具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构，包括：散热屏蔽结构，包括散热屏蔽本体、位于散热屏蔽本体第一面的凹槽和位于散热屏蔽本体第二面的栅格，第一面与第二面相背；塑封件，覆盖散热屏蔽本体的外周，塑封件的一面与第一面平齐，另一面邻近第二面；芯片，通过散热胶贴于凹槽内，芯片正面与塑封件表面平齐；位于塑封件表面并与芯片的I/O接口电连接的种子层和位于种子层上的重布线层；金属凸块，与重布线层的焊盘区焊接。本实用新型专利技术可有效屏蔽外部的电磁干扰，保证芯片工作的稳定性和可靠性，芯片工作时产生的热量通过具有较大表面积的栅格进行快速散热，同时还能防止重布线层与芯片的I/O接口之间的结合力受到影响。

【技术实现步骤摘要】
具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构
本技术涉及集成电路封装
，具体涉及一种具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构。
技术介绍
随着微电子技术的飞速发展，芯片的尺寸越来越小，同时运算速度越来越快，发热量也就越来越大，如英特尔处理器3.6G奔腾4终极版运行时产生的热量最大可达115w，这就对芯片的散热性能提出更高的要求。任何芯片的正常工作都必须满足一个温度范围，这个温度是指硅片上的温度，通常称之为结温。如果要维持芯片的结温在正常的温度范围以内，就需要采取一定的技术手段使芯片产生的热量迅速发散到环境中去。具体地，芯片产生的热量主要传给芯片封装外壳，由芯片封装外壳直接散布到环境中去。除此之外，芯片所处的电磁环境对芯片的稳定性和可靠性具有很大的影响，如果电磁干扰过大，则会增大芯片出错的几率，甚至破坏芯片。
技术实现思路
本技术的一个目的在于提供一种具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构，可以提高扇出型封装结构的散热性和电磁屏蔽性能，同时还能防止重布线层与芯片的I/O接口之间的结合力受到影响。本技术的另一个目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构，其特征在于，包括：/n散热屏蔽结构，包括散热屏蔽本体、位于所述散热屏蔽本体的第一面的凹槽和位于所述散热屏蔽本体的第二面的栅格，所述第一面与所述第二面相背；/n塑封件，覆盖所述散热屏蔽本体的外周，且所述塑封件的一面与所述第一面平齐，另一面邻近所述第二面；/n芯片，通过散热胶贴于所述凹槽内，所述芯片的正面与所述塑封件的表面平齐；/n位于所述塑封件表面并与所述芯片的I/O接口电连接的种子层和位于所述种子层上的重布线层；/n金属凸块，与所述重布线层的焊盘区焊接。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构，其特征在于，包括：
散热屏蔽结构，包括散热屏蔽本体、位于所述散热屏蔽本体的第一面的凹槽和位于所述散热屏蔽本体的第二面的栅格，所述第一面与所述第二面相背；
塑封件，覆盖所述散热屏蔽本体的外周，且所述塑封件的一面与所述第一面平齐，另一面邻近所述第二面；
芯片，通过散热胶贴于所述凹槽内，所述芯片的正面与所述塑封件的表面平齐；
位于所述塑封件表面并与所述芯片的I/O接口电连接的种子层和位于所述种子层上的重布线层；
金属凸块，与所述重布线层的焊盘区焊接。


2.根据权利要求1所述的具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构，其特征在于，还包括介电层和阻焊层，所述介电层覆盖所述芯片的正面、所述散热屏蔽结构的端面以及所述塑封件的表面，所述介电层上开设有供所述芯片的I/O接口外露的通孔，所述种子层位于所述介电层的表面和所述通孔的表面，所述种子层和所述重布线层具有使部分所述介电层外露的图形窗口，所述阻焊层覆盖外露于所述图形窗口的所述介电层以及所述重布线层的非焊盘区。


3.根据权利要求1所述的具有高散热和电磁屏蔽性的扇出型封装结构，其特征在于，还包括介电层和阻焊层，所述介电层覆盖所述芯片的正面、所述散...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春平，崔锐斌，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，广东芯华微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44