作为用于有机场效应晶体管的有机半导体用可溶性光裂解前体的DNTT锍盐及相关化合物制造技术

本发明专利技术提供一种包括半导体层的电子器件的制造工艺，该制造工艺包括：步骤i)，将包含至少一个化学式(1A)‑(1B)‑(1C)的化合物的组合物涂布于电子器件的前体上，以形成层；及步骤ii)，对上述步骤i)的层进行光处理，以形成半导体层，另外，本发明专利技术提供化学式1A、1B或1C的化合物、至少包括化学式1A、1B或1C的化合物的组合物及使用化学式1A、1B及1C的化合物中的至少一种作为有机半导体材料的光裂解前体的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为用于有机场效应晶体管的有机半导体用可溶性光裂解前体的DNTT锍盐及相关化合物
本专利技术涉及一种电子器件，优选地，涉及有机场效应晶体管的制造工艺，且涉及作为有机半导体材料的前体的锍化合物和包括上述化合物的组合物。
技术介绍
有机半导体材料可以用于如有机太阳能电池(organicphotovoltaic，OPV)、有机场效应晶体管(organicfield-effecttransistors，OFETs)、有机发光二极管(organicligthemittingdiodes，OLEDs)及有机电致变色器件(organicelectrochromicdevices，ECDs)等的电子器件。上述有机半导体材料是从加工性(processability)观点而言液相工艺方便，因此可以实现基于低成本的有机半导体材料的电子器件的产生，因此优选地，与如旋涂等的液相工艺(liquidprocessing)技术兼容。因此可以生产重量轻且机械柔性的有机半导体材料基电子器件。而且，可以对半导体层或半导体层的前体层进行光学图案化(photop本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括半导体层的电子器件的制造工艺，包括：/n步骤i)，将包含下述化学式/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171121 EP 17202733.61.一种包括半导体层的电子器件的制造工艺，包括：
步骤i)，将包含下述化学式

及
的化合物中的至少一种的组合物涂布于上述电子器件的前体上，以形成层；及
步骤ii)，对上述步骤i)的层进行光处理，以形成半导体层，
其中，Ar1为C6-14-芳基或5至14元杂芳基，上述C6-14-芳基或5至14元杂芳基被独立地选自由C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基及S-C1-30-烷基组成的组中的1至3个取代基取代，上述C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基及S-C1-30-烷基中的1至4个CH2基独立地被O、S、NR1或CO取代，上述R1为H或C1-10-烷基，
A为包括以#标示的C原子的C6-18芳环系或包括以#标示的C原子的5至17元杂芳环系，上述C6-18芳环系和5至17元杂芳环系被独立地选自由C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基及S-C1-30-烷基组成的组中的1至5个取代基取代，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基及S-C1-30-烷基中的1至4个CH2基被O、S、NRa或CO取代，上述Ra为H或C1-10-烷基，
B为包括以*标示的C原子的C6-14芳环系或包括以*标示的C原子的5至14元杂芳环系，上述C6-14芳环系和5至14元杂芳环系被独立地选自由C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基及S-C1-30-烷基组成的组中的1至5个取代基取代，C1-30-烷基、C2-30-烯基、C2-30-炔基、O-C1-30-烷基及S-C1-30-烷基中的1至4个CH2基独立地被O、S、NRb或CO取代，上述Rb为H或C1-10-烷基，
X-为有机或无机阴离子。


2.根据权利要求1所述的工艺，其中，
Ar1为C6-14-芳基或5至14元杂芳基，上述C6-14-芳基或5至14元杂芳基被1至3个C1-30-烷基取代基取代，5至14元杂芳基包括独立地选自由S及O组成的组中的1至4个杂原子，
A为包括以#标示的C原子的C6-18芳环系或包括以#标示的C原子的5至17元杂芳环系，C6-18芳环系和5至17元杂芳环系被1至3个C1-30-烷基取代基取代，5至17元杂芳环系被1至3个C1-30-烷基取代基取代，5至17元杂芳环系包括独立地选自由S及O组成的组中的1至4个杂原子，
B为包括以*标示的C原子的C6-14芳环系或包括以*标示的C原子的5至14元杂芳环系，C6-14芳环系和5至14元杂芳环系被1至3个C1-30-烷基取代基取代，5至14元杂芳环系包括独立地选自由S及O组成的组中的1至4个杂原子，
X-为有机或无机阴离子。


3.根据权利要求2所述的工艺，其中，
Ar1为苯基、萘基或噻吩基，上述苯基、萘基及噻吩基被C3-20-烷基取代，
A为包括以#标示的C原子的5至17元杂芳环系，5至17元杂芳环系被1至3个C1-30-烷基取代基取代且包括独立地选自由S及O组成的组中的1至4个杂原子，
B为包括以*标示的C原子的C6-14芳环系或包括以*标示的C原子的5至14元杂芳环系，C6-14芳环系和5至14元杂芳环系被1至3个C1-30-烷基取代基取代，5至14元杂芳环系包括独立地选自由S及O组成的组中的1至4个杂原子，
X-为有机或无机阴离子。


4.根据权利要求1所述的工艺，包括：
上述组合物包括下述化学式



的化合物中的至少一种，
其中，Ar1为苯基、萘基或噻吩基，上述苯基、萘基及噻吩基被1个C3-20-烷基取代，
B为包括以*标示的C原子的C6-14芳环系或包括以*标示的C原子的5至14元杂芳环系，上述C6-14芳环系和5至14元杂芳环系被1至3个C1-30-烷基取代基取代，上述5至14元杂芳环系包括独立地选自由S及O组成的组中的1至4个杂原子，
R10和R11独立地为H或C1-30-烷基，或R10和R11与以@标示的C原子一起形成5至14元杂芳环系，上述C6-14-芳环系和5至14元杂芳环系被1至2个C1-30-烷基取代基取代，5至14元杂芳环系包括1至2个杂原子S，
X-为有机或无机阴离子。


5.根据权利要求4所述的工艺，其中，
Ar1为苯基、萘基或噻吩基，上述苯基、萘基及噻吩基被1个C3-20-烷基取代，
B为包括以*标示的C原子的C6-10芳环系，上述C6-10-芳环系被1至3个C1-30-烷基取代基取代，
R10和R11与以@标示的C原子一起形成C6-14-芳环系，上述C6-14-...

【专利技术属性】
技术研发人员：山户齐，津田拓哉，堂依伊织，法比安·尼科尔森，
申请(专利权)人：CLAP有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR