一种滤波器封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种滤波器封装结构，包括：硅基板；贯穿硅基板的硅通孔电容及硅通孔电感，硅通孔电容包括：内层电容轴心导电柱、外层电容空心导电柱及电容硅氧化层；第一连接层及第二连接层位于硅基板第一表面，第三连接层位于硅基板第二表面，分别用于连通硅通孔电容与硅通孔电感、连通各个硅通孔电容，用于连通硅通孔电感各个导电柱。本实用新型专利技术将硅通孔电容及硅通孔电感内嵌于硅基板中，利用三层连接层互连电容与电感，减小了整个封装结构体积；利用同轴心线的内层电容轴心导电柱与外层电容空心导电柱构成侧壁电容结构，在垂直方向上利用多个导电柱，在水平方向上利用连接层构成三维硅通孔电感，充分利用了垂直方向空间，减小了平面面积。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器封装结构
本技术涉及滤波器封装
，具体涉及一种滤波器封装结构。
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。在无源器件领域，集成无源器件技术可以在不同的基片上进行加工，允许有源电路中消耗面积的无源器件堆叠，并且可以省去某些匹配电路而使得元件数量减少，所以集成无源器件技术能节省基板空间、减小系统面积及体积，但目前的集成无源器件技术没有充分利用垂直方向的空间，因此仍然具有进一步减小面积的可能。
技术实现思路
因此，本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的集成无源器件技术未充分利用垂直方向的空间的缺陷，从而提供一种滤波器封装结构。为达到上述目的，本技术提供如下技术方案：本技术实施例提供一种滤波器封装结构，包括：硅基板；贯穿硅基板的第一预设数量的硅通孔电容及第二预设数量的硅通孔电感，硅通孔电容包括：内层电容轴心导电柱、外层电容空心导电柱及电容硅氧化层；位于硅基板第一表面的第一连接层、第二连接层，及位于硅基板第二表面的第三连接层，其中：第一连接层用于连通内层电容轴心导电柱与硅通孔电感导电柱；第二连接层用于连通各个硅通孔电容的外层电容空心导电柱；第三连接层用于连通硅通孔电感的各个导电柱。在一实施例中，第一连接层、第二连接层及第三连接层均包括重布线层及硅氧化层，重布线层嵌于硅氧化层内。在一实施例中，内层电容轴心导电柱与外层电容空心导电柱的中心轴线重合。在一实施例中，第二连接层位于第一连接层与硅基板之间。在一实施例中，硅通孔电感通过第一连接层、硅通孔电感导电柱与第三连接层形成三维立体结构。本技术技术方案，具有如下优点：本技术提供的滤波器封装结构，通过将硅通孔电容及硅通孔电感内嵌于硅基板中，利用三层连接层实现电容与电感之间的互连，减小了整个封装结构的体积及成本；利用同轴心线的内层电容轴心导电柱与外层电容空心导电柱构成侧壁电容结构，在垂直方向上缠绕电感线圈构成三维硅通孔电感，实现了对垂直方向空间的充分利用，减小了平面面积，并增加了绕线的灵活性。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的滤波器封装结构的一个具体示例的示意图；图2为本技术实施例提供的硅通孔电容的一个具体示例的示意图；图3为本技术实施例提供的滤波器封装结构的另一个具体示例的示意图；图4为本技术实施例提供的硅通孔电感的一个具体示例的示意图；图5为本技术实施例提供的仿真电路图的一个具体示例的示意图；图6为本技术实施例提供的三维模型仿真示意图；图7为本技术实施例提供的仿真结果图。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。实施例本技术实施例提供一种滤波器封装结构，应用于半导体电子器件领域，如图1所示，包括：硅基板1，本技术实施例将硅基板1作为衬底，将无源器件集成到衬底硅基板1上，再通过硅基板1第一表面及第二表面上的连接层的互连结构将无源器件互连，可以有效地实现高集成度的三维叠层封装。贯穿硅基板1的第一预设数量的硅通孔电容2及第二预设数量的硅通孔电感3，硅通孔电容2包括：内层电容轴心导电柱21、外层电容空心导电柱22及电容硅氧化层23。本技术实施例中的硅通孔电容2的电容值及硅通孔电感3的电感值是设定不变的，根据实际情况的需求，可以选择多个硅通孔电容2及多个硅通孔电感3进行任意组合，组成的LC滤波器，以达到不同的滤波效果。本技术实施例在硅基板1上打通孔，通孔内集成第一预设数量的硅通孔电容2及第二预设数量的硅通孔电感3。如图2所示，置于硅基板1通孔中的硅通孔电容2由内层电容轴心导电柱21、外层电容空心导电柱22及电容硅氧化层23构成，电容硅氧化层23填充在内层电容轴心导电柱21和外层电容空心导电柱22之间，及外层电容空心导电柱22与硅基板1之间，内层电容轴心导电柱21和外层电容空心导电柱22形成侧壁电容结构，在整个滤波器中作为电容，内层电容轴心导电柱21与外层电容空心导电柱22的直径可以根据实际情况的需求设置。在本技术实施例中，位于硅基板第一表面设置有第一连接层4、第二连接层5，位于硅基板第二表面设置有第三连接层6，其中：第一连接层4用于连通内层电容轴心导电柱21与硅通孔电感导电柱；第二连接层5用于连通各个硅通孔电容2的外层电容空心导电柱22；第三连接层6用于连通硅通孔电感的各个导电柱。由于本技术实施例中的硅通孔电容2包括内层电容轴心导电柱21、外层电容空心导电柱22，硅通孔电感由多个导电柱及连接层构成。因此在实现电容、电感及地之间互连时，需要在硅基板1的表面设置三层连接层，其中连接层均包括硅氧化层及重布线层（RDL），即第一重布线层41、第一硅氧化层42、第二重布线层51、第二硅氧化层52、第三重布线层61及第三硅氧化层62，硅氧化层主要作为重布线层之间的绝缘材料，防止布线层之间导电互连。如图3所示，第一连接层4与第二连接层5位于硅基板1的同一表面上，第三连接层6位于硅基板1的另一表面上。第一连接层4中的RDL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器封装结构，其特征在于，包括：/n硅基板；/n贯穿所述硅基板的第一预设数量的硅通孔电容及第二预设数量的硅通孔电感，所述硅通孔电容包括：内层电容轴心导电柱、外层电容空心导电柱及电容硅氧化层；/n位于所述硅基板第一表面的第一连接层、第二连接层，及位于所述硅基板第二表面的第三连接层，其中：/n所述第一连接层用于连通所述内层电容轴心导电柱与硅通孔电感导电柱；/n所述第二连接层用于连通各个硅通孔电容的外层电容空心导电柱；/n所述第三连接层用于连通硅通孔电感的各个导电柱。/n

【技术特征摘要】
1.一种滤波器封装结构，其特征在于，包括：
硅基板；
贯穿所述硅基板的第一预设数量的硅通孔电容及第二预设数量的硅通孔电感，所述硅通孔电容包括：内层电容轴心导电柱、外层电容空心导电柱及电容硅氧化层；
位于所述硅基板第一表面的第一连接层、第二连接层，及位于所述硅基板第二表面的第三连接层，其中：
所述第一连接层用于连通所述内层电容轴心导电柱与硅通孔电感导电柱；
所述第二连接层用于连通各个硅通孔电容的外层电容空心导电柱；
所述第三连接层用于连通硅通孔电感的各个导电柱。


2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈天放，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32