OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。该OLED阵列基板的一具体实施方式包括：衬底；形成在衬底上的阳极；围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层；形成在所述阳极上的OLED发光层；形成在所述像素界定层上的钝化层，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。该实施方式可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下，形成尖端放电而导致的暗点不良。

【技术实现步骤摘要】
OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
如图1所示，现有OLED阵列基板的结构为：衬底10；形成在衬底10上的薄膜晶体管层20；形成在薄膜晶体管层20上的平坦化层(PLN)30；形成在平坦化层30上的阳极(Anode)40及围绕并覆盖阳极40边缘的像素界定层(PDL)50；形成在阳极40上的OLED发光层60；形成在像素界定层50上的支撑层(PS)70；覆盖像素界定层50、OLED发光层60及支撑层70的阴极80。其中，阳极40边缘保护层仅有像素界定层50，在阳极40由于工艺原因发生如图2所示的边缘翘起的情况下，由于阳极40边缘翘起使得阳极40边缘与阴极80之间的膜层偏薄，极容易形成尖端放电，从而引发暗点不良，影响显示质量。因此，需要提供一种新的OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：本专利技术第一方面提供了一种OLED阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成薄膜晶体管层；在薄膜晶体管层上形成平坦化层；在平坦化层上形成阳极和像素界定层，其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘；在所述阳极上形成OLED发光层；在所述像素界定层上形成钝化层，其中，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。采用本专利技术第一方面提供的制备方法制备的OLED阵列基板，通过加厚阳极边缘的保护层，可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。可选地，在形成阴极之前，还包括：在所述像素界定层上形成支撑层，其中，所述阴极覆盖所述支撑层。可选地，所述钝化层的厚度小于所述支撑层的厚度。可选地，仅在被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置形成所述钝化层。可选地，采用镀膜工艺形成所述钝化层。可选地，所述钝化层由SiO2或Si3N4形成。本专利技术第二方面提供了一种OLED阵列基板，包括：衬底；形成在衬底上的阳极；围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层；形成在所述阳极上的OLED发光层；形成在所述像素界定层上的钝化层，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。本专利技术第二方面提供的OLED阵列基板，通过加厚阳极边缘的保护层，可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。可选地，还包括：形成在所述像素界定层上的支撑层，其中，所述钝化层的厚度小于等于所述支撑层的厚度。可选地，所述钝化层仅形成于被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置。本专利技术第三方面提供了一种显示面板，包括本专利技术第二方面提供的OLED阵列基板。本专利技术第四方面提供了一种显示装置，包括本专利技术第三方面提供的显示面板。本专利技术的有益效果如下：本专利技术可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明：图1示出现有的OLED阵列基板的截面图。图2示出现有的OLED阵列基板中阳极发生边缘翘起的截面图。图3示出本专利技术实施例提供的OLED阵列基板的截面图。图4示出本专利技术实施例提供的OLED阵列基板中阳极发生边缘翘起的截面图。附图标记：10—衬底；20—薄膜晶体管层；30—平坦化层；40—阳极；50—像素界定层；60—OLED发光层；70—支撑层；80—阴极；90—钝化层；31—开孔。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术，下面结合优选实施例和附图对本专利技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本专利技术的保护范围。本专利技术中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本专利技术的教导。在本专利技术中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。在本专利技术中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。如图3所示，本专利技术一个实施例提供了一种OLED阵列基板，包括：衬底10；形成在衬底10上的薄膜晶体管层20；形成在薄膜晶体管层20上的平坦化层30；形成在平坦化层30上的阳极40；围绕并覆盖所述阳极40边缘的像素界定层50；形成在所述阳极40上的OLED发光层60；形成在所述像素界定层50上的钝化层(PVX)90，所述钝化层90在所述衬底10上的正投影覆盖被所述像素界定层50覆盖的阳极40边缘在所述衬底10上的正投影；形成在所述像素界定层50上的支撑层70；阴极80，覆盖所述钝化层90、OLED发光层60和支撑层70。本实施例提供的OLED阵列基板，通过钝化层90加厚阳极40边缘的保护层，即使阳极40由于工艺原因发生如图4所示的边缘翘起的情况也可保证阳极40边缘的保护层厚度，可有效防止在由于工艺原因使阳极40发生边缘翘起的情况下形成尖端放电而导致的暗点不良，保证了显示质量。在本实施例的一些可选地实现方式中，所述钝化层90的厚度小于等于所述支撑层70的厚度，以使得支撑层70可充分起到支撑作用。在本实施例的一些可选地实现方式中，所述钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成薄膜晶体管层；/n在薄膜晶体管层上形成平坦化层；/n在平坦化层上形成阳极和像素界定层，其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘；/n在所述阳极上形成OLED发光层；/n在所述像素界定层上形成钝化层，其中，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；/n形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成薄膜晶体管层；
在薄膜晶体管层上形成平坦化层；
在平坦化层上形成阳极和像素界定层，其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘；
在所述阳极上形成OLED发光层；
在所述像素界定层上形成钝化层，其中，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；
形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成阴极之前，还包括：
在所述像素界定层上形成支撑层，其中，所述阴极覆盖所述支撑层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述钝化层的厚度小于所述支撑层的厚度。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，
仅在被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置形成所述钝化层。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
采用镀膜工艺形成所述钝化层。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：马玲玲，刘亮亮，彭利满，米红玉，闫晓峰，高乐，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11