镀膜装置以及镀膜设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了镀膜装置（100）以及镀膜设备（300），其中，镀膜装置（100）可用于在热丝化学气相沉积法中对基板（205）进行镀膜，具有用于对基板（205）进行镀膜的镀膜腔（110），镀膜腔（110）内间隔地设置有三个以上具有热丝的镀膜部（120），相邻的两个镀膜部（120）之间，容许单块基板（205）流过，且相邻的两个镀膜部（120）设置为分别对流过它们之间的基板（205）的与其相对的一面进行镀膜。本实用新型专利技术的镀膜装置（100），能够实现在同一个镀膜腔（110）内对基板（205）的两面进行镀膜。

【技术实现步骤摘要】
镀膜装置以及镀膜设备
本技术涉及太阳能电池板制造
，特别涉及一种镀膜装置以及镀膜设备。
技术介绍
在SHJ太阳电池的本征非晶硅薄膜及掺杂非晶硅薄膜制作工艺中，已知的做法通常有两种，等离子体增强化学气相沉积法（Plasmaenhancedchemicalvapordeposition,PECVD）和热丝化学气相沉积法（Hotwirechemicalvapordeposition，HWCVD），此两种方法均需在对太阳能电池片的其中一面进行镀膜后，翻转电池片，然后对另一面镀膜。不论是PECVD或HWCVD，每个工艺腔均只完成太阳能电池片单面且单一材料的镀膜，故需要较多的工艺腔体才能完成本征非晶硅薄膜及掺杂非晶硅薄膜镀膜迭层，存在设备占地面积大，成本高的技术问题。此外，如果要完成太阳能电池片双面的镀膜，需要对电池片进行翻面，已知的翻面结构也较复杂，并且太阳能电池片在空气下翻面，也容易造成产品被空气中的水气、氧气及灰尘影响。
技术实现思路
本技术旨在至少解决已知技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种镀膜装置，可用于热丝化学气相沉积法，且能够实现对需要镀膜的基板进行双面镀膜。此外，本技术还提出了具有该镀膜装置的镀膜设备，能够减少工艺腔体的数量，降低设备成本。根据本技术第一方面实施例的镀膜装置，可用于在热丝化学气相沉积法中对基板进行镀膜，设有用于对基板进行镀膜的镀膜腔，所述镀膜腔内间隔地设置有三个以上具有第一热丝的镀膜部，各相邻的两个所述镀膜部之间，分别容许单块所述基板流过，且相邻的两个镀膜部设置为分别对流过它们之间的所述基板的与其相对的一面进行镀膜。根据本实施例的镀膜装置，至少具有如下有益效果：由于在镀膜腔内间隔地设置三个以上具有第一热丝的镀膜部，分别对流过它们之间的单块基板进行镀膜，能够实现在同一个镀膜腔内分别对至少两块基板的各两面进行镀膜。在一些实施例中，每一个所述镀膜部分别包括多组所述第一热丝。在一些实施例中，各所述镀膜部的所述第一热丝，设置为可同时对流过其两侧的所述基板的与其相对的一面进行镀膜。在一些实施例中，所述镀膜部沿水平方向或者竖直方向间隔设置。在一些实施例中，多组所述第一热丝分别沿所述基板的传输方向分布。根据本技术第二方面实施例的镀膜设备，用于对基板进行镀膜，包括：至少一个上述任一项的镀膜装置。根据本实施例的镀膜设备，至少具有如下有益效果：由于具有在镀膜腔内间隔地设置三个以上具有第一热丝的镀膜部，分别对流过它们之间的基板进行镀膜的镀膜装置，能够实现在同一个镀膜腔内对至少两块基板的两面进行镀膜，因此，能够减少工艺腔体的数量，降低设备成本。在一些实施例中，所述镀膜装置包括多个，多个所述镀膜装置沿所述基板的传输方向，依次连接。在一些实施例中，还包括第一镀膜组件，所述第一镀膜组件和所述镀膜装置连接，所述第一镀膜组件具有用于对所述基板进行镀膜的第一镀膜空间，所述第一镀膜空间内设置有一个第一镀膜源，所述第一镀膜源设置为对流过其两侧的两块所述基板的与其相对的一面进行镀膜。在一些实施例中，还包括第二镀膜组件，所述第二镀膜组件和所述镀膜装置连接，所述第二镀膜组件具有用于对所述基板进行镀膜的第二镀膜空间，所述第二镀膜空间内间隔设置有多个第二镀膜源，相邻的两个所述第二镀膜源之间，设置为容许并排的两块所述基板流过，两个所述第二镀膜源设置为分别对与其相邻的所述基板的一面进行镀膜。在一些实施例中，还具有多个隔离部，所述隔离部使所述镀膜腔被隔离。附图说明图1是本技术的镀膜装置的一种实施例的俯视图。图2是图1的镀膜装置的左视图。图3是具有图1的镀膜装置的镀膜设备的一种实施例的俯视图。图4是图3的镀膜设备的左视图。图5是太阳能电池板的一种实施例的简要示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，例如，当说两个部件连接时，这两个部件可以通过连接结构直接连接、间接连接，也可以是制造工序、控制流程等方面存在相关联等，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。图1是镀膜装置100的一种实施例的俯视图。图2是镀膜装置100的左视图。参照图1、图2，根据本技术第一方面实施例的镀膜装置100，可用在热丝化学气相沉积法中对基板205进行镀膜，具有用于对基板205进行镀膜的镀膜腔110，镀膜腔110内间隔地设置有三个以上具有第一热丝121a的镀膜部120，各相邻的两个镀膜部120之间，容许单块基板205流过，且相邻的两个镀膜部120设置为分别对流过它们之间的基板205的与其相对的一面进行镀膜。在本实施例中，由于在镀膜腔110内间隔地设置三个以上镀膜部120，分别对流过它们之间的单块基板205进行镀膜，能够实现在同一个镀膜腔110内对至少两块基板205的两面进行镀膜。并且，也无需设置复杂的翻面结构，能够减少基板205翻面时与空气接触而产生的缺陷。图5是太阳能电池板200的一种实施例的简要示意图，参照图5，并继续参照图1、图2，可以想到的是，镀膜装置100可以是用于热丝化学气相沉积法的镀膜装置，作为本镀膜的基板205，可以是例如太阳能电池板200的n型单晶硅基层（基板205），该n型单晶硅基层的两侧的一侧，从基层朝向外侧，依次具有本征非晶硅薄膜204、P-型掺杂硅基薄膜203、TCO层202（透明导电层）以及电极201，该n型单晶硅基层的两侧的另外一侧，依次具有本征非晶硅薄膜204、n-型掺杂硅基薄膜206、TCO层202以及电极201。此外，可以想到的是，基板205的形状只要是能够作为太阳能电池板所使用的形状并不特别限定。可以想到的是，“流过”应该理解为使基板205通过，例如，镀膜腔110中横跨过用于传输基板205的传输装置130，通过传输装置130而使基板205穿过镀膜部120之间。传送装置可以使用本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.镀膜装置，可用于在热丝化学气相沉积法中对基板进行镀膜，设有用于对基板进行镀膜的镀膜腔，其特征在于，所述镀膜腔内间隔地设置有三个以上具有第一热丝的镀膜部，各相邻的两个所述镀膜部之间，分别容许单块所述基板流过，且相邻的两个镀膜部设置为分别对流过它们之间的所述基板的与其相对的一面进行镀膜。/n

【技术特征摘要】
1.镀膜装置，可用于在热丝化学气相沉积法中对基板进行镀膜，设有用于对基板进行镀膜的镀膜腔，其特征在于，所述镀膜腔内间隔地设置有三个以上具有第一热丝的镀膜部，各相邻的两个所述镀膜部之间，分别容许单块所述基板流过，且相邻的两个镀膜部设置为分别对流过它们之间的所述基板的与其相对的一面进行镀膜。


2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，每一个所述镀膜部分别包括多组所述第一热丝。


3.根据权利要求1或2所述的镀膜装置，其特征在于，各所述镀膜部的所述第一热丝，设置为可同时对流过其两侧的所述基板的与其相对的一面进行镀膜。


4.根据权利要求1或2所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜部沿水平方向或者竖直方向间隔设置。


5.根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，多组所述第一热丝分别沿所述基板的传输方向分布。


6.镀膜设备，用于对基板进行镀膜，其特征在于，包括：至少一个权利要求1至5中任一项所述的镀膜装置。

【专利技术属性】
技术研发人员：李时俊，余仲，陈麒麟，卢贤政，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44