作为电介质的乙烯醚类聚合物制造技术

本发明专利技术提供包括下述化学式1的单位的聚合物、[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为电介质的乙烯醚类聚合物
本专利技术涉及乙烯醚类聚合物、包括上述聚合物的组合物、用于制备上述聚合物的工艺、包括上述聚合物的电子器件、用于制备上述电子器件的工艺及上述聚合物作为介电材料的用途。
技术介绍
介电材料可以应用于如场效应晶体管(FieldEffectTransistors，FETs)等的各种电子器件。场效应晶体管可以用于如显示器、大面积传感器及射频识别(RFID)标签等需要电子功能的应用领域中。场效应晶体管包含通过薄介电层与栅电极分离的半导体层。当在栅电极和附接到上述半导体的电极例如源电极之间施加电压时，在半导体/电介质界面附近的半导体产生薄的移动电荷(mobileelectroniccharges)。该电荷层保持位于栅极层上的(极性相反的)电极的平衡。通过调节(tuning)栅极-源极电压，半导体沟道的电荷密度可以在较宽的范围内被调整(modulated)，结果，电荷载流子(charge-carrier)沟道的电导率会发生急剧变化。通过附着于上述半导体的另一个电极(漏电极)，可以简单地调节栅极-源极电压来在较宽的范围内有效地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚合物，其特征在于，包括下述化学式1的单位：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180626 EP 18179713.51.一种聚合物，其特征在于，包括下述化学式1的单位：
[化学式1]



在上述化学式1中，
X1和X2独立地为O或S，
L1为连接基，
R1、R2、R3、R4及R5独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基、C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C5-7-环烷基、O-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的O-C5-7-环烷基、C(O)-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C5-7-环烷基、C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C6-14-芳基、O-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的O-C6-14-芳基、C(O)-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C6-14-芳基、5至14元杂芳基及被一个以上Rb取代基取代的5至14元杂芳基组成的组中；
或者，
R1和R2与它们所键合的碳原子一起形成5至6元环或被一个以上Rc取代基取代的5至6元环，R3、R4及R5独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基、C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C5-7-环烷基、O-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的O-C5-7环烷基、C(O)-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C5-7-环烷基、C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C6-14-芳基、O-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的O-C6-14-芳基、C(O)-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C6-14-芳基、5至14元杂芳基及被一个以上Rb取代基取代的5至14元杂芳基组成的组中；
或者，
R2和R3与它们所键合的碳原子一起形成5至6元环或被一个以上Rc取代基取代的5至6元环，R1、R4及R5独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基、C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C5-7-环烷基、O-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的O-C5-7-环烷基、C(O)-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C5-7-环烷基、C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C6-14-芳基、O-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的O-C6-14-芳基、C(O)-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C6-14-芳基、5至14元杂芳基及被一个以上Rb取代基取代的5至14元杂芳基组成的组中；
或者，
R3和R4与它们所键合的碳原子一起形成5至6元环或被一个以上Rc取代基取代的5至6元环，R1、R2及R5独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基、C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C5-7-环烷基、O-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的O-C5-7-环烷基、C(O)-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C5-7-环烷基、C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C6-14-芳基、O-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的O-C6-14-芳基、C(O)-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C6-14-芳基、5至14元杂芳基及被一个以上Rb取代基取代的5至14元杂芳基组成的组中；
或者，
R4和R5与它们所键合的碳原子一起形成5至6元环或被一个以上Rc取代基取代的5至6元环，
R1、R2及R3独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基、C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C5-7-环烷基、O-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的O-C5-7-环烷基、C(O)-C5-7-环烷基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C5-7-环烷基、C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C6-14-芳基、O-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的O-C6-14-芳基、C(O)-C6-14-芳基、被一个以上Rb取代基取代的C(O)-C6-14-芳基、5至14元杂芳基及被一个以上Rb取代基取代的5至14元杂芳基组成的组中；
其中，
Ra在各个情况下选自由O-C1-20-烷基、C(O)-C1-20-烷基、C5-6-环烷基、O-C5-6-环烷基、C(O)-C5-6-环烷基、苯基、O-苯基、C(O)-苯基及5至9元杂芳基组成的组中；
Rb和Rc独立地且在各个情况下为C1-20-烷基、O-C1-20-烷基、C(O)-C1-20-烷基、C5-6-环烷基、O-C5-6-环烷基、C(O)-C5-6-环烷基、苯基、O-苯基、C(O)-苯基及5至9元杂芳基。


2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，X1和X2为O。


3.根据权利要求1或2所述的聚合物，其特征在于，L1为C1-30-亚烷基连接基。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的聚合物，其特征在于，
R1、R2、R3、R4及R5独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基及被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基组成的组中；
或者，
R1和R2与它们所键合的碳原子一起形成5至6元芳族环或被一个以上Rc取代基取代的5至6元芳族环，R3、R4及R5独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基及被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基组成的组中；
或者，
R2和R3与它们所键合的碳原子一起形成5至6元芳族环或被一个以上Rc取代基取代的5至6元芳族环，R1、R4及R5独立地选自由H、C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的C1-30-烷基、O-C1-30-烷基、被一个以上Ra取代基取代的O-C1-30-烷基、C(O)-C1-30-烷基及被一个以上Ra取代基取代的C(O)-C1-30-烷基组成的组中；
或者，
R3和R4与它们所键合的碳原子一起形成5至6元芳族环或被一...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·克尔布莱因，F·G·布鲁内蒂，G·贝克，丹尼尔·巴尔，U·伯伦斯，I·穆恩斯特，
申请(专利权)人：CLAP有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR