晶圆级SIP模组结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶圆级SIP模组结构，包括：第一塑封层；导电柱，位于第一塑封层内；芯片，位于第一塑封层内；重新布线层，位于第一塑封层的上表面，且与导电柱及芯片电连接；第二塑封层，位于重新布线层的上表面；连接器，位于重新布线层的上表面，且位于第二塑封层内；连接器与重新布线层电连接；焊料凸块，位于第一塑封层的下表面，且与导电柱电连接。本实用新型专利技术的晶圆级SIP模组结构可以实现正面晶圆作业工艺，均匀性较好；正反两面导通工序简单，可以根据实际需要设定不同尺寸的导电柱；导电柱之间的间隙较小，集成度高；重新布线层可以为多层堆叠结构，可以根据实际需要调整重新布线层中金属线层的层数及厚度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级SIP模组结构
本技术属于半导体封装
，特别是涉及一种晶圆级SIP模组结构。
技术介绍
在半导体行业中，系统级封装(SIP，SystemInPackage)模组主要是将多种功能芯片集成在一个封装内，达到功能整合的目的。现有的系统级封装模组存在正反两面导通的工序复杂、实现度低、封装结构厚度较大、尺寸较大等问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种晶圆级SIP模组结构，用于解决现有技术中的晶圆级SIP模组结构存在正反两面导通的工序复杂、实现度低、封装结构厚度较大、尺寸较大等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种晶圆级SIP模组结构的制备方法，所述晶圆级SIP模组结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底；于所述衬底上形成导电柱；提供芯片，将所述芯片贴置于所述衬底上；于所述衬底上形成第一塑封层，所述第一塑封层将所述导电柱及所述芯片塑封；于所述第一塑封层的上表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述导电柱及所述芯片电连接；提供连接器，将所述连接器贴置于所述重新布线层的上表面，所述连接器与所述重新布线层电连接；于所述重新布线层的上表面形成第二塑封层，所述第二塑封层将所述连接器封裹塑封；去除所述衬底；及于所述第一塑封层的下方形成焊料凸块，所述焊料凸块与所述导电柱电连接。可选地，于所述衬底上形成所述导电柱之前还包括如下步骤：于所述衬底的上表面形成剥离层；于所述剥离层的上表面形成底层介质层；及于所述底层介质层的上表面形成种子层；所述导电柱形成于所述种子层的上表面。可选地，于所述衬底上形成所述导电柱包括如下步骤：于所述种子层的上表面形成掩膜层；对所述掩膜层进行图形化处理，以得到图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内形成有开口图形，所述开口图形暴露出所述种子层且定义出所述导电柱的位置及形状；于所述开口图形内形成所述导电柱；去除所述图形化掩膜层，并去除暴露出的所述种子层。可选地，将所述芯片贴置于所述衬底上之后且形成所述第一塑封层之前还包括于所述芯片的上表面形成芯片引出结构；所述芯片经由所述芯片引出结构与所述重新布线层电连接：所述第一塑封层将所述导电柱、所述芯片及所述芯片引出结构塑封。可选地，将所述连接器贴置于所述重新布线层的上表面包括如下步骤：基于焊锡膏及回流焊工艺采用表面贴装技术将所述连接器贴装于所述重新布线层的上表面；对贴装后的结构进行清洗，以去除所述焊锡膏中的助焊剂。可选地，形成所述焊料凸块之后还包括如下步骤：将所得结构进行切割，以得到多个封装结构，各所述封装结构内均包括所述芯片、所述导电柱、所述第一塑封层、所述重新布线层、所述第二塑封层及所述连接器；于所述封装结构的顶部及侧壁形成屏蔽层，所述屏蔽层包覆所述第二塑封层的上表面及侧壁、所述重新布线层的侧壁及所述第一塑封层的侧壁。本技术还提供一种晶圆级SIP模组结构，所述晶圆级SIP模组结构包括如下步骤：第一塑封层；导电柱，位于所述第一塑封层内；芯片，位于所述第一塑封层内；重新布线层，位于所述第一塑封层的上表面，且与所述导电柱及所述芯片电连接；第二塑封层，位于所述重新布线层的上表面；连接器，位于所述重新布线层的上表面，且位于所述第二塑封层内；所述连接器与所述重新布线层电连接；及焊料凸块，位于所述第一塑封层的下表面，且与所述导电柱电连接。可选地，所述晶圆级SIP模组结构还包括：种子层，位于所述第一塑封层内，且位于所述导电柱的下表面；底层介质层，位于所述第一塑封层的下表面，所述底层介质层内形成有开口，所述开口暴露出所述种子层；所述焊料凸块位于所述开口内，且经由所述种子层与所述导电柱电连接。可选地，所述晶圆级SIP模组结构还包括芯片引出结构，所述芯片引出结构位于所述第一塑封层内，且位于所述芯片的上表面；所述芯片经由所述芯片引出结构与所述重新布线层电连接。可选地，所述晶圆级SIP模组结构还包括屏蔽层，所述屏蔽层包覆所述第二塑封层的上表面及侧壁、所述重新布线层的侧壁及所述第一塑封层的侧壁。如上所述，本技术的晶圆级SIP模组结构，具有以下有益效果：本技术的晶圆级SIP模组结构可以实现正面晶圆作业工艺，均匀性较好；正反两面导通工序简单，可以根据实际需要设定不同尺寸的导电柱；导电柱之间的间隙较小，集成度高；重新布线层可以为多层堆叠结构，可以根据实际需要调整重新布线层中金属线层的层数及厚度。附图说明图1显示为本技术实施一中提供的晶圆级SIP模组结构的制备方法的流程图。图2至图18显示为本技术实施一中提供的晶圆级SIP模组结构的制备方法中各步骤所得结构截面结构示意图；其中，图18显示为本技术实施例二中提供的晶圆级SIP模组结构的截面结构示意图。元件标号说明10衬底11剥离层12底层介质层121开口13种子层14掩膜层141图形化掩膜层1411开口图形15导电柱16芯片17芯片引出结构18第一塑封层19重新布线层191层间介质层192金属线层20连接器21第二塑封层22蓝膜结构23焊料凸块24屏蔽层S1～S9步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图18。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。实施例一请参照图1本技术提供一种晶圆级SIP模组结构的制备方法，所述晶圆级SIP模组结构的制备方法包括如下步骤：1)提供衬底；2)于所述衬底上形成导电柱；3)提供芯片，将所述芯片贴置于所述衬底上；4)于所述衬底上形成第一塑封层，所述第一塑封层将所述导电柱及所述芯片塑封；5)于所述第一塑封层的上表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述导电柱及所述芯片电连接；6)提供连接器，将所述连接器贴置于所述重新布线层的上表面，所述连接器与所述重新布线层电连接；7)于所述重新布线层的上表面形成第二塑封层，所述第二塑封层将所述连接器封裹塑封；8)去除所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级SIP模组结构，其特征在于，包括：/n第一塑封层；/n导电柱，位于所述第一塑封层内；/n芯片，位于所述第一塑封层内；/n重新布线层，位于所述第一塑封层的上表面，且与所述导电柱及所述芯片电连接；/n第二塑封层，位于所述重新布线层的上表面；/n连接器，位于所述重新布线层的上表面，且位于所述第二塑封层内；所述连接器与所述重新布线层电连接；及/n焊料凸块，位于所述第一塑封层的下表面，且与所述导电柱电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级SIP模组结构，其特征在于，包括：
第一塑封层；
导电柱，位于所述第一塑封层内；
芯片，位于所述第一塑封层内；
重新布线层，位于所述第一塑封层的上表面，且与所述导电柱及所述芯片电连接；
第二塑封层，位于所述重新布线层的上表面；
连接器，位于所述重新布线层的上表面，且位于所述第二塑封层内；所述连接器与所述重新布线层电连接；及
焊料凸块，位于所述第一塑封层的下表面，且与所述导电柱电连接。


2.根据权利要求1所述的晶圆级SIP模组结构，其特征在于，所述晶圆级SIP模组结构还包括：
种子层，位于所述第一塑封层内，且位于所述导电柱的下表面；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政达，陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32