阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，该阵列基板的制造方法包括提供一基板；在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属；在所述图案化的第一金属层上形成图案化的第一绝缘层，所述图案化的第一绝缘层具有暴露所述第一焊盘的第一通孔；在所述图案化的第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连；在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层。本方案可以增加焊盘的厚度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
迷你发光二极管(MiniLightEmittingDiode，MiniLED)显示面板具有高亮度、寿命长、功耗低、反应速度快以及稳定性好等优点，被广泛应用于社会生活中的诸多领域。通常，MiniLED可以通过表面贴装工艺(SurfaceMountedTechnology，SMT)焊接在MiniLED阵列基板的焊盘上，从而得到MiniLED显示面板。然而，由于受到MiniLED阵列基板的制程限制，焊盘的厚度一般不超过1毫米。由于焊盘过薄，在将MiniLED通过SMT焊接在MiniLED阵列基板的焊盘上时，焊盘易被锡膏腐蚀透。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，可以增加焊盘的厚度。第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：提供一基板；在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属；在所述图案化的第一金属层上形成图案化的第一绝缘层，所述图案化的第一绝缘层具有暴露所述第一焊盘的第一通孔；在所述图案化的第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连；在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，在所述在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层之后，还包括：在所述遮光层上形成一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔，所述第二通孔与所述第二焊盘对应，所述第二通孔暴露所述第二焊盘。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，在所述遮光层上形成一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔之后，还包括：在所述第二通孔处设置发光单元，所述发光单元通过所述第二通孔与所述第二焊盘相连。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，所述在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层，包括：在所述图案化的第二金属层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成透明电极层；在所述透明电极层上形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层上形成遮光层。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，在所述在所述图案化的第二金属层上形成第二绝缘层之后，在所述在所述第二绝缘层上形成透明电极层之前，还包括：在所述第二绝缘层上形成暴露所述导电金属的第三通孔。在本申请实施例提供的阵列基板的制造方法中，在所述在所述第二绝缘层上形成透明电极层之后，在所述在所述透明电极层上形成第三绝缘层之前，还包括：对所述透明电极层进行蚀刻，以形成图案化的透明电极层，所述图案化的透明电极层包括透明电极，所述透明电极通过所述第三通孔与所述导电金属相连。第二方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：基板；第一金属层，所述金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上，所述第一绝缘层上设置有暴露所述第一焊盘的第一通孔；半导体层，所述半导体层设置于所述第一绝缘层上；第二金属层，所述第二金属层设置于所述半导体层上，所述第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上；透明电极层，所述透明电极层设置于所述第二绝缘层上；第三绝缘层，所述第三绝缘层设置于所述透明电极层上；遮光层，所述遮光层设置于所述第三绝缘层上。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述遮光层上设置有一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔，所述第二通孔与所述第二焊盘对应，所述第二通孔暴露所述第二焊盘。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述透明电极层包括透明电极，所述第二绝缘层上设置有暴露所述导电金属的第三通孔，所述透明电极通过所述第三通孔与所述导电金属相连。第三方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。由上，本申请实施例提供的阵列基板的制造方法包括提供一基板；在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属；在所述图案化的第一金属层上形成图案化的第一绝缘层，所述图案化的第一绝缘层具有暴露所述第一焊盘的第一通孔；在所述图案化的第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连；在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层。本方案可以增加焊盘的厚度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的阵列基板的制造方法的流程示意图。图2是本申请实施例提供的阵列基板的第一中间产物的结构示意图。图3是本申请实施例提供的阵列基板的第一中间产物的结构示意图。图4是本申请实施例提供的阵列基板的第二中间产物的结构示意图。图5是本申请实施例提供的阵列基板的第三中间产物的结构示意图。图6是本申请实施例提供的阵列基板的第四中间产物的结构示意图。图7是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法及阵列基板，以下将分别进行详细说明。请参阅图1，图1是本申请实施例提供的阵列基板的制造方法的流程示意图。可以理解的是，通过该阵列基板1的制造方法可以形成如图7所示的阵列基板1。该阵列基板1的制造方法的具体流程可以如下：101、提供一基板10。其中，该基板10的材料可以包括玻璃、石英或蓝宝石等，需要说明的是，基板10的材料包括但不限于以上材料，其还可以包括其他材料，比如聚酰亚胺等，在此不再一一列举。102、在基板10上形成图案化的第一金属层20，图案化的第一金属层20包括栅极21、第一焊盘22和导电金属23。具体的，可以如图2所示，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一基板；/n在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属；/n在所述图案化的第一金属层上形成图案化的第一绝缘层，所述图案化的第一绝缘层具有暴露所述第一焊盘的第一通孔；/n在所述图案化的第一绝缘层上形成半导体层；/n在所述半导体层上形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连；/n在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属；
在所述图案化的第一金属层上形成图案化的第一绝缘层，所述图案化的第一绝缘层具有暴露所述第一焊盘的第一通孔；
在所述图案化的第一绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连；
在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层。


2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层之后，还包括：
在所述遮光层上形成一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔，所述第二通孔与所述第二焊盘对应，所述第二通孔暴露所述第二焊盘。


3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述遮光层上形成一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔之后，还包括：
在所述第二通孔处设置发光单元，所述发光单元通过所述第二通孔与所述第二焊盘相连。


4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层，包括：
在所述图案化的第二金属层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成透明电极层；
在所述透明电极层上形成第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成遮光层。


5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述在所述图案化的第二金属层上形成第二绝缘层之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，赵锐，李嘉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44