一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件制造技术

本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件，其中，功率半导体器件的终端结构包括：衬底和位于衬底上的外延层；位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、金属层和钝化层，耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，截止环的外侧设有划片槽，截止环与划片槽之间的部位设有凹陷，钝化层伸入凹陷内以包覆截止环和金属层。本申请公开的功率半导体结构的终端结构，保证了器件的可靠性，能够进一步降低器件的漏电水平，有效降低器件损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件
本申请涉及半导体器件
，特别涉及一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件。
技术介绍
以IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金氧半场效晶体管)为代表的功率半导体器件是当今电力电子领域的主流器件，是弱电控制强电的关键器件，广泛应用于各种功率控制电路、驱动电路等电路中，尤其是在各种变频电机、光伏逆变及智能电网、新能源汽车、电力机车牵引驱动等领域有着不可替代的作用。功率半导体器件之所以能够迅速的取代传统的电子管等元器件成为当今的主流电力电子器件，是因为其重量轻、体积小、功耗低、可靠性高等特性。在功率半导体器件的研发过程中，也往往是将器件的功耗和可靠性作为重要的性能指标来进行要求的。因此，在进行功率半导体器件设计和制程加工的时候，如何使功率半导体器件的正向导通损耗尽可能小，同时反向截止时的漏电也尽可能小，是需要解决的问题。
技术实现思路
本申请提供了一种功率半导体器件的终端结构，能够进一步降低器件的漏电水平、有效降低器件损耗，同时保证器件的可靠性。为了达到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：/n衬底和位于所述衬底上的外延层；/n位于所述外延层内的耐压环、位于所述外延层内且位于所述耐压环外围的截止环、依次设置于所述耐压环和所述截止环上的介质层、金属层和钝化层，所述耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，/n所述截止环的外侧设有划片槽，所述截止环与所述划片槽之间的部位设有凹陷，所述钝化层伸入所述凹陷内以包覆所述截止环和所述金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：
衬底和位于所述衬底上的外延层；
位于所述外延层内的耐压环、位于所述外延层内且位于所述耐压环外围的截止环、依次设置于所述耐压环和所述截止环上的介质层、金属层和钝化层，所述耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，
所述截止环的外侧设有划片槽，所述截止环与所述划片槽之间的部位设有凹陷，所述钝化层伸入所述凹陷内以包覆所述截止环和所述金属层。


2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的终端结构，其特征在于，所述耐压环包括一个主结和多个分压环。
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【专利技术属性】
技术研发人员：曾丹，史波，刘勇强，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44