【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了提高器件的承压能力，现有技术提出了横向漂移金属氧化物半导体(LDMOS)，横向漂移金属氧化物半导体的结构包括：位于基底内的第一阱区和第二阱区，第一阱区和第二阱区的导电离子类型不同，位于第一阱区和第二阱区上的栅极结构；分别位于栅极结构两侧基底内的源端掺杂层和漏端掺杂层，漏端掺杂层位于第二阱区内，源端掺杂层位于第一阱区内，源端掺杂层和漏端掺杂层内具有源漏离子，源漏离子导电类型与第一阱区阱离子导电类型相同。然而，现有技术形成的LDMOS器件的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于衬底内的第一阱区，所述第一阱区内具有第一离子；/n位于第一阱区内的隔离层；/n位于第一阱区内的第二阱区和第三阱区，所述第二阱区和第三阱区位于所述隔离层两侧，所述第二阱区和第三阱区内具有第二离子，所述第二离子与第一离子导电类型相反，且所述第二阱区和第三阱区与隔离层的最小距离大于零；/n位于第二阱区和第一阱区上的第一栅极结构；/n位于第三阱区和第一阱区上的第二栅极结构；/n位于隔离层上的隔离栅，所述隔离栅位于第一栅极结构和第二栅极结构之间，所述隔离栅内具有第二离子；/n分别位于第二阱区和第三阱区内的源漏掺杂层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于衬底内的第一阱区，所述第一阱区内具有第一离子；
位于第一阱区内的隔离层；
位于第一阱区内的第二阱区和第三阱区，所述第二阱区和第三阱区位于所述隔离层两侧，所述第二阱区和第三阱区内具有第二离子，所述第二离子与第一离子导电类型相反，且所述第二阱区和第三阱区与隔离层的最小距离大于零；
位于第二阱区和第一阱区上的第一栅极结构；
位于第三阱区和第一阱区上的第二栅极结构；
位于隔离层上的隔离栅，所述隔离栅位于第一栅极结构和第二栅极结构之间，所述隔离栅内具有第二离子；
分别位于第二阱区和第三阱区内的源漏掺杂层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离层到第二阱区的距离与隔离层到第三阱区的距离相等。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，第一栅极结构包括第一栅氧化层和位于第一栅氧化层表面的第一栅极层；第二栅极结构包括第二栅氧化层和位于第二栅氧化层表面的第二栅极层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极层和第二栅极层的材料为多晶硅，所述第一栅极层和第二栅极层内具有第一离子。
5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极结构还延伸至隔离层上。
6.权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极结构还延伸至隔离层上。
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离栅与第一栅极结构和第二栅极结构中的一者或二者相连接。
8.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其特征在于，当所述半导体器件的为N型器件时，所述第一离子为N型离子，所述第二离子为P型离子；当所述半导体器件的为P型器件时，所述第一离子为P型离子，所述第二离子为N型离子。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离层的厚度为2000埃～2500埃。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阱区、隔离层和第三阱区沿第一方向排列；所述隔离层在所述第一方向上的宽度为0.2um～0.3um。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阱区、隔离层和第三阱区沿第一方向排列；所述隔离栅在所述第一方向上的宽度为0.2um～0.3um。
12.一种采用权利要求1至11任一项方法所形成的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在衬底内形成第一阱区，所述第一阱区内...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雪梅，陈福刚，薛允，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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