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一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：衬底；位于衬底内的第一阱区，所述第一阱区内具有第一离子；位于第一阱区内的隔离层；位于第一阱区内的第二阱区和第三阱区；所述第二阱区和第三阱区位于所述隔离层两侧，所述第二阱区和第三阱区内具有第二离子，...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。