一种LED 显示器件制造技术

本发明专利技术提供一种LED显示器件，所述显示器件包括基板以及设置于基板上的LED阵列，所述LED阵列包括LED芯片，以及由LED芯片依次连接的粘结层和量子点薄膜层，所述量子点薄膜层为具有散射增强效应的双连续多孔结构的量子点薄膜。所述显示器件使用特殊的具有散射增强效应的双连续多孔结构的量子点薄膜，极大提高了量子点薄膜对于LED的蓝光的吸收能力，提高了显示器件的亮度，简化了LED显示器件的结构。

【技术实现步骤摘要】
一种LED显示器件
本专利技术属于显示器件领域，涉及一种LED显示器件。
技术介绍
液晶显示器、有源矩阵有机发光二极体面板(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，简称AMOLED)等是目前普遍的小尺寸显示器。目前普遍的小尺寸显示器都存在亮度有限、无法使人在强光下看到其显示的图像的问题。随着发光二极管(LightingEmittingDiode，简称LED)在显示及照明领域的广泛应用，可以采用微米级LED(MicroLED)芯片组成的显示器件代替目前普遍的小尺寸显示器。由于LED芯片组成的显示器件具有亮度高的特点，因此可以使人在强光下清晰地看到其显示的图像。Micro-LED为微型化LED阵列结构，具有自发光显示特性，其技术优势包括全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境。相较于同为自发光显示的OLED技术，Micro-LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，也能避免产生残影现象等。CN109411458A公开了一种Micro-LED显示器件及其制作方法，该MICROLED显示器件包括：基板、三个Micro-LED芯片、三块固化透明胶；其中，每一个所述Micro-LED芯片均与所述基板相连；每一个所述Micro-LED芯片上分别覆盖有一块所述固化透明胶；若干红光量子点、若干绿光量子点以及若干蓝光量子点分别混合在三块所述透明胶中。CN106356386A公开了一Micro-LED阵列背光源的喷墨打印量子点显示装置，包括一Micro-LED基底，Micro-LED基底上设置有若干按阵列排列的RGB像素单元，每一RGB像素单元包括一红色量子点单元、一绿色量子点单元和一透明单元；红色量子点单元包括Micro-LED芯片和红色量子点材料，红色量子点材料经Micro-LED芯片发出的蓝光激发而发出红光；绿色量子点单元包括Micro-LED芯片和绿色量子点材料，绿色量子点材料经Micro-LED芯片发出的蓝光激发而发出绿光；透明单元包括Micro-LED芯片和透明材料，透明材料用于直接透过Micro-LED芯片发出的蓝光；RGB像素单元外设置有透明材料用于封装。CN109979960A公开了一种基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，涉及显示器制备
，解决现有量子点材料直接涂到Micro-LED表面，涂覆工艺完成后，相邻像素单元上方的量子点材料在低温热退火过程中会横向扩散，不同量子点材料的混合会造成严重的光串扰问题。光源阵列和量子点膜层紧密粘附在一起，存在难以分离的问题，通过将不同颜色的量子点材料分区涂覆到玻璃或聚合物基板不同位置处制备光转换层基板。将单色Micro-LED显示阵列与光转换基板粘合，实现Micro-LED的全彩显示。凹槽底部制备DBR反射镜抑制单色Micro-LED阵列光源出射，提高光源利用率。现有的量子点荧光薄膜在与Micro-LED结合使用时，由于纯量子点制备的薄膜厚度不容易做厚，故不能完全充分吸收Micro-LED的蓝光，所以在实际应用中还需要结合滤光片等，导致器件成本增大、无法做超薄器件、加工工艺复杂。
技术实现思路
针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供一种LED显示器件，所述显示器件使用特殊的具有散射增强效应的双连续多孔结构的量子点薄膜，极大提高了量子点薄膜对于LED的蓝光的吸收能力，提高了显示器件的亮度，简化了LED显示器件的结构。为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种LED显示器件，所述显示器件包括基板以及设置于基板上的LED阵列，所述LED阵列包括LED芯片，以及由LED芯片依次连接的粘结层和量子点薄膜层，所述量子点薄膜层为具有散射增强效应的双连续多孔结构的量子点薄膜。本专利技术中，所述LED阵列中LED芯片的排列方式可以根据具体显示需求进行具体调整，可以是矩形阵列、圆形阵列、椭圆形阵列或无规则阵列等，各LED芯片的间距可以相等也可以不等。作为本专利技术优选的技术方案，所述具有双连续多孔结构的量子点薄膜的制备方法包括以下步骤：(1)将第一嵌段共聚物与第二嵌段共聚物熔融混炼，冷却后得到混合料；(2)将量子点分散于溶剂中，得到量子点分散液，再向量子点分散液中加入步骤(1)得到的混合料，搅拌后去除溶剂得到嵌段共聚物修饰的量子点；(3)将步骤(2)得到的嵌段共聚物修饰的量子点熔融压片，退火后得到具有双连续多孔结构的量子点薄膜。作为本专利技术优选的技术方案，所述第一嵌段共聚与第二嵌段共聚物分别独立地包括苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、聚三羟基丁酸酯-聚乙二醇共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-3-氯丙烯共聚物或聚乙二醇-聚己内酯-聚乙二醇共聚物中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：苯乙烯-丁二烯共聚物和苯乙烯-异戊二烯共聚物的组合、苯乙烯-异戊二烯共聚物和聚三羟基丁酸酯-聚乙二醇共聚物的组合、聚三羟基丁酸酯-聚乙二醇共聚物和苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物的组合、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物和苯乙烯-丁二烯-3-氯丙烯共聚物的组合、苯乙烯-丁二烯-3-氯丙烯共聚物和聚乙二醇-聚己内酯-聚乙二醇共聚物的组合或聚三羟基丁酸酯-聚乙二醇共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物和苯乙烯-丁二烯-3-氯丙烯共聚物的组合；所述第一嵌段共聚物与第二嵌段共聚物不相同。优选地，所述第一嵌段共聚与第二嵌段共聚物的数均分子量分别独立地为1000～5000，如1000、2000、3000、4000或5000等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。本专利技术中，量子点与嵌段聚合物之间存在的稳定化学键合，嵌段聚合物也为之提供物理隔绝的保护，结构不容易被破坏，降低光热水氧的影响，工作稳定性得到提高；量子点与嵌段聚合物复合材料可以提高量子点的分散性，控制量子点之间的距离，减小量子点制备成薄膜后由于荧光共振能量转移(FRET)而产生的效率降低；量子点与嵌段聚合物共混物制备的荧光薄膜的稳定性较好，还可以不必再结合其他的薄膜保护层材料或者阻隔层，可以简化制备工艺，降低成本。本专利技术中，通过使用两种以上的嵌段聚合物，结合制备方法形成了双连续多孔结构，双连续多孔结构的散射效应可以促进蓝光的吸收(提高吸光度)和发射的荧光的出射(提高出光效率)，从而可以充分吸收LED的蓝光，不但可以提高量子点荧光薄膜的荧光强度，制备高亮度的超薄量子点荧光薄膜，还可以简化产品工艺、重量，减少加工成本，实现显示器件的超薄化。作为本专利技术优选的技术方案，步骤(1)所述熔融混炼的温度为120～150℃，如120℃、125℃、130℃、135℃、140℃、145℃或150℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。优选地，步骤(1)所述第一前段共聚物与所述第二前段共聚物的质量比为0.25～4:1，如0.25:1、0.5:1、0.7本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED显示器件，其特征在于，所述显示器件包括基板以及设置于基板上的LED阵列，所述LED阵列包括LED芯片，以及由LED芯片依次连接的粘结层和量子点薄膜层，所述量子点薄膜层为具有散射增强效应的双连续多孔结构的量子点薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED显示器件，其特征在于，所述显示器件包括基板以及设置于基板上的LED阵列，所述LED阵列包括LED芯片，以及由LED芯片依次连接的粘结层和量子点薄膜层，所述量子点薄膜层为具有散射增强效应的双连续多孔结构的量子点薄膜。


2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述具有散射增强效应的双连续多孔结构的量子点薄膜的制备方法包括以下步骤：
(1)将第一嵌段共聚物与第二嵌段共聚物熔融混炼，冷却后得到混合料；
(2)将量子点分散于溶剂中，得到量子点分散液，再向量子点分散液中加入步骤(1)得到的混合料，搅拌后去除溶剂得到嵌段共聚物修饰的量子点；
(3)将步骤(2)得到的嵌段共聚物修饰的量子点熔融压片，退火后得到具有双连续多孔结构的量子点薄膜。


3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第一嵌段共聚与第二嵌段共聚物分别独立地包括苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、聚三羟基丁酸酯-聚乙二醇共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-3-氯丙烯共聚物或聚乙二醇-聚己内酯-聚乙二醇共聚物中的任意一种或至少两种的组合；
所述第一嵌段共聚物与第二嵌段共聚物不相同；
优选地，所述第一嵌段共聚与第二嵌段共聚物的数均分子量分别独立地为1000～5000。


4.根据权利要求2或3所述的显示器件，其特征在于，步骤(1)所述熔融混炼的温度为120～150℃；
优选地，步骤(1)所述第一前段共聚物与所述第二前段共聚物的质量比为0.25～4:1。


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【专利技术属性】
技术研发人员：王恺，刘皓宸，吴丹，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东;44