一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，属于显示技术领域。所述制作方法包括：在基底上形成薄膜晶体管阵列层；在薄膜晶体管阵列层上依次形成平坦层和平坦层过孔掩膜图形层；采用SF

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
目前，大尺寸OLED(有机发光二极管)显示面板的制作工艺正在往更大尺寸(≥55寸)以及更高分辨率(8K)发展，若分辨率要达到8K及以上，则金属线更为密集，而栅极源漏极厚度也更厚，加上开口率等原因，底发射工艺已无法满足8K分辨率的要求，故需采取顶发射工艺。而目前打印有机层的方法相对于有机蒸镀工艺而言，具有成本低等优势，但打印有机层对下方的阵列平坦度要求较高，需至60um以内，但由于光阻和干刻条件所限，平坦层过孔的角度仅能控制在80°左右，此角度对后续阳极的沉积有影响，可能会使得阳极爬坡时断裂，最终导致显示面板产生暗点等不良现象。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术一方面实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基底上形成薄膜晶体管阵列层；在所述薄膜晶体管阵列层上依次形成平坦层和平坦层过孔掩膜图形层；采用SF6和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀，刻蚀量为平坦层总厚度的70～85％；采用CF4和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀，形成平坦层过孔；在所述平坦层上形成阳极，所述阳极通过平坦层过孔与所述薄膜晶体管阵列层中的源极连接。可选的，所述平坦层采用有机硅材料。可选的，所述采用SF6和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀，包括：采用900～1200sccm的SF6和1800～2100sccm的O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀。可选的，所述采用CF4和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀，包括：采用600～800sccm的CF4和2200～2400sccm的O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀。可选的，所述采用SF6和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀的刻蚀时间为总刻蚀时长的三分之二，所述采用CF4和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀的刻蚀时间为总刻蚀时长的三分之一，所述总刻蚀时长为140～160秒。可选的，所述平坦层的厚度为1.5～2.0μm，所述过孔掩膜图形层的厚度为2.0～2.5μm。可选的，所述平坦层和所述过孔掩膜图形层在SF6和O2的刻蚀作用下的刻蚀速率均大于等于0.7μm/min。可选的，所述在基底上形成薄膜晶体管阵列层，包括：在基底上依次形成遮光图形、缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极；在栅极上方形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层上形成层间绝缘层过孔；在所述层间绝缘层上形成源漏极图形，所述源漏极图形中的源极和漏极通过层间绝缘层过孔与有源层连接；在所述源漏极图形上形成钝化层，所述钝化层上形成有钝化层过孔，所述阳极通过平坦层过孔以及所述钝化层过孔与所述薄膜晶体管阵列层中的源极连接。本专利技术另一方面实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用如上所述的阵列基板的制作方法制作得到，所述阵列基板的平坦层过孔的侧壁与水平面所成夹角的范围为35°～45°。本专利技术又一方面实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。本专利技术上述技术方案的有益效果如下：根据本专利技术实施例的阵列基板的制作方法，通过采用不同的干刻条件组合控制平坦层的刻蚀过程，可使得平坦层过孔具有一定倾斜角度，可以降低后续阳极爬坡断裂的可能性，避免了更多暗点的产生，提高了面板制作的良率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的形成薄膜晶体管阵列层的示意图；图3为本专利技术实施例提供的在薄膜晶体管阵列层上依次形成平坦层和平坦层过孔掩膜图形层的示意图；图4为本专利技术实施例提供的对未被过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀的示意图；图5为本专利技术实施例提供的对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀的示意图；图6为本专利技术实施例提供的形成阳极图形层的示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。而目前打印有机层的方法相对于有机蒸镀工艺而言，具有成本低等优势，但打印有机层对下方的阵列平坦度要求较高，需至60um以内，目前的平坦层材料可以达到此要求，但仅受工厂条件所限仅能使用热固型材料，而热固型材料只能通过掩膜和干刻工艺完成开口。由于8K显示面板下阵列高度不一，SOG(平坦层)最厚可至2.0μm，成分为SiO-CH3(氧化硅-甲基)，需要通过干刻去除，目前主要采用六氟化硫(SF6)+氧气(O2)去除，但由于光阻和干刻条件所限，平坦层过孔的坡度角仅能控制在80°左右，此角度对后续阳极的沉积有影响，可能会使得阳极爬坡时断裂，导致产生暗点等不良。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法，通过采用不同的干刻条件组合控制平坦层的刻蚀过程，可使得平坦层过孔具有一定倾斜角度，可以降低后续阳极爬坡断裂的可能性，避免了更多暗点的产生，提高了面板制作的良率。请参考图1，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：步骤11：在基底上形成薄膜晶体管阵列层。本步骤用于在基底上形成薄膜晶体管等驱动器件。本专利技术实施例中，在基底上形成薄膜晶体管阵列层的步骤可以包括：在基底上依次形成遮光图形、缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极；在栅极上方形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层上形成层间绝缘层过孔；在所述层间绝缘层上形成源漏极图形，所述源漏极图形中的源极和漏极通过层间绝缘层过孔与有源层连接；在所述源漏极图形上形成钝化层。请参考图2，具体来说，提供一基底101，基底101可以是玻璃材质，然后在基底101上沉积一层金属，所述金属可以为钼或钼铌合金等金属，沉积的金属厚度可以为0.10～0.15μm，然后通过光刻湿刻形成薄膜晶体管区域的遮光图形102，其中，湿刻所述金属可以采用混酸进行刻蚀。随后，继续在遮光图形102上形成缓冲层103，可选的，缓冲层103可以采用氧化硅材料，厚度可以为0.3～0.5μm。接着沉积有源层材料，并通过光刻湿刻形成有源层104，可选的，有源层104可以选用氧化铟锡(IGZO)，厚度可以为0.05～0.1μm。继续形成栅绝缘层105，栅绝缘层105可以采用氧化硅材料，厚度可以为0.1～0.2μm；再在栅绝缘层105上沉积一层金属，所述金属可以为铜等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在基底上形成薄膜晶体管阵列层；/n在所述薄膜晶体管阵列层上依次形成平坦层和平坦层过孔掩膜图形层；/n采用SF

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成薄膜晶体管阵列层；
在所述薄膜晶体管阵列层上依次形成平坦层和平坦层过孔掩膜图形层；
采用SF6和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀，刻蚀量为平坦层总厚度的70～85％；
采用CF4和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀，形成平坦层过孔；
在所述平坦层上形成阳极，所述阳极通过所述平坦层过孔与所述薄膜晶体管阵列层中的源极连接。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述平坦层采用有机硅材料。


3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用SF6和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀，包括：
采用900～1200sccm的SF6和1800～2100sccm的O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀。


4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用CF4和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀，包括：
采用600～800sccm的CF4和2200～2400sccm的O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的剩余的平坦层进行刻蚀。


5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用SF6和O2对未被所述过孔掩膜图形层遮挡的平坦层进行刻蚀的刻蚀时间为总刻蚀时长的三分之...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，闫梁臣，周斌，刘宁，张扬，宋威，丁录科，桂学海，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11