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本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件，其中，功率半导体器件的终端结构包括：衬底和位于衬底上的外延层；位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。

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