【技术实现步骤摘要】
功率覆盖结构及其制作方法本申请是申请日为2014年3月14日的专利技术专利申请“功率覆盖结构及其制作方法”(申请号:201410094386.7,申请人:通用电气公司)的分案申请。相关申请的交叉引用本申请主张2013年3月14日提交的美国临时专利申请序列第61/784,834号的优先权,该申请的公开内容通过引用合并于本文中。
本专利技术的实施例大体上涉及用于封装半导体装置的结构和方法,并且更具体地涉及包括改善的热界面的功率覆盖(poweroverlay,POL)封装结构。
技术介绍
功率半导体装置为用作功率电子电路中的开关或整流器的半导体装置,例如开关式电源。大部分功率半导体装置仅用于通信模式(即,它们或者导通或者截止),且因此对此进行优化。许多功率半导体装置用于高电压功率应用中且被设计成携带大量电流且支持大电压。在使用中,高电压功率半导体装置经由功率覆盖(POL)封装和互连系统而连接到外部电路上。图1中示出了现有技术的功率覆盖(POL)结构10的总体结构。用于POL结构10的标准制造过程通常以将一个或多个功率半导体装置12通过粘合剂16置于介电层14上来开始。金属互连件18(例如,铜互连件)然后电镀到介电层14上来形成与功率半导体装置12的直接金属连接。金属互连件18可为低轮廓(例如,小于200微米厚)平坦互连结构的形式,其提供往返于功率半导体装置12的输入/输出(I/O)系统20的形成。为了连接到外部电路上,如,通过产生与印刷电路板的第二级互连,例如,目前的POL封装件使用焊球栅阵 ...
【技术保护点】
1.一种用于功率覆盖结构的模块,包括:/n介电层;/n第一构件,其具有限定在其第一表面和第二表面之间的高度,其中,所述第一构件的第一表面附接到所述介电层;/n至少一个另外的构件,其具有限定在其第一表面和第二表面之间的高度,其中,所述至少一个另外的构件的第一表面附接到所述介电层;和/n传导垫片组件,其具有顶表面、底表面和至少一个传导接触层,其中,所述传导垫片组件的底表面的第一部分经由所述至少一个传导接触层耦联到所述第一构件的第二表面,且所述传导垫片组件的底表面的第二部分经由所述至少一个传导接触层耦联到所述至少一个另外的构件的第二表面;/n其中,所述传导垫片组件的底表面的第一部分定位在所述模块内的第一高度处,且所述传导垫片组件的底表面的第二部分定位在所述模块内的第二高度处,所述第一高度不同于所述第二高度;并且/n其中,所述至少一个传导接触层中的仅一个传导接触层定位在所述传导垫片组件的顶表面与所述至少一个另外的构件的第二表面之间。/n
【技术特征摘要】
20130314 US 61/784834;20130520 US 13/8976381.一种用于功率覆盖结构的模块,包括:
介电层;
第一构件,其具有限定在其第一表面和第二表面之间的高度,其中,所述第一构件的第一表面附接到所述介电层;
至少一个另外的构件,其具有限定在其第一表面和第二表面之间的高度,其中,所述至少一个另外的构件的第一表面附接到所述介电层;和
传导垫片组件,其具有顶表面、底表面和至少一个传导接触层,其中,所述传导垫片组件的底表面的第一部分经由所述至少一个传导接触层耦联到所述第一构件的第二表面,且所述传导垫片组件的底表面的第二部分经由所述至少一个传导接触层耦联到所述至少一个另外的构件的第二表面;
其中,所述传导垫片组件的底表面的第一部分定位在所述模块内的第一高度处,且所述传导垫片组件的底表面的第二部分定位在所述模块内的第二高度处,所述第一高度不同于所述第二高度;并且
其中,所述至少一个传导接触层中的仅一个传导接触层定位在所述传导垫片组件的顶表面与所述至少一个另外的构件的第二表面之间。
2.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述第一构件和所述至少一个另外的构件包括半导体装置。
3.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述第一构件的第一表面具有形成于其上的至少一个接触垫;并且
其中,所述至少一个另外的构件的第一表面具有形成于其上的至少一个接触垫。
4.根据权利要求3所述的模块,其特征在于,所述模块还包括金属互连结构,所述金属互连结构延伸穿过所述介电层并且电性地耦联到所述第一构件的所述至少一个接触垫和所述至少一个另外的构件的所述至少一个接触垫。
5.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述至少一个传导接触层中的仅一个传导接触层定位在所述传导垫片组件的顶表面与所述第一构件的第二表面之间。
6.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述传导垫片组件包括至少一个传导垫片,所述传导垫片具有导电元件;并且
其中,所述至少一个传导接触层耦联到所述至少一个传导垫片并且包括焊料材料、传导粘合剂和烧结的银层中的一者。
7.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述模块还包括耦联到所述传导垫片组件的顶表面的热界面。
8.根据权利要求7所述的模块,其特征在于,所述热界面是导热的。
9.根据权利要求7所述的模块,其特征在于,所述模块还包括:封装件,其在所述介电层与所述热界面之间的空间中围绕所述第一构件、所述至少一个另外的构件以及所述传导垫片组件定位。
10.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述至少一个另外的构件包括:
耦联到所述传导垫片组件的第二构件;和
与所述传导垫片组件解耦的电气装置。
11.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述第一构件包括第一半导体装置;
其中所述至少一个另外的构件包括:
第二半导体装置,其耦联到所述传导垫片组件的底表面的第二部分;和
第三半导体装置,其耦联到所述传导垫片组件的底表面的第三部分;并且
其中,所述第一半导体装置、所述第二半导体装置和所述第三半导体装置具有不同的高度。
12.根据权利要求11所述的模块,其特征在于,所述传导垫片组件包括:
第一传导垫片,其耦联到所述第一半导体装置;
第二传导垫片,其耦联到所述第二半导体装置和所述第一传导垫片;和
第三传导垫片,其耦联到第三半导体装置和所述第一传导垫片;
其中,所述第二传导垫片的厚度不同于第三传导垫片的厚度。
13.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述传导垫片组件包括具有阶梯构型的传导垫片;并且
其中,所述至少一个传导接触层包括:
第一传导接触层,其将所述第一构件耦...
【专利技术属性】
技术研发人员:AV高达,SS乔汉,PA麦康奈利,
申请(专利权)人:通用电气公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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