阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，通过以图案化黑色负性光阻层作为蚀刻阻挡层蚀刻第二绝缘层，使得用于传输电信号且与源漏电极同层的第二导电件显露，第二导电件替代传统技术中的氧化铟锡以与驱动芯片电性连接，减小形成氧化铟锡的制程，且减少使用一个光罩，简化制程，节约生产成本且提高生产效率。另外，图案化黑色负性光阻层作为蚀刻阻挡层在第二绝缘层干法蚀刻过程不会造成对蚀刻设备的污染，图案化黑色负性光阻层在第二绝缘层蚀刻后不会出现变形。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
微型化发光二极管发展成未来显示技术的热点之一，和目前的液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器件相比，微型化发光二极管具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势，但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术巨量转移技术、发光二极管颗粒微型化成为技术瓶颈，而亚毫米发光二极管(Mini-LED)作为微型化发光二极管与背板结合的产物，具有高对比度、高显色性能等可与有机发光二极管相媲美的特点，成本仅为有机发光二极管的60％左右，相对有机发光二极管更易实施，所以亚毫米发光二极管成为各大面板厂商布局热点。如图1所示，其为传统亚毫米发光二极管(Mini-LED)背光模组的示意图。传统亚毫米发光二极管背光模组包括：基板200；形成于基板200上的栅极2011以及第一导电件2012；覆盖基板200、栅极2011以及第一导电件2012的栅极绝缘层202；形成于栅极绝缘层202且对应栅极2011设置的有源层203；形成于有源层203上的源漏电极(2041，2042)以及栅极绝缘层202上的导电电极2043；覆盖源漏电极(2041，2042)以及栅极绝缘层202且使导电电极2043显露的层间绝缘层205；形成于层间绝缘层205上且通过层间绝缘层205以及栅极绝缘层202上的过孔与第一导电件2012电连接的氧化铟锡层206；形成于层间绝缘层205上的遮光层207。传统亚毫米发光二极管背光模组存在制程繁多的缺点。因此，有必要提出一种技术方案以解决传统亚毫米发光二极管存在制程繁多的问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以简化阵列基板及显示装置的生产制程。为实现上述目的，本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括如下步骤：于基板上形成第一导电层，利用第一次构图工艺图案化所述第一导电层得第一图案化导电层，所述第一图案化导电层包括栅极以及第一导电件；形成覆盖所述第一图案化导电层以及所述基板的第一绝缘层；形成覆盖所述第一绝缘层的半导体层，利用第二次构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层以及所述半导体层的过孔，所述过孔对应所述第一导电件设置；于所述半导体层远离所述基板的一侧以及所述过孔中形成第二导电层，利用第三次构图工艺图案化所述第二导电层以及所述半导体层，形成有源层、第二导电件、源漏电极以及导电电极，所述第二导电件通过所述过孔与所述第一导电件电连接；形成覆盖所述第二导电件、源漏电极、所述有源层、导电电极以及所述第一绝缘层的第二绝缘层；形成覆盖所述第二绝缘层的黑色负性光阻层，利用第四次构图工艺去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述黑色负性光阻层，得图案化黑色负性光阻层；以所述图案化黑色负性光阻层为蚀刻阻挡层，干法蚀刻去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述第二绝缘层，得所述阵列基板。在上述阵列基板的制造方法中，所述第二绝缘层为氮化硅层。在上述阵列基板的制造方法中，所述黑色负性光阻层的厚度为0.5微米-200微米，所述第二绝缘层的厚度为600埃-2000埃。在上述阵列基板的制造方法中，所述干法蚀刻去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述第二绝缘层包括如下步骤：采用干法蚀刻以10000埃/min-10500埃/min的蚀刻速率蚀刻去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述第二绝缘层。在上述阵列基板的制造方法中，所述第二导电层包括第一子导电层、第二子导电层以及第三子导电层，所述第二子导电层位于所述第一子导电层和所述第三子导电层之间，所述第一子导电层靠近所述基板，所述第三子导电层远离所述基板，所述第三子导电层和所述第一子导电层的制备材料选自MoTiNi合金、MoNbTa合金、Mo、Ti以及Ni中的任意一种，所述第二子导电层的制备材料为铜或铜合金。在上述阵列基板的制造方法中，所述第三子导电层和所述第一子导电层的制备材料为MoTiNi合金或MoNbTa合金，所述第二子导电层的制备材料为铜。一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；于所述基板上形成的第一图案化导电层，所述第一图案化导电层包括栅极以及第一导电件；覆盖所述第一图案化导电层以及所述基板的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层远离所述基板一侧的图案化半导体层，所述图案化半导体层包括有源层；形成于所述图案化半导体层远离所述基板一侧的第二图案化导电层，所述第二图案化导电层包括第二导电件、源漏电极以及导电电极，所述第二导电件通过所述第一绝缘层和所述图案化半导体层上连通的过孔与所述第一导电件电性连接；覆盖所述第一绝缘层、所述源漏电极、所述有源层且使所述第二导电件以及所述导电电极显露的第二绝缘层；形成于所述第二绝缘层上且使所述第二导电件以及所述导电电极显露的图案化黑色负性光阻层。在上述阵列基板中，所述第二绝缘层为氮化硅层。在上述阵列基板中，所述第二图案化导电层包括第一子图案化导电层、第二子图案化导电层以及第三子图案化导电层，所述第二子图案化导电层位于所述第一子图案导电层和所述第三子图案化导电层之间，所述第一子图案化导电层靠近所述基板，所述第三子图案化导电层远离所述基板，所述第三子图案化导电层和所述第一子图案化导电层的制备材料均为MoTiNi合金或MoNbTa合金，所述第二子图案化导电层的制备材料为铜。一种显示装置，所述显示装置包括上述阵列基板。有益效果：本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，通过以图案化黑色负性光阻层作为蚀刻阻挡层蚀刻第二绝缘层，使得用于传输电信号且与源漏电极同层的第二导电件显露，第二导电件替代传统技术中的氧化铟锡以与驱动芯片电性连接，减小形成氧化铟锡的制程，且减少使用一个光罩，简化制程，节约生产成本且提高生产效率。另外，经实验验证，图案化黑色负性光阻层作为蚀刻阻挡层在第二绝缘层干法蚀刻过程不会造成对蚀刻设备的污染，图案化黑色负性光阻层在第二绝缘层蚀刻后不会出现变形。进一步地，对黑色负性光阻层的厚度以及第二绝缘层的厚度进行优选，以保证黑色负性光阻层在第二绝缘层干法蚀刻后的有效厚度。进一步地，对第二导电层的材料以及组成进行优选，提高第二导电件以及导电电极的抗氧化性以及导电性，避免在黑色负性光阻层制程图案化的烘烤制程中第二导电件以及导电电极氧化，铟锡焊接于导电电极上的发光二极管的焊接效果，且第二导电层的导电性比氧化铟锡的导电性更好，有利于降低第二导电件的阻抗，提高信号的传输能力。附图说明图1为传统亚毫米发光二极管背光模组的示意图；图2为本申请实施例阵列基板的制造方法的流程图；图3A-3G为按照图2所示流程图制造阵列基板的过程示意图；图4为图案化黑色负性光阻层在第二绝缘层经过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n于基板上形成第一导电层，利用第一次构图工艺图案化所述第一导电层得第一图案化导电层，所述第一图案化导电层包括栅极以及第一导电件；/n形成覆盖所述第一图案化导电层以及所述基板的第一绝缘层；/n形成覆盖所述第一绝缘层的半导体层，利用第二次构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层以及所述半导体层的过孔，所述过孔对应所述第一导电件设置；/n于所述半导体层远离所述基板的一侧以及所述过孔中形成第二导电层，利用第三次构图工艺图案化所述第二导电层以及所述半导体层，形成有源层、第二导电件、源漏电极以及导电电极，所述第二导电件通过所述过孔与所述第一导电件电连接；/n形成覆盖所述第二导电件、源漏电极、所述有源层、导电电极以及所述第一绝缘层的第二绝缘层；/n形成覆盖所述第二绝缘层的黑色负性光阻层，利用第四次构图工艺去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述黑色负性光阻层，得图案化黑色负性光阻层；/n以所述图案化黑色负性光阻层为蚀刻阻挡层，干法蚀刻去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述第二绝缘层，得所述阵列基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
于基板上形成第一导电层，利用第一次构图工艺图案化所述第一导电层得第一图案化导电层，所述第一图案化导电层包括栅极以及第一导电件；
形成覆盖所述第一图案化导电层以及所述基板的第一绝缘层；
形成覆盖所述第一绝缘层的半导体层，利用第二次构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层以及所述半导体层的过孔，所述过孔对应所述第一导电件设置；
于所述半导体层远离所述基板的一侧以及所述过孔中形成第二导电层，利用第三次构图工艺图案化所述第二导电层以及所述半导体层，形成有源层、第二导电件、源漏电极以及导电电极，所述第二导电件通过所述过孔与所述第一导电件电连接；
形成覆盖所述第二导电件、源漏电极、所述有源层、导电电极以及所述第一绝缘层的第二绝缘层；
形成覆盖所述第二绝缘层的黑色负性光阻层，利用第四次构图工艺去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述黑色负性光阻层，得图案化黑色负性光阻层；
以所述图案化黑色负性光阻层为蚀刻阻挡层，干法蚀刻去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述第二绝缘层，得所述阵列基板。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层为氮化硅层。


3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述黑色负性光阻层的厚度为0.5微米-200微米，所述第二绝缘层的厚度为600埃-2000埃。


4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述干法蚀刻去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述第二绝缘层包括如下步骤：
采用干法蚀刻以10000埃/min-10500埃/min的蚀刻速率蚀刻去除所述第二导电件以及所述导电电极对应的所述第二绝缘层。


5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层包括第一子导电层、第二子导电层以及第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，张鑫，肖军城，曹丹，刘俊领，胡小波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44