一种版图热点聚类方法、装置及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电路版图热点聚类方法，其包括如下步骤：S1，获取电路版图文件；S2，从所述电路版图文件中获取待分类的版图区域块；S3，根据所述待分类的版图区域块生成版图区域块关联图G＝(C,E)。其中C＝{c

【技术实现步骤摘要】
一种版图热点聚类方法、装置及设备
本专利技术涉及集成电路制造领域，具体来说，涉及一种版图热点聚类方法。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻。光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(光刻胶)，感光后因光化学反应，将掩模板上的图形刻蚀到被加工表面上。随着超大规模集成电路技术的飞速发展，晶体管的特征尺寸变得越来越小，电路设计版图也越来越复杂，给电路光刻技术带来了巨大的挑战。当前，光的波长已达到了193nm限制，远远大于晶体管现有的特征尺寸。当将标准的电路设计版图刻蚀到硅片上时，光的衍射作用使得硅片上的电路图案改变，产生缺陷，又被称为热点。这些热点极有可能在电路的运行中产生开路或短路现象，烧毁电路，导致芯片成品率降低，带来巨大的经济损失。因此，必须要在光刻之前，预测定位到可能的热点区域，并对其进行设计修复，以避免后续光刻缺陷。通常热点是通过光刻模拟或机器学习检测方法来预测的。但由于芯片问题规模庞大，为了降低问题规模，需要将版图热点图像进行分类，对于每个分类选出代表性热点图像。这样，问题缩小为针对每类的代表性图像进行处理，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路版图热点聚类方法，其包括如下步骤：/nS1，获取电路版图文件；/nS2，从所述电路版图文件中获取待分类的版图区域块；/nS3，根据所述待分类的版图区域块生成版图区域块关联图G＝(C,E)，其中C＝{c

【技术特征摘要】
1.一种电路版图热点聚类方法，其包括如下步骤：
S1，获取电路版图文件；
S2，从所述电路版图文件中获取待分类的版图区域块；
S3，根据所述待分类的版图区域块生成版图区域块关联图G＝(C,E)，其中C＝{c1,c2,…,cn}表示版图区域块集合，E＝{e1,2,e1,3,…,en-1,n}所有边的集合；其中生所述边E的生成为在所述任意两个版图区域块的距离是否小于一预设值时生成所述两个版图区域块的边；
S4，获取所述版图区域块关联图G的补图G’＝(C,E’)，其中边集E’与E互补；
S5，计算所述关联图G的补图G’的最大团，并获取所述最大团中版图区域的数目；
S6；根据所述版图区域的数目进行聚类。


2.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤S3之前还包括：合并相同的待分类的版图区域块得到版图区域块集合C，其中所述相同的待分类版图区域块为水平翻转、垂直翻转、水平加垂直翻转。


3.根据权利要求1所述的方法，其中生成版图区域块关联图G，包括如下步骤：
S31，获取区域块集合C；
S32，判断所述区域块集合C中任意两个区域块ci，cj之间的距离distance(ci，cj)是否小于一第一预设值或者存在一个版图区域块ck，使得版图区域ci，ck之间的距离小于一第一预设值并且版图区域cj，ck之间的距离小于一第一预设值；如是则生成一条对应于区域块ci，cj的边ei,j，其中k≠i≠j；如否，则执行步骤S33；
S33，判断是否可以人为生成代表区域块，如是，则执行步骤S34；
S34，判断所述版图区域块ci，cj之间的距离是否小于一第二阈值，如是，是则生成一条对应于区域块ci，cj的边ei,j。


4.根据权利要求4的方法，其中第二阈值是第一阈值的2倍。


5.根据权利要求1所述的方法，其中区域块的距离可以是面积相似度ACC或者边相似度ECC。


6.一种电路版图热点聚类装置，其包括如下单元：

【专利技术属性】
技术研发人员：贺旭，汪一沛，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43