一种刻蚀图形的形成方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种刻蚀图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，在待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，第一刻蚀图形位于介质层图形与待刻蚀层之间，且第一刻蚀图形在待刻蚀层上的投影位于介质层图形在待刻蚀层上的投影区域内；在第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，第二刻蚀图形靠近第一刻蚀图形的侧壁与介质层图形的侧壁平齐。相比于现有技术中自对准三重图形形成时，先沉积薄膜层再刻蚀薄膜层和介质层的方式，本方法的刻蚀工艺更简单，且形成的自对准三重图形更均匀。本发明专利技术还公开了一种由该方法形成的性能更好的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀图形的形成方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种刻蚀图形的形成方法及半导体器件。
技术介绍
为了顺应摩根定律的发展，半导体器件的尺寸正在不断地缩小。相应地，半导体制造过程中的各种工艺也在不断改善。但是制造工艺的改善仍然无法满足半导体器件对于高精度、高速度、高质量的需求。例如，由于受到了现有的光刻工艺精度的限制，现有的光刻工艺形成的掩膜图案难以满足半导体器件尺寸持续缩小的需求，由此，半导体技术的发展受到了限制。为了在现有的光刻工艺的基础上，进一步缩小半导体器件的尺寸，现有技术提出双重图形化工艺。其中，代表性的工艺有自对准双重图形化(Self-AlignedDoublePatterning，SADP)工艺。即现在衬底上沉积牺牲材料层，然后进行光刻和刻蚀，把掩膜的图形转移到牺牲材料层上。接着在刻蚀后的牺牲材料层的表面和侧壁上沉积薄膜层，再刻蚀薄膜层，并去除牺牲材料层。这种双重图形化工艺的步骤简单，但是掩膜的尺寸会收到工艺的限制，形成自对准双重图形的掩膜应用范围较小，无法适应更复杂的技术需求。<br>为解决上述问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀图形的形成方法，其特征在于，包括：/n提供待刻蚀层，在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，所述第一刻蚀图形位于所述介质层图形与所述待刻蚀层之间，且所述第一刻蚀图形在所述待刻蚀层上的投影位于所述介质层图形在所述待刻蚀层上的投影区域内；/n在所述第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，所述第二刻蚀图形靠近所述第一刻蚀图形的侧壁与所述介质层图形的侧壁平齐。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀图形的形成方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层，在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，所述第一刻蚀图形位于所述介质层图形与所述待刻蚀层之间，且所述第一刻蚀图形在所述待刻蚀层上的投影位于所述介质层图形在所述待刻蚀层上的投影区域内；
在所述第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，所述第二刻蚀图形靠近所述第一刻蚀图形的侧壁与所述介质层图形的侧壁平齐。


2.根据权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，包括：
在所述待刻蚀层上沿远离所述待刻蚀层的方向依次沉积形成第一介质层、第二介质层、掩膜层和光刻胶图案；
经由所述光刻胶图案和所述掩膜层刻蚀所述第二介质层形成所述介质层图形，刻蚀所述第一介质层形成所述第一刻蚀图形。


3.根据权利要求2所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，还包括：
在所述第二介质层远离所述待刻蚀层的一侧形成牺牲材料层，在所述牺牲材料层上沉积所述掩膜层和光刻胶图案；
经由所述光刻胶图案和所述掩膜层刻蚀所述牺牲材料层，刻蚀所述第二介质层形成所述介质层图形，刻蚀所述第一介质层形成所述第一刻蚀图形。


4.根据权利要求1所述的刻蚀图形的形成方法，其特征在于，在所述第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，包括：
在所述待刻蚀层上，环绕所述介质层图形和所述第一刻蚀图形的侧壁沉积薄膜层；
移除所述介质层图形；
刻蚀所述介质层图形在所述待刻蚀层上的投影区域内的所述薄膜层至所述待刻蚀层。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31