一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法，所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n

【技术实现步骤摘要】
一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法
本专利技术属于半导体器件领域，具体为一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法。
技术介绍
肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管，为一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。传统的SBD结构，在通过增大肖特基势垒高度，提升击穿电压的同时，存在增大正向导通电压、降低正向导通电流的缺点。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种采用极化掺杂的SBD二极管，所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n-型GaN层、渐变掺杂的n型AlGaN结构、嵌入所述n-型GaN层的高阻区、位于所述GaN衬底底部的阴极和位于顶部所述GaN层上的阳极，其中渐变掺杂的AlxGa1-xN结构底层为n-AlGaN层，顶层为n-GaN层，Al组分自下而上逐渐减小，其中0≤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极化掺杂的SBD二极管，其特征在于：所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n

【技术特征摘要】
1.一种极化掺杂的SBD二极管，其特征在于：所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n-型GaN层、渐变掺杂的n型AlGaN结构、嵌入所述n-型GaN层的高阻区、位于所述GaN衬底底部的阴极和位于顶部所述GaN层上的阳极，其中渐变掺杂的AlxGa1-xN结构底层为n-AlGaN层，顶层为n-GaN层，Al组分自下而上逐渐减小，其中0≤x≤1；所述高阻区上表面与顶部所述n-GaN层共面。


2.如权利要求1所述的SBD二极管，其特征在于：所述GaN衬底厚度为300μm-500μm。


3.如权利要求1所述的SBD二极管，其特征在于：所述n型GaN层厚度为5μm-12μm，所述n型GaN层为Si掺杂，掺杂的载流子浓度为5x1015cm-3-8x1018cm-3。


4.如权利要求1所述的SBD二极管，其特征在于：所述n-型GaN层厚度为0.1μm-3μm，所述n-型GaN层为Si掺杂，掺杂的载流子浓度为1x1015cm-3-9x1015cm-3。


5.如权利要求1所述的SBD二极管，其特征在于：所述渐变掺杂的n型AlxGa1-xN结构厚度为3nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：高博，刘新科，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44