一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其中步骤依次包括：A.放置芯片：将待加工芯片本身安放于装片基座，从而得到第一待封装体，B.设置搭桥件：搭桥件的凸点式焊头与芯片本身的上表面的源极区域贴合，C.焊接芯片：芯片本身与装片基座形成电气连接，芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚20连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接，D.封装成品：注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料进行注塑包封形成封装保护，有益效果是：实现了高功率器件的生产效率快、接触面大、热阻Rdson数值小、改善气泡空洞及产品质量的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺
本专利技术涉及半导体封装领域，特别是一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺。
技术介绍
目前，大部分的传统器件电气连接都采用导电引线将芯片与对应引脚进行焊接，对于大电流控制器件，常规采用增加导电线数量、加大线径进行补偿，但该方案的工作效率低、作业均匀性要求高，而且排布空间受限；还有一些常规的多引线焊接方式，器件管脚与芯片间采用的是点线式连接，接触面积小和器件内部热阻大，导致器件温度过高,影响器件的使用寿命，而且容易导致线径出现疲劳损伤问题引起不良；其次在部分生产工艺管控中，大部分采用焊料焊接时，由于焊料里面高温产生的气体未能在焊料冷却固化前完全溢出，导致焊料容易形成气泡空穴或空洞，并且焊料高温熔融后焊接区四周快速固化，导致焊接区内部容易产生气泡空穴或空洞。
技术实现思路
针对上述缺陷，本专利技术的目的在于提出一种生产效率高，导通电流大、导热性能好、并且不会出现焊接面积小所导致的热阻Rdson参数大及焊接空洞大的凸点式搭桥功率器件的封装工艺。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，步骤依次包括：A.放置芯片：将待加工芯片本身安放于装片基座，从而得到第一待封装体；B.设置搭桥件：将搭桥件放置于所述第一待封装体上，所述搭桥件的凸点式焊头与所述芯片本身的上表面的源极区域贴合；C.焊接芯片：在所述源极区域点上焊料，高温对所述搭桥件的凸点式焊头和芯片进行焊接，使得焊料高温浸湿没过所述凸点式焊头的第一小台阶，直至焊料爬升并覆盖到所述凸点式焊头的第二台阶面，从而形成多阶梯式焊接结构，从而使得芯片本身与装片基座形成电气连接，芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接；D.封装成品：通过注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料进行注塑包封形成封装保护。优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤A还包括如下步骤：步骤A1:将待加工芯片本身放置于装片基座对应装载位置前，对焊料进行长宽和尺寸的调整，并且调整芯片贴装后的焊料尺寸，要求进行正面观察不能出现芯片本身露角，且侧面观察爬高不能超过芯片本身的一半高度位置，调整宽度比例值是芯片本身尺寸的1.2-1.5倍。优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤B还包括如下步骤：步骤B1：芯片本身中心、焊料中心和装片基座的中心，进行加工位调整并且器件中心点一一对应重合。优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤C还包括如下步骤：步骤C1:步骤C1:芯片本身上的焊料边缘与装片基座的边缘之间的距离大于0.5mm。优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤C还包括如下步骤：步骤C2：凸点式焊头的数量为至少一组以上，第一引脚和芯片本身之间通过搭桥件进行连接搭桥，凸点式焊头设置于搭桥件的桥面下方。一种凸点式封装搭桥功率器件，装片基座、搭桥件、第一引脚焊接区、第二引脚焊接区、若干个第一引脚和若干个第二引脚；所述装片基座包括底座和装片工位，所述装片工位设置在所述底座的顶部，所述第一引脚设置在所述第一引脚焊接区，所述第二引脚设置在所述第二引脚焊接区，靠近所述底座的顶部边缘处设有第三引脚焊接区，所述第三引脚焊接区设有第三引脚，所述第三引脚通过引线与所述芯片本身的栅极G连接；所述第一引脚焊接区与所述装片工位之间设有搭桥件，所述搭桥件的输出面设有凸点式焊头；所述凸点式焊接头包括第一小台阶和第二台阶，所述第二台阶设置在所述搭桥件的输出面，所述第一小台阶设置在所述第二台阶的底部，所述凸点式焊头用于对放置在所述装片工位的芯片本身进行焊接，所述搭桥件用于连接第一引脚和所述芯片本身上表面的源极S。优选地，上述的凸点式封装搭桥功率器件，所述第一引脚的数量为三个，且三个所述第一引脚均并联在一起，所述第二引脚的数量为四个，且四个所述第二引脚均连接在一起。优选地，上述的凸点式封装搭桥功率器件，所述搭桥件与所述第一引脚焊接区的连接位的形状呈拱桥状。优选地，上述的凸点式封装搭桥功率器件，所述凸点式焊头设有至少两个，所述凸点式焊头与所述搭桥件的边缘之间的距离大于0.5mm。优选地，上述的凸点式封装搭桥功率器件，所述装片工位的形状呈凹陷状。本专利技术的有益效果：(1)首先通过将搭桥件放置于所述第一待封装体上，搭桥件的凸点式焊头与芯片本身的上表面的源极区域贴合，并在源极区域点上焊料，源极区为接收电极端，高温对搭桥件的凸点式焊头和芯片本身进行焊接，使得焊料高温浸湿没过所述凸点式焊头的第一小台阶，直至焊料爬升并覆盖到所述凸点式焊头的第二台阶面，从而形成多阶梯式焊结构，从而增大了焊接处的接触面积，降低器件热阻，优化器件导电导热结构上使用要求。(2)由于芯片本身与装片基座形成电气连接，通过芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接，从而构成整体的回路控制，进而高功率器件的生产效率快、接触面大、热阻Rdson数值小、改善气泡空洞及产品质量的稳定性。附图说明图1为本专利技术的结构示意图1；图2为本专利技术的结构示意图2；图3为图1中搭桥件的结构示意图。其中：芯片本身11、装片基座12、底座121、装片工位122、搭桥件131、凸点式焊头132、焊料14、第一引脚焊接区15、第二引脚焊接区16、第三引脚焊接区17、引线171、第一引脚18、第二引脚19、第三引脚20、注塑包封21。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。如图1、2、3所示，一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其中步骤依次包括：A.放置芯片：将待加工芯片本身11安放于装片基座12，从而得到第一待封装体；B.设置搭桥件：将搭桥件131放置于第一待封装体上，搭桥件131的凸点式焊头与芯片本身的上表面的源极区域贴合；C.焊接芯片：在源极区域点上焊料，高温对搭桥件131的凸点式焊头和芯片进行焊接，使得焊料14高温浸湿没过凸点式焊头的第一小台阶，直至焊料爬升并覆盖到凸点式焊头的第二台阶面，从而形成多阶梯式焊接结构，芯片本身11的源极区通过搭桥件131与第一引脚18连接，从而使得源极S与第一引脚18形成电气连接，芯片本身11的栅极G通过引线171与第三引脚20连接，从而使得栅极G与第三引脚20形成电气连接，从而构成整体的回路控制；D.封装成品：通过注塑机将芯片本身11、装片基座12、引脚及搭桥件131用塑封料进行注塑包封21形成封装保护，首先通过将搭桥件131放置于第一待封装体上，搭桥件131的凸点式焊头132与芯片本身11的上表面的源极区域贴合，并在源极区域点上焊料，源极区为接收电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：步骤依次包括：/nA.放置芯片：将待加工芯片本身安放于装片基座，从而得到第一待封装体；/nB.设置搭桥件：将搭桥件放置于所述第一待封装体上，所述搭桥件的凸点式焊头与所述芯片本身的上表面的源极区域贴合；/nC.焊接芯片：在所述源极区域点上焊料，高温对所述搭桥件的凸点式焊头和芯片进行焊接，使得焊料高温浸湿没过所述凸点式焊头的第一小台阶，直至焊料爬升并覆盖到所述凸点式焊头的第二台阶面，从而形成多阶梯式焊接结构，从而使得芯片本身与装片基座形成电气连接，芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接；/nD.封装成品：通过注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料进行注塑包封形成封装保护。/n

【技术特征摘要】
1.一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：步骤依次包括：
A.放置芯片：将待加工芯片本身安放于装片基座，从而得到第一待封装体；
B.设置搭桥件：将搭桥件放置于所述第一待封装体上，所述搭桥件的凸点式焊头与所述芯片本身的上表面的源极区域贴合；
C.焊接芯片：在所述源极区域点上焊料，高温对所述搭桥件的凸点式焊头和芯片进行焊接，使得焊料高温浸湿没过所述凸点式焊头的第一小台阶，直至焊料爬升并覆盖到所述凸点式焊头的第二台阶面，从而形成多阶梯式焊接结构，从而使得芯片本身与装片基座形成电气连接，芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接；
D.封装成品：通过注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料进行注塑包封形成封装保护。


2.根据权利要求1所述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：所述步骤A还包括如下步骤：
步骤A1:将待加工芯片本身放置于装片基座对应装载位置前，对焊料进行长宽和尺寸的调整，并且调整芯片贴装后的焊料尺寸，要求进行正面观察不能出现芯片本身露角，且侧面观察爬高不能超过芯片本身的一半高度位置，调整宽度比例值是芯片本身尺寸的1.2-1.5倍。


3.根据权利要求1所述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：所述步骤B还包括如下步骤：
步骤B1：芯片本身中心、焊料中心和装片基座的中心，进行加工位调整并且器件中心点一一对应重合。


4.根据权利要求1所述凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：所述步骤C还包括如下步骤：
步骤C1:芯片本身上的焊料边缘与装片基座的边缘之间的距离大于0.5mm。


5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁凤江，雒继军，张国光，林品旺，江超，王光明，陈逸晞，
申请(专利权)人：佛山市蓝箭电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44