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本发明公开了一种刻蚀图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，在待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，第一刻蚀图形位于介质层图形与待刻蚀层之间，且第一刻蚀图形在待刻蚀层上的投影位于介质层图形在待刻蚀层上的投影区域内；在第一刻蚀图形的两侧分别形成第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。