OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。该OLED阵列基板的一具体实施方式包括：衬底；形成在衬底上的阳极；围绕并覆盖所述阳极边缘的像素界定层；形成在所述阳极上的OLED发光层；形成在所述像素界定层上的钝化层，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。该实施方式可有效防止在由于工艺原因使阳极发生边缘翘起的情况下，形成尖端放电而导致的暗点不良。

【技术实现步骤摘要】
OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
如图1所示，现有OLED阵列基板的结构为：衬底10；形成在衬底10上的薄膜晶体管层20；形成在薄膜晶体管层20上的平坦化层(PLN)30；形成在平坦化层30上的阳极(Anode)40及围绕并覆盖阳极40边缘的像素界定层(PDL)50；形成在阳极40上的OLED发光层60；形成在像素界定层50上的支撑层(PS)70；覆盖像素界定层50、OLED发光层60及支撑层70的阴极80。其中，阳极40边缘保护层仅有像素界定层50，在阳极40由于工艺原因发生如图2所示的边缘翘起的情况下，由于阳极40边缘翘起使得阳极40边缘与阴极80之间的膜层偏薄，极容易形成尖端放电，从而引发暗点不良，影响显示质量。因此，需要提供一种新的OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，以解决现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成薄膜晶体管层；/n在薄膜晶体管层上形成平坦化层；/n在平坦化层上形成阳极和像素界定层，其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘；/n在所述阳极上形成OLED发光层；/n在所述像素界定层上形成钝化层，其中，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；/n形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成薄膜晶体管层；
在薄膜晶体管层上形成平坦化层；
在平坦化层上形成阳极和像素界定层，其中所述像素界定层围绕所述阳极并覆盖所述阳极的边缘；
在所述阳极上形成OLED发光层；
在所述像素界定层上形成钝化层，其中，所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖被所述像素界定层覆盖的阳极边缘在所述衬底上的正投影；
形成阴极，覆盖所述钝化层和OLED发光层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成阴极之前，还包括：
在所述像素界定层上形成支撑层，其中，所述阴极覆盖所述支撑层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述钝化层的厚度小于所述支撑层的厚度。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，
仅在被所述像素界定层覆盖的阳极边缘对应的位置形成所述钝化层。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
采用镀膜工艺形成所述钝化层。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：马玲玲，刘亮亮，彭利满，米红玉，闫晓峰，高乐，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11