一种大板扇出型高散热IGBT模块及电子装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种大板扇出型高散热IGBT模块及电子装置，包括：散热支撑板；IGBT芯片，通过界面导热层贴于散热支撑板；塑封层，包覆在散热支撑板和IGBT芯片上，塑封层上开设有可供IGBT芯片的电信号连接处外露的第一通孔；第一种子层，位于塑封层和第一通孔的表面；第一重布线层，位于第一种子层上并通过第一导电柱与IGBT芯片电连接，第一种子层和第一重布线层具有被蚀刻的第一图形化孔，部分塑封层的表面外露于第一图形化孔；金属凸块，通过第一重布线层与IGBT芯片的电信号连接处电连接。本实用新型专利技术解决了IGBT模块发热量高，散热量不足的问题，保证IGBT芯片运行过程中，功率能保持峰值水平，可靠性不会降低。

【技术实现步骤摘要】
一种大板扇出型高散热IGBT模块及电子装置
本技术涉及先进电子封装
，具体涉及一种大板扇出型高散热IGBT模块及包含该大板扇出型高散热IGBT模块的电子装置。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)模块作为能源变换与传输的核心器件，在电力电子领域中应用极广，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。随着技术进步和和满足市场需求，电子元器件趋向小型化、精密化发展，而散热则是小型化、精密化的电子元器件急需要解决的关键技术。由于电子元器件的温度每提升2℃，其可靠性就会降低10％，而IGBT属于电力电子重要大功率主流电子元器件之一，采用传统的封装方法进行封装时，容易出现过热而损坏的情况。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种大板扇出型高散热IGBT模块及包含其的电子装置，可解决IGBT模块及包含其的电子装置发热量高，散热量不足的问题。为达此目的，本技术采用以下技术方案：提供一种大板扇出型高散热IGBT模块，包括：散热支撑板，沿其厚度方向具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大板扇出型高散热IGBT模块，其特征在于，包括：/n散热支撑板，沿其厚度方向具有第一面和第二面；/nIGBT芯片，通过界面导热层贴于所述散热支撑板的第一面，且所述IGBT芯片的电信号连接处朝向远离所述散热支撑板的方向；/n塑封层，包覆在所述散热支撑板和所述IGBT芯片上，且所述散热支撑板的第二面与所述塑封层的一表面平齐，所述塑封层上开设有可供所述IGBT芯片的电信号连接处外露的第一通孔；/n第一种子层，位于所述塑封层和所述第一通孔的表面；/n第一重布线层，位于所述第一种子层上并通过第一导电柱与所述IGBT芯片电连接，所述第一种子层和所述第一重布线层具有被蚀刻的第一图形化孔，部分所述塑封...

【技术特征摘要】
1.一种大板扇出型高散热IGBT模块，其特征在于，包括：
散热支撑板，沿其厚度方向具有第一面和第二面；
IGBT芯片，通过界面导热层贴于所述散热支撑板的第一面，且所述IGBT芯片的电信号连接处朝向远离所述散热支撑板的方向；
塑封层，包覆在所述散热支撑板和所述IGBT芯片上，且所述散热支撑板的第二面与所述塑封层的一表面平齐，所述塑封层上开设有可供所述IGBT芯片的电信号连接处外露的第一通孔；
第一种子层，位于所述塑封层和所述第一通孔的表面；
第一重布线层，位于所述第一种子层上并通过第一导电柱与所述IGBT芯片电连接，所述第一种子层和所述第一重布线层具有被蚀刻的第一图形化孔，部分所述塑封层的表面外露于所述第一图形化孔；
金属凸块，通过所述第一重布线层与所述IGBT芯片的电信号连接处电连接。


2.根据权利要求1所述的大板扇出型高散热IGBT模块，其特征在于，所述散热支撑板为双面覆铜板。


3.根据权利要求1所述的大板扇出型高散热IGBT模块，其特征在于，还包括介电层，所述介电层位于所述第一重布线层的表面并填充满所述第一图形化孔，所述介电层具有使所述第一重...

【专利技术属性】
技术研发人员：林挺宇，何啟铭，
申请(专利权)人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司，广东芯华微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44