电磁波衰减体及电子装置制造方法及图纸

提供能够提高电磁波的衰减特性的电磁波衰减体及电子装置。根据实施方式，电磁波衰减体包括多层构件及磁性构件。所述多层构件包括多个磁性层和导电性的多个非磁性层。从所述多个磁性层中的一个磁性层向所述多个磁性层中的另一个磁性层的方向沿着从所述多层构件向所述磁性构件的第1方向。所述多个非磁性层中的一个非磁性层位于所述多个磁性层中的所述一个磁性层与所述多个磁性层中的所述另一个磁性层之间。所述磁性构件的沿着所述第1方向的厚度为所述多层构件的沿着所述第1方向的厚度的1/2以上。

【技术实现步骤摘要】
电磁波衰减体及电子装置本申请以日本专利申请2019-012148(申请日2019年1月28日)为基础，享有该申请的优先利益。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及电磁波衰减体及电子装置。
技术介绍
提出了例如电磁屏蔽片材等电磁波衰减体。存在包括电磁波衰减体及半导体元件的电子装置。期望在电磁波衰减体中，使电磁波的衰减特性提高。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够提高电磁波的衰减特性的电磁波衰减体及电子装置。用于解决课题的技术方案根据本专利技术的实施方式，电磁波衰减体包括多层构件及磁性构件。所述多层构件包括多个磁性层和导电性的多个非磁性层。从所述多个磁性层中的一个磁性层向所述多个磁性层中的另一个磁性层的方向沿着从所述多层构件向所述磁性构件的第1方向。所述多个非磁性层中的一个非磁性层位于所述多个磁性层中的所述一个磁性层和所述多个磁性层中的所述另一个磁性层之间。所述磁性构件的沿着所述第1方向的厚度为所述多层构件的沿着所述第1方向的厚度的1/2以上。根据上述构成的电磁波衰减体及电子装置，能够提供可以提高电磁波的衰减特性的电磁波衰减体及电子装置。附图说明图1的(a)～图1的(c)是例示第1实施方式涉及的电磁波衰减体的示意图。图2是例示电磁波衰减体的特性的坐标图。图3是例示电磁波衰减体的特性的坐标图。图4的(a)及图4的(b)是例示第1实施方式涉及的电磁波衰减体的示意截面图。图5的(a)及图5的(b)是例示参考例的电磁波衰减体的示意截面图。图6是例示第1实施方式涉及的电磁波衰减体的示意俯视图。图7是例示第1实施方式涉及的电磁波衰减体的示意截面图。图8的(a)～图8的(d)是例示第2实施方式涉及的电子装置的示意图。图9的(a)～图9的(d)是例示第2实施方式涉及的电子装置的一部分的示意截面图。图10是例示第2实施方式涉及的电子装置的示意截面图。图11是例示第2实施方式涉及的电子装置的示意截面图。图12是例示第2实施方式涉及的电子装置的示意截面图。图13是例示第2实施方式涉及的电子装置的示意截面图。图14是例示第2实施方式涉及的电子装置的示意截面图。图15是例示第2实施方式涉及的电子装置的示意截面图。标号说明10…电磁波衰减体，10M…多层构件，10a～10d…第1～第4侧面部分，10p…面状部分，10s…基体，11…磁性层，11dp…第1底部，11f…磁性膜，11fa…第1磁性层面，11pm…磁化，11pp…第1顶部，11pq…第2顶部，12…非磁性层，12f…非磁性膜，13…非磁性层，15…磁性构件，15fa、15fb…第1、第2构件面，15pm…磁化，15ra、15rb…第1、第2构件区域，19…电磁波衰减体，41、42…绝缘部，50…电子元件，50c…半导体芯片，50e…电极，50f…基板连接部，50i…绝缘部，50t…端子，50w…布线，51、51B、52、53、53B、53C…电子元件，51I、52I、53I…树脂部，51N、52N、53N…连接构件，55…基板，58…连接部，60…基板，81…电磁波，110～116…电子装置，220…安装构件，AA…箭头，CP13、CP23…计算结果，D1～D3…第1～第3方向，De2…第2方向，SP01～SP05…试样，T1…透射特性，d1、d2、d3…尺寸，dz…距离，gr1～gr3…第1～第3晶粒，gr4、gr5…晶粒，r1…附近区域，r2…远离的区域，t0～t5…厚度具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的各实施方式进行说明。附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等不一定限定为与现实的同样。即便在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而相互的尺寸和/或比率不同地表示的情况。在本申请说明书和各图中，对于与关于已出现的图在前面说明过的要素相同的要素标注同一标号，并适当省略详细的说明。(第1实施方式)图1的(a)～图1的(c)是例示第1实施方式涉及的电磁波衰减体的示意图。在图1的(c)中，为了图示的清楚，将多个层的位置移位来进行描绘。如图1的(a)～图1的(c)所示，实施方式涉及的电磁波衰减体10包括多层构件10M及磁性构件15。从多层构件10M向磁性构件15的方向沿着第1方向。将第1方向设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。多层构件10M包括多个磁性层11和导电性的多个非磁性层12。从多个磁性层11中的一个磁性层向多个磁性层11中的另一个磁性层的方向沿着第1方向(Z轴方向)。多个非磁性层12中的一个非磁性层位于多个磁性层11中的上述一个磁性层与多个磁性层11中的上述另一个磁性层之间。例如，多个磁性层11及多个非磁性层12沿着第1方向交替地设置。例如，多个磁性层11沿着第1方向排列。例如，多个非磁性层12沿着第1方向排列。多个磁性层11中的一个磁性层位于多个非磁性层12中的一个非磁性层与多个非磁性层12中的另一个非磁性层之间。多个磁性层11中的至少一部分例如与X-Y平面平行。多个非磁性层12中的至少一部分例如与X-Y平面平行。磁性构件15例如与X-Y平面平行。如图1的(a)～图1的(c)所示，电磁波衰减体10可以包括基体10s。例如，在基体10s上交替地形成多个磁性层11及多个非磁性层12。在实施方式涉及的一个例子中，基体10s为模制树脂等。在其它的例子中，基体10s可以是树脂层等。树脂层例如设置在塑料片材上。在实施方式中，基体10s的表面可以具有凹凸。在该情况下，如下文所述，多个磁性层11及多个非磁性层12可以是沿着该凹凸那样的凹凸状。如图1的(c)所示，电磁波81入射至包括多层构件10M及磁性构件15的电磁波衰减体10。入射至电磁波衰减体10的电磁波81通过电磁波衰减体10而衰减。电磁波衰减体10例如能够作为电磁波屏蔽体使用。例如，多个磁性层11及多个非磁性层12中的至少一个层被接地(参照图1的(a))。如图1的(a)所示，例如，磁性构件15与多层构件10M相接。在图1的(a)的例子中，多个非磁性层12中的一个非磁性层(另一个非磁性层)与磁性构件15相接。在图1的(b)所示的例子中，多个磁性层11中的一个磁性层与磁性构件15相接。多个磁性层11中的一个磁性层和磁性构件15之间的边界可以不明确。在该情况下，与磁性构件15相接的磁性层11可以看作包含于磁性构件15。设多个磁性层11中的一个磁性层的沿着第1方向的厚度为厚度t1。厚度t1例如为20nm以上且500nm以下。设多个非磁性层12中的一个非磁性层的沿着第1方向的厚度为厚度t2。厚度t2例如为2nm以上且500nm以下。设磁性构件15的沿着第1方向的厚度为厚度t5。厚度t5比厚度t1厚。厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁波衰减体，具备：/n多层构件；和/n磁性构件，/n所述多层构件包括多个磁性层和导电性的多个非磁性层，/n从所述多个磁性层中的一个磁性层向所述多个磁性层中的另一个磁性层的方向沿着从所述多层构件向所述磁性构件的第1方向，/n所述多个非磁性层中的一个非磁性层位于所述多个磁性层中的所述一个磁性层与所述多个磁性层中的所述另一个磁性层之间，/n所述磁性构件的沿着所述第1方向的厚度为所述多层构件的沿着所述第1方向的厚度的1/2以上。/n

【技术特征摘要】
20190128 JP 2019-0121481.一种电磁波衰减体，具备：
多层构件；和
磁性构件，
所述多层构件包括多个磁性层和导电性的多个非磁性层，
从所述多个磁性层中的一个磁性层向所述多个磁性层中的另一个磁性层的方向沿着从所述多层构件向所述磁性构件的第1方向，
所述多个非磁性层中的一个非磁性层位于所述多个磁性层中的所述一个磁性层与所述多个磁性层中的所述另一个磁性层之间，
所述磁性构件的沿着所述第1方向的厚度为所述多层构件的沿着所述第1方向的厚度的1/2以上。


2.根据权利要求1所述的电磁波衰减体，
所述磁性构件与所述多层构件相接。


3.根据权利要求1所述的电磁波衰减体，
所述磁性构件包括第1构件区域及第2构件区域，所述第1构件区域在所述第1方向上位于所述第2构件区域与所述多层构件之间，
所述第1构件区域包含多个第1晶粒，
所述第2构件区域包含多个第2晶粒，
所述多个第1晶粒的尺寸的平均值比所述多个第2晶粒的尺寸的平均值小。


4.根据权利要求1所述的电磁波衰减体，
所述磁性构件包括第1构件面及第2构件面，所述第1构件面在所述第1方向上位于所述第2构件面与所述多层构件之间，
所述第1构件面包含多个第1晶粒，
所述第2构件面包含多个第2晶粒，
所述多个第1晶粒的尺寸的平均值比所述多个第2晶粒的尺寸的平均值小。
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【专利技术属性】
技术研发人员：喜喜津哲，黑崎义成，山田健一郎，松中繁树，
申请(专利权)人：株式会社东芝，芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP