基于刚性框架的TMV扇出型封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种基于刚性框架的TMV扇出型封装结构，包括：具有矩形结构的金属框架和位于金属框架的矩形框内的芯片组；塑封层，包覆金属框架和芯片组，塑封层沿其厚度方向具有背向设置的第一面和第二面；位于塑封层的第一面的第一电连接结构和与第一电连接结构电气连接的第一金属凸块；位于塑封层的第二面的第二电连接结构和与第二电连接结构电气连接的第二金属凸块；芯片组的I/O接口与第一电连接结构或第二电连接结构电气连接，金属框架的一端面与第一电连接结构电气连接，另一端面与第二电连接结构电气连接。本实用新型专利技术可大幅降低扇出型封装结构的翘曲，提高芯片散热效果，并能简化上下层电气导通工艺，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
基于刚性框架的TMV扇出型封装结构
本技术涉及先进电子封装
，具体涉及一种基于刚性框架的TMV扇出型封装结构。
技术介绍
现如今，智能系统集成对电子元器件产品在单位面积下的功能和性能要求在不断地提高，同时，相应的产品尺寸也在不断地减小，如何在一个非常细小的空间内集成不同功能模块的元器件，并实现便携式产品的基本功能，是当前需要解决的一大关键问题。在摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入、产品尺寸不断缩小等多重压力，通过扇出集成先进封装技术，实现高密度集成、多元嵌入式集成、体积微型化和更低的成本，成为半导体技术发展的迫切需要。而针对芯片高密度集成、多元嵌入式集成、体积微型化和更低的成本等问题，大板扇出型封装无疑是一个出色的解决方案。而在大板扇出型封装产品生产的工艺过程中，板的翘曲是一个亟待解决的重要工艺难题。另外在实现集成型大板扇出型封装时，上下板面的电气导通通常采用的方法为：在包覆芯片的塑封层上开孔，然后通过电镀、沉积填孔，形成TMV(ThroughMoldingVia)结构，再在上下板面制作线路层，使上下板面的线路层分别与该TM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于刚性框架的TMV扇出型封装结构，其特征在于，包括：/n具有矩形结构的金属框架和位于所述金属框架的矩形框内的芯片组；/n塑封层，包覆所述金属框架和所述芯片组，所述塑封层沿其厚度方向具有背向设置的第一面和第二面；/n位于所述塑封层的第一面的第一电连接结构和与所述第一电连接结构电气连接的第一金属凸块；/n位于所述塑封层的第二面的第二电连接结构和与所述第二电连接结构电气连接的第二金属凸块；/n所述芯片组的I/O接口与所述第一电连接结构或所述第二电连接结构电气连接，所述金属框架的一端面与所述第一电连接结构电气连接，另一端面与所述第二电连接结构电气连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于刚性框架的TMV扇出型封装结构，其特征在于，包括：
具有矩形结构的金属框架和位于所述金属框架的矩形框内的芯片组；
塑封层，包覆所述金属框架和所述芯片组，所述塑封层沿其厚度方向具有背向设置的第一面和第二面；
位于所述塑封层的第一面的第一电连接结构和与所述第一电连接结构电气连接的第一金属凸块；
位于所述塑封层的第二面的第二电连接结构和与所述第二电连接结构电气连接的第二金属凸块；
所述芯片组的I/O接口与所述第一电连接结构或所述第二电连接结构电气连接，所述金属框架的一端面与所述第一电连接结构电气连接，另一端面与所述第二电连接结构电气连接。


2.根据权利要求1所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片组的I/O接口邻近所述第一面，且所述芯片组的I/O接口与所述第一电连接结构电气连接，所述第一电连接结构包括：
覆盖所述塑封层第一面的介电层，所述介电层具有使所述芯片组的I/O接口和所述金属框架的第一端面外露的第一孔位；
第一种子层，覆盖所述介电层和所述第一孔位的表面；
第一重布线层，位于所述第一种子层上，所述第一种子层和所述第一重布线层具有使部分所述介电层外露的第一图形窗口；
所述第一金属凸块与所述第一重布线层的焊盘区焊接。


3.根据权利要求2所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构，其特征在于，还包括第一阻焊层，所述第一阻焊层覆盖所述第一重布线层的非焊盘区和外露于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林挺宇，杜毅嵩，杨斌，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，广东芯华微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44