半导体装置制造方法及图纸

技术编号:25089738 阅读:52 留言:0更新日期:2020-07-31 23:34
本发明专利技术提供了能够减少多个单位晶体管的动作时的温度的偏差的半导体装置。在基板上设置有多个晶体管列。多个晶体管列分别包括在基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管,多个晶体管列在与第一方向正交的第二方向上排列配置。并且,配置有覆盖多个单位晶体管并设置有至少一个开口的绝缘膜。配置在绝缘膜上的金属部件通过开口与多个单位晶体管电连接。形成从多个单位晶体管的每一个单位晶体管到金属部件的上表面的由金属形成的导热路径,导热路径的热电阻在多个单位晶体管之间不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
移动终端等的功率放大器模块使用异质结双极晶体管(HBT)。在下述的专利文献1中公开了由相互并联连接的多个单位晶体管构成且可以减少热电阻的HBT。专利文献1所公开的HBT包括在第一方向上排列的多个单位晶体管、和与多个单位晶体管的发射极电连接的凸点。凸点配置在多个单位晶体管的发射极上,并在第一方向上延伸。专利文献1:日本特开2016-103540号公报若使并联连接的多个单位晶体管进行动作,则有时单位晶体管的温度产生偏差。容易变成高温的单位晶体管比其它单位晶体管更快地老化,整个半导体装置的寿命变短。并且,如果在动作中产生温度的偏差,则无法提取作为HBT的整个元件的特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供能够减少多个单位晶体管的动作时的温度的偏差的半导体装置。根据本专利技术的一个观点,提供了半导体装置,具有:基板;以及多个晶体管列,设置于所述基板,多个所述晶体管列的每个晶体管列包括在所述基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管,多个所述晶体管列在与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置,具有:/n基板;以及/n多个晶体管列,设置于所述基板,/n多个所述晶体管列的每个晶体管列包括在所述基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管,多个所述晶体管列在与所述第一方向正交的第二方向上并排配置,/n所述半导体装置还具有:/n绝缘膜,覆盖多个所述单位晶体管,并设置有至少一个开口;以及/n金属部件,被配置在所述绝缘膜上,通过所述开口与多个所述单位晶体管电连接,/n形成有从多个所述单位晶体管的每个单位晶体管到所述金属部件的上表面的由金属形成的导热路径,所述导热路径的热电阻在多个所述单位晶体管之间不同。/n

【技术特征摘要】
20190123 JP 2019-0092201.一种半导体装置,具有:
基板;以及
多个晶体管列,设置于所述基板,
多个所述晶体管列的每个晶体管列包括在所述基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管,多个所述晶体管列在与所述第一方向正交的第二方向上并排配置,
所述半导体装置还具有:
绝缘膜,覆盖多个所述单位晶体管,并设置有至少一个开口;以及
金属部件,被配置在所述绝缘膜上,通过所述开口与多个所述单位晶体管电连接,
形成有从多个所述单位晶体管的每个单位晶体管到所述金属部件的上表面的由金属形成的导热路径,所述导热路径的热电阻在多个所述单位晶体管之间不同。


2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
将在俯视时包括供多个所述单位晶体管的每个单位晶体管的动作电流流动的动作区域、且具有与所述第一方向平行的边的最小的长方形的内部,定义为多个所述单位晶体管的每个单位晶体管的有效动作区域,
将由第一分界线以及第二分界线划分出的多个分区和所述金属部件在俯视时重叠的范围分别定义为该分区内的有效动作区域的影响范围,其中,所述第一分界线配置在多个所述晶体管列之间、以及比位于最外侧的晶体管列更靠外侧,所述第一分界线与所述第一方向平行,所述第二分界线配置在多个所述晶体管列的每个晶体管列中在所述第一方向上相邻的两个单位晶体管之间、以及在所述第一方向上比位于最外侧的单位晶体管更靠外侧,所述第二分界线配与所述第二方向平行,
多个所述晶体管列之间的所述第一分界线被定义为从所述第一分界线到一侧的晶体管列的多个有效动作区域的平均距离和从所述第一分界线到另一侧的晶体管列的多个有效动作区域的平均距离相等的位置,
最外侧的所述第一分界线被定义为从所述第一分界线到最外侧的晶体管列的多个所述有效动作区域的平均距离和从一个内...

【专利技术属性】
技术研发人员:黑川敦姫田高志小林一也
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:日本;JP

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