抗蚀剂图案形成方法技术

本发明专利技术涉及一种抗蚀剂图案形成方案，具有在支承体上使用抗蚀剂组合物形成膜厚7μm以上的抗蚀剂膜的工序、对抗蚀剂膜进行曝光的工序以及对曝光后的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，所述抗蚀剂组合物含有具有以通式(a10‑1)表示的结构单元、包含酸非解离性的脂肪族环式基的结构单元、包含通过酸的作用而极性增大的酸分解性基团的结构单元的树脂成分，式(a10‑1)中，R为氢原子、烷基或卤代烷基，Ya

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂图案形成方法
本专利技术涉及抗蚀剂图案形成方法。本申请基于2017年12月28日在日本申请的日本特愿2017-254871号主张优先权，将其内容援引于此。
技术介绍
在光刻技术中，进行例如下述工序：在基板上形成由抗蚀剂材料构成的抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行选择性曝光，实施显影处理，从而在所述抗蚀剂膜上形成规定形状的抗蚀剂图案。将抗蚀剂膜的曝光部变化为溶解于显影液的特性的抗蚀剂材料称为正型，将抗蚀剂膜的曝光部变化为不溶解于显影液的特性的抗蚀剂材料称为负型。近年来，在半导体元件和液晶显示元件的制造中，由于光刻技术的进步，图案的微细化得到发展。作为微细化的方法，一般来说，进行曝光光源的短波长化(高能量化)。具体来说，以往使用以g射线、i射线为代表的紫外线，现在使用KrF准分子激光或ArF准分子激光来进行半导体元件的批量生产。此外，也正在对波长比这些准分子激光短(高能量)的EUV(极紫外线)、EB(电子射线)、X射线等进行研究。对于抗蚀剂材料，要求相对于这些曝光光源的灵敏度、可再现微细尺寸的图案的分辨率等光刻特性。作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂图案形成方法，具有以下工序：工序(i)，在支承体上使用抗蚀剂组合物形成膜厚7μm以上的抗蚀剂膜；工序(ii)，对所述抗蚀剂膜进行曝光；以及工序(iii)，对所述曝光后的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案形成方法的特征在于，/n所述抗蚀剂组合物是通过曝光产生酸且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，且含有树脂成分(A1)，所述树脂成分(A1)具有由下述通式(a10-1)表示的结构单元(a10)、包含酸非解离性的脂肪族环式基的结构单元(a4)、包含通过酸的作用而极性增大的酸分解性基团的结构单元(a1)，/n[化1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171228 JP 2017-2548711.一种抗蚀剂图案形成方法，具有以下工序：工序(i)，在支承体上使用抗蚀剂组合物形成膜厚7μm以上的抗蚀剂膜；工序(ii)，对所述抗蚀剂膜进行曝光；以及工序(iii)，对所述曝光后的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案形成方法的特征在于，
所述抗蚀剂组合物是通过曝光产生酸且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，且含有树脂成分(A1)，所述树脂成分(A1)具有由下述通式(a10-1)表示的结构单元(a10)、包含酸非解离性的脂肪族环式基的结构单元(a4)、包含通过酸的作用而极性增大的酸分解性基团的结构单元(a1)，
[化1]



式中，R为氢原子、碳数为1～5的烷基或碳数为1～5的卤代烷基，Yax1为单键或2价的连接基团，Wax1是(nax1+1)价的芳香族烃基，nax1为1～3的整数。


2.如权利要求1所述的抗蚀剂图案形成方法，其特征在于,所述结...

【专利技术属性】
技术研发人员：白木雄哲，河野绅一，大野庆晃，砂道智成，齐藤彩，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP