具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法技术

公开了高电压半导体器件及其制造方法。高电压半导体器件包括半导体衬底、栅极结构、至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构、以及至少一个第一漂移区。栅极结构设置在半导体衬底上。第一隔离结构和第二隔离结构设置在栅极结构的一侧的半导体衬底的有源区中。第二隔离结构的端部设置于第一隔离结构与栅极结构之间，并且第一隔离结构的端部设置于第一掺杂区与第二隔离结构之间。至少一个第一隔离结构的底部和至少一个第二隔离结构的底部比第一漂移区的底部深。

【技术实现步骤摘要】
具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法专利
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法。
技术介绍
在通常的金属氧化物半导体(MOS)晶体管中，因为漏极区域与栅电极重叠，因此由于栅极引发漏极泄漏(GIDL)的影响而导致在漏极区域和栅电极的重叠区域处容易发生电击穿。特别是，在闪存的外围电路的应用中，例如在3DNAND闪存中，需要用于三级单元(TLC)或四级单元(QLC)的越来越高的擦除电压，因此用于控制TLC或QLC的MOS晶体管需要较高的击穿电压。为了增加MOS晶体管的击穿电压，开发了平面高电压MOS晶体管以具有延长的漏极以呈现高击穿电压，例如漏极延长MOS(DEMOS)。开发另一种方法以在漏极中进一步具有隔离结构，以便增加漏极处的击穿电压，例如横向扩散MOS(LDMOS)。然而，这些方法扩大了MOS晶体管的顶视区域，这限制了具有MOS晶体管的器件尺寸的减小。另一种方法是制造具有阶梯形状的栅极氧化层，以增加栅电极和漏极区域之间的栅极氧化层的厚度，但是该方法需要额外的掩模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电压半导体器件，包括：/n半导体衬底，具有有源区，并且所述半导体衬底具有第一导电类型；/n栅极结构，设置在所述半导体衬底的所述有源区上；/n至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构，设置在所述栅极结构到第一掺杂区之间的所述有源区中至少一个第一漂移区，设置在所述栅极结构的一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第一漂移区具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型，/n其中，所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构在与所述栅极结构到所述第一掺杂区的第二方向垂直的第一方向上的组合的长度大于或等于所述至少一个第一漂移区在所述第一方向上的长度。/n

【技术特征摘要】
1.一种高电压半导体器件，包括：
半导体衬底，具有有源区，并且所述半导体衬底具有第一导电类型；
栅极结构，设置在所述半导体衬底的所述有源区上；
至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构，设置在所述栅极结构到第一掺杂区之间的所述有源区中至少一个第一漂移区，设置在所述栅极结构的一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第一漂移区具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型，
其中，所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构在与所述栅极结构到所述第一掺杂区的第二方向垂直的第一方向上的组合的长度大于或等于所述至少一个第一漂移区在所述第一方向上的长度。


2.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第一掺杂区，所述至少一个第一掺杂区设置在所述至少一个第一漂移区中，并且所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构设置在所述至少一个第一掺杂区和所述栅极结构之间，其中所述至少一个第一掺杂区具有所述第二导电类型。


3.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一漂移区的掺杂浓度小于所述至少一个第一掺杂区的掺杂浓度，并且所述至少一个第一隔离结构的端部沿所述第二方向设置在所述至少一个第一掺杂区和所述至少一个第二隔离结构之间。


4.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，其中穿过所述至少一个第一掺杂区的端部并与所述第二方向平行的延长线与所述至少一个第一隔离结构相交，并且穿过所述至少一个第一掺杂区的与所述至少一个第一掺杂区的所述端部相对的另一端部并且与所述第二方向平行的另一个延长线与所述至少一个第二隔离结构相交。


5.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，还包括设置在所述半导体衬底中的第三隔离结构，其中，所述第三隔离结构具有用于限定所述有源区的开口。


6.根据权利要求5所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一隔离结构或所述至少一个第二隔离结构中的至少一个连接到所述第三隔离结构。


7.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一漂移区在顶视图中围绕所述至少一个第一隔离结构或所述至少一个第二隔离结构中的至少一个。


8.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第二掺杂区，所述至少一个第二掺杂区设置在所述栅极结构的另一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第二掺杂区具有所述第二导电类型。


9.根据权利要求8所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第二漂移区，所述至少一个第二漂移区设置在所述栅极结构的所述另一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第二掺杂区设置在所述至少一个第二漂移区中，其中，所述第二漂移区具有所述第二导电类型，并且所述至少一个第二漂移区的掺杂浓度小于所述至少一个第二掺杂区的掺杂浓度。


10.根据权利要求9所述的高电压半导体器件，还包括至少一个附加隔离结构，所述至少一个附加隔离结构设置在所述至少一个第二掺杂区和所述栅极结构之间的所述半导体衬底的所述有源区中。


11.根据权利要求10所述的高电压半导体器件，其中，所述附加隔离结构包括至少一个第四隔离结构和至少一个第五隔离结构，并且所述至少一个第四隔离结构和所述至少一个第五隔离结构的布局等于所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构的布局，或者相对于所述栅极结构与所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构的布局对称。
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙超，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42