。其中，可通过调整副光路的占比，调整负载电阻262的电压的基础数值，可通过调整光电二极管261的型号，调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种智能光衰减接收装置，包括接收器和光电探测器，其特征在于：还包括分束器、光吸收器、光电二极管、负载电阻和MOS管，所述接收器、分束器、光吸收器和光电探测器依次设置，所述光吸收器的两电极分别与电源端和MOS管的漏极或源极连接，所述MOS管的源极或漏极接地，其栅极与负载电阻连接，所述负载电阻和光电二极管构成通电回路；/n其中，从接收器接收的光信号经过分束器分光，一束光经过光吸收器入射至光电探测器，另一束光入射至光电二极管处，所述光电二极管在通电回路中产生电流并使负载电阻产生电压，所述MOS管在负载电阻的电压大于开启电压时导通，并使光吸收器工作以衰减光信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种智能光衰减接收装置，包括接收器和光电探测器，其特征在于：还包括分束器、光吸收器、光电二极管、负载电阻和MOS管，所述接收器、分束器、光吸收器和光电探测器依次设置，所述光吸收器的两电极分别与电源端和MOS管的漏极或源极连接，所述MOS管的源极或漏极接地，其栅极与负载电阻连接，所述负载电阻和光电二极管构成通电回路；
其中，从接收器接收的光信号经过分束器分光，一束光经过光吸收器入射至光电探测器，另一束光入射至光电二极管处，所述光电二极管在通电回路中产生电流并使负载电阻产生电压，所述MOS管在负载电阻的电压大于开启电压时导通，并使光吸收器工作以衰减光信号。


2.根据权利要求1所述的智能光衰减接收装置，其特征在于：所述光电探测器为雪崩光电二极管。


3.根据权利要求1所述的智能光衰减接收装置，其特征在于：所述分束器分束成占比为98％-99％的主光路和占比为1％-2％的副光路，所述主光路入射至经过光吸收器入射至光电探测器，所述副光路入射至光电二极管。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏樊城，
申请(专利权)人：昂纳信息技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44