包括锚固结构的半导体封装制造技术

技术编号:25189872 阅读:62 留言:0更新日期:2020-08-07 21:16
包括锚固结构的半导体封装。一种半导体封装包括封装基板以及安装在封装基板上的半导体芯片。封装基板包括信号凸块焊盘和锚固凸块焊盘,并且半导体芯片包括信号凸块和锚固凸块。信号凸块接合到信号凸块焊盘,锚固凸块被设置为与锚固凸块焊盘相邻,并且锚固凸块的底表面相对于封装基板的表面位于比锚固凸块焊盘的顶表面低的水平处。

【技术实现步骤摘要】
包括锚固结构的半导体封装
本公开总体上涉及半导体封装,更具体地,涉及包括锚固结构的半导体封装。
技术介绍
通常,各个半导体封装可被配置为包括印刷电路板(PCB)以及安装在PCB上的芯片。芯片可通过诸如凸块或导线的连接构件电连接到PCB。在半导体封装中采用凸块作为连接构件的情况下,可在芯片上形成凸块并且可在PCB上形成凸块焊盘。凸块和凸块焊盘然后可使用焊料彼此接合。近来,各个半导体封装中采用的连接构件的数量增加以提供高性能半导体封装。因此,大量努力集中在开发和保证用于将凸块接合到凸块焊盘的技术。
技术实现思路
根据实施方式,一种半导体封装可包括封装基板以及安装在封装基板上的半导体芯片。封装基板可包括信号凸块焊盘和锚固凸块焊盘,并且半导体芯片包括信号凸块和锚固凸块。信号凸块接合到信号凸块焊盘,锚固凸块与锚固凸块焊盘相邻设置,并且锚固凸块的底表面可相对于封装基板的表面位于比锚固凸块焊盘的顶表面低的水平处。根据另一实施方式,一种半导体封装可包括封装基板以及安装在封装基板上的半导体芯片。封装基板可被配置为包括在长轴方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装,该半导体封装包括:/n封装基板,该封装基板包括信号凸块焊盘和锚固凸块焊盘;以及/n半导体芯片,该半导体芯片安装在所述封装基板上并且包括信号凸块和锚固凸块,/n其中,所述信号凸块接合到所述信号凸块焊盘,/n其中,所述锚固凸块被设置为与所述锚固凸块焊盘相邻,并且/n其中,所述锚固凸块的底表面相对于所述封装基板的表面位于比所述锚固凸块焊盘的顶表面低的水平处。/n

【技术特征摘要】
20190131 KR 10-2019-00131071.一种半导体封装,该半导体封装包括:
封装基板,该封装基板包括信号凸块焊盘和锚固凸块焊盘;以及
半导体芯片,该半导体芯片安装在所述封装基板上并且包括信号凸块和锚固凸块,
其中,所述信号凸块接合到所述信号凸块焊盘,
其中,所述锚固凸块被设置为与所述锚固凸块焊盘相邻,并且
其中,所述锚固凸块的底表面相对于所述封装基板的表面位于比所述锚固凸块焊盘的顶表面低的水平处。


2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述锚固凸块被设置为相对于所述锚固凸块焊盘横向偏移。


3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,所述锚固凸块的侧表面与所述锚固凸块焊盘的侧表面接触。


4.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,所述锚固凸块的侧表面与所述锚固凸块焊盘的侧表面间隔开。


5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述锚固凸块的侧表面与所述锚固凸块焊盘的侧表面的高度的40%至70%交叠。


6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述锚固凸块的高度大于所述信号凸块的高度。


7.根据权利要求1所述的半导体封装,
其中,所述信号凸块包括接合到所述信号凸块焊盘的焊料图案;并且
其中,所述锚固凸块不接合到所述锚固凸块焊盘。


8.根据权利要求7所述的半导体封装,
其中,所述锚固凸块不包括接合到所述锚固凸块焊盘的焊料图案。


9.根据权利要求1所述的半导体封装,
其中,所述封装基板包括基板主体,该基板主体具有在长轴方向和短轴方向上延伸的表面;并且
其中,所述锚固凸块焊盘被设置在所述封装基板的表面的拐角区域上。


10.根据权利要求9所述的半导体封装,
其中,所述半导体芯片包括芯片主体,该芯片主体具有在所述长轴方向和所述短轴方向上延伸的表面;
其中,所述锚固凸块被设置在所述半导体芯片的所述芯片主体上,并且所述锚固凸块被设置为在所述长轴方向上比所述锚固凸块焊盘更靠近所述芯片主体的所述表面的边缘区域,并且
其中,所述锚固凸块被设置为在所述长轴方向上比所述锚固凸块焊盘更靠近所述基板主体的所述表面的边缘区域。


11.根据权利要求9所述的半导体封装,
其中,所述锚固凸块焊盘具有所述短轴方向上的宽度和所述长轴方向上的长度;并且
其中,所述宽度大于所述长度。


12.根据权利要求9所述的半导体封装,
其中,所述封装基板还包括阻焊剂层,该阻焊剂层被设置在所述基板主体上以选择性地暴露所述信号凸块焊盘和所述锚固凸块焊盘;并且
其中,所述锚固凸块被设置为插入到所述锚固凸块焊盘与所述阻焊剂层之间的空白空间中。


13.根据权利要求12所述的半导体封装,其中,设置有所述锚固凸块的所述空白空间位于所述基板主体的所述表面的通过所述阻焊剂层的开口暴露的区域上方。


14.根据权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴玟秀
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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