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本发明提供一种包括半导体层的电子器件的制造工艺，该制造工艺包括：步骤i)，将包含至少一个化学式(1A)‑(1B)‑(1C)的化合物的组合物涂布于电子器件的前体上，以形成层；及步骤ii)，对上述步骤i)的层进行光处理，以形成半导体层，另外，本...
该专利属于CLAP有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过CLAP有限公司授权不得商用。

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