晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能容易地将保护带从晶片的正面剥离。晶片的加工方法包含如下的工序：保护带配设工序，将保护带(10)配设在晶片(2)的正面(2a)上；背面加工工序，利用卡盘工作台(14)对晶片(2)的保护带(10)侧进行保持，对晶片(2)的背面(2b)实施加工；以及保护带剥离工序，将保护带(10)从晶片(2)的正面(2a)剥离。在保护带剥离工序中，将剥离用带(30)压接于形成有凹口(8)的区域的保护带(10)，利用剥离用带(30)将保护带(10)从晶片(2)的正面(2a)剥离。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及对晶片进行加工的晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有被分割预定线划分的多个器件并且在外周形成有示出晶体取向的凹口。
技术介绍
在正面上形成有被分割预定线划分的IC、LSI等多个器件的晶片在利用磨削单元对背面进行磨削并加工至规定的厚度之后，利用切割装置等分割为各个器件芯片，分割后的各器件芯片被利用于移动电话、个人电脑等电器设备。另外，在对晶片的背面进行磨削时，需要利用磨削装置的卡盘工作台对晶片的正面进行保持，因此为了保护晶片的正面，在晶片的正面上粘贴有保护带。而且，在实施磨削加工之后，将晶片定位在具有收纳晶片的开口部的框架的开口部，将晶片的背面和框架粘贴于划片带，然后，从晶片的正面剥离保护带(例如参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2005-86074号公报但是，保护带比较牢固地粘贴于晶片，存在不能容易地从晶片的正面剥离保护带的问题。在先切割加工、对晶片的背面进行研磨的研磨加工以及从晶片的背面照射激光光线而对晶片实施加工的激光加工等中会引起上述问题，其中，先切割加工是如下的加工：沿分割预定线形成与器件芯片的完工厚度对应的深度的槽，然后，将保护带粘贴于晶片的正面，使分割槽在晶片的背面露出从而分割为各个器件芯片(例如，参照特公平5-54262号公报)。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供晶片的加工方法，能够将保护带容易地从晶片的正面剥离。为了解决上述课题，本专利技术提供如下的晶片的加工方法。即，晶片的加工方法对在正面上形成有被分割预定线划分的多个器件并且在外周形成有示出晶体取向的凹口的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：保护带配设工序，将保护带配设在晶片的正面上；背面加工工序，利用卡盘工作台对晶片的保护带侧进行保持，对晶片的背面实施加工；以及保护带剥离工序，将保护带从晶片的正面剥离，在该保护带剥离工序中，将剥离用带压接于形成有凹口的区域的保护带，利用剥离用带将保护带从晶片的正面剥离。优选在该背面加工工序中包含磨削加工、研磨加工以及激光加工。在该保护带剥离工序中，将晶片定位在具有收纳晶片的开口部的框架的该开口部而将晶片的背面和框架粘贴于划片带上，然后，将保护带从晶片的正面剥离。本专利技术所提供的晶片的加工方法包含如下的工序：保护带配设工序，将保护带配设在晶片的正面上；背面加工工序，利用卡盘工作台对晶片的保护带侧进行保持，对晶片的背面实施加工；以及保护带剥离工序，将保护带从晶片的正面剥离，在该保护带剥离工序中，将剥离用带压接于形成有凹口的区域的保护带，利用剥离用带将保护带从晶片的正面剥离，因此覆盖凹口的保护带成为从晶片剥离的状态，能够以覆盖凹口的保护带的剥离作为契机而容易地将保护带从晶片的正面剥离。附图说明图1是示出实施保护带配设工序的状态的立体图。图2的(a)是示出实施背面加工工序的状态的立体图，图2的(b)是示出通过背面加工工序在晶片的背面上产生了磨削痕的状态的立体图。图3的(a)是示出将剥离用带粘贴于保护带的状态的立体图，图3的(b)是示出在保护带上粘贴有剥离用带的状态的立体图，图3的(c)是示出将保护带从晶片剥离的状态的立体图，图3的(d)是示出保护带已从晶片剥离的状态的立体图。图4的(a)是示出将剥离用带粘贴在被支承于框架的晶片的保护带上的状态的立体图，图4的(b)是示出在保护带上粘贴有剥离用带的状态的立体图，图4的(c)是示出将保护带从晶片剥离的状态的立体图，图4的(d)是示出保护带已从晶片剥离的状态的立体图。标号说明2：晶片；2a：晶片的正面；2b：晶片的背面；4：分割预定线；6：器件；8：凹口；10：保护带；30：剥离用带；32：框架；32a：开口部；34：划片带。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的晶片的加工方法的优选实施方式进行说明。在图1中，示出通过本专利技术的晶片的加工方法实施加工的晶片2。圆盘状的晶片2的正面2a被格子状的分割预定线4划分为多个矩形区域，在各个多个矩形区域中形成有器件6。另外，在晶片2的外周形成有示出晶片2的晶体取向的凹口8。而且，在图示的实施方式的晶片的加工方法中，首先，如图1所示，实施在晶片2的正面2a配设用于对器件6进行保护的保护带10的保护带配设工序。在实施保护带配设工序之后，利用卡盘工作台对晶片2的保护带10侧进行保持，实施对晶片2的背面2b实施加工的背面加工工序。在图示的实施方式的背面加工工序中，使用在图2中示出一部分的磨削装置12来实施背面磨削加工。另外，在背面加工工序中，也可以实施使用研磨装置(未图示)对晶片2的背面2b进行研磨的背面研磨加工或使用激光加工装置(未图示)从晶片2的背面2b照射激光光线而对晶片2实施加工的激光加工。参照图2，对磨削装置12进行说明。磨削装置12具有：能够旋转的圆形状的卡盘工作台14，其对晶片2进行吸引保持；以及磨削单元16，其对被卡盘工作台14保持的晶片2的背面2b进行磨削。在卡盘工作台14的上端部分配置有与吸引单元(未图示)连接的多孔质的吸附卡盘(未图示)，在卡盘工作台14上，利用吸引单元在吸附卡盘的上表面产生吸引力，从而对载置于吸附卡盘的上表面的晶片2进行吸引保持。另外，利用卡盘工作台用电动机(未图示)使卡盘工作台14以通过卡盘工作台14的径向中心并沿上下方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。磨削单元16包含：主轴18，其与主轴用电动机(未图示)连结，并且沿上下方向延伸；圆板状的轮座20，其固定于主轴18的下端。利用螺栓22将环状的磨削轮24固定于轮座20的下表面。在磨削轮24的下表面的外周缘部固定有多个磨削磨具26，该多个磨削磨具26沿周方向隔开间隔呈环状配置。参照图2继续进行说明，在背面加工工序中，首先，在卡盘工作台14的上表面上以使晶片2的背面2b朝向上侧并且使保护部材10侧朝向下侧的方式对晶片2进行吸引保持。接下来，在从上方观察时，利用卡盘工作台用电动机使卡盘工作台14向逆时针方向以规定的旋转速度(例如300rpm)旋转。另外，利用主轴用电动机使主轴18向从上方观察的逆时针方向以规定的旋转速度(例如6000rpm)旋转。接下来，利用磨削装置12的升降单元(未图示)使主轴18下降，使磨削磨具26与晶片2的背面2b接触。在使磨削磨具26与晶片2的背面2b接触之后，按照规定的磨削进给速度(例如1.0μm/s)使主轴18下降。由此，能够对晶片2的背面2b进行磨削而使晶片2减薄为期望的厚度。另外，在图2的(b)中示出如下的状态：通过实施背面加工工序而在晶片2的背面2b上从晶片2的径向中心呈放射状产生多个弧状磨削痕28。在实施背面加工工序之后，实施将保护带10从晶片2的正面2a剥离的保护带剥离工序。在保护带剥离工序中，首先，如图3的(a)所示，将长方形状的剥离用带30的长边方向一端侧压接于形成有凹口8的区域的保护带10。接下来，如图3的(b)所示，对剥离用带30的长边方向另一端侧进行把持，将剥离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，对在正面上形成有被分割预定线划分的多个器件并且在外周形成有示出晶体取向的凹口的晶片进行加工，其中，/n该晶片的加工方法包含如下的工序：/n保护带配设工序，将保护带配设在晶片的正面上；/n背面加工工序，利用卡盘工作台对晶片的保护带侧进行保持，对晶片的背面实施加工；以及/n保护带剥离工序，将保护带从晶片的正面剥离，/n在该保护带剥离工序中，将剥离用带压接于形成有凹口的区域的保护带，利用剥离用带将保护带从晶片的正面剥离。/n

【技术特征摘要】
20190219 JP 2019-0274891.一种晶片的加工方法，对在正面上形成有被分割预定线划分的多个器件并且在外周形成有示出晶体取向的凹口的晶片进行加工，其中，
该晶片的加工方法包含如下的工序：
保护带配设工序，将保护带配设在晶片的正面上；
背面加工工序，利用卡盘工作台对晶片的保护带侧进行保持，对晶片的背面实施加工；以及
保护带剥离工序，将保护带从晶片的正面剥离，

【专利技术属性】
技术研发人员：荒木浩二，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP