【技术实现步骤摘要】
存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
本专利技术涉及一种存储器控制技术,尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如,快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。存储器存储装置中的存储单元是以电压的形式存储数据。例如,处于某一个电压范围的存储单元可用以存储比特“0”,而处于另一个电压范围的存储单元可用以存储比特“1”等等。然而,在存储器存储装置使用一段时间后,存储单元可能发生老化而导致电压偏移。此时,可通过解码从存储单元中读取的数据以尝试更正受电压偏移影响而出现的错误比特。在一般的解码流程中,硬比特解码模式会先被启动以提供快速且低复杂度的解码能力。例如,在硬比特解码模式,一次只使用一个读取电压电平来读取存储单元的数据比特(亦称为硬比特),且这个单一的读取电压电平可根据存储器模块的制造商所提供的重试表格来进行调整。在判定硬比特解码模式失败后,软比特解码模式可被启动,以提供速度较慢但复杂度较高的解码能力。例如,在软比特解码模式中,更多的读取电压电平可被用于读取单一存储单元以获得额外的信息(亦称为软比特)。根据此软比特,数据的解码成功虽可被提高,但缺点是解码速度可能会大幅降低。< ...
【技术保护点】
1.一种存储器控制方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元,所述存储器控制方法包括:/n发送第一读取指令序列以指示基于第一读取电压电平读取所述多个物理单元中的第一物理单元以获得第一数据;/n发送第二读取指令序列以指示基于第二读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第二数据;/n发送第三读取指令序列以指示基于第三读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第三数据;/n根据所述第一数据与所述第二数据获得第一参考值,其中所述第一参考值反映所述第一数据与所述第二数据之间的数据变化状况;/n根据所述第一数据与所述第三数据获得第二参考值,其中所述第二参考值反映所述第一数据与所述第三数据之间的数据变化状况;/n根据所述第一参考值与所述第二参考值发送第四读取指令序列以指示基于第四读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第四数据;以及/n由解码电路解码所述第四数据。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器控制方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元,所述存储器控制方法包括:
发送第一读取指令序列以指示基于第一读取电压电平读取所述多个物理单元中的第一物理单元以获得第一数据;
发送第二读取指令序列以指示基于第二读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第二数据;
发送第三读取指令序列以指示基于第三读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第三数据;
根据所述第一数据与所述第二数据获得第一参考值,其中所述第一参考值反映所述第一数据与所述第二数据之间的数据变化状况;
根据所述第一数据与所述第三数据获得第二参考值,其中所述第二参考值反映所述第一数据与所述第三数据之间的数据变化状况;
根据所述第一参考值与所述第二参考值发送第四读取指令序列以指示基于第四读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第四数据;以及
由解码电路解码所述第四数据。
2.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中所述第一读取电压电平的电压值高于所述第二读取电压电平的电压值,所述第三读取电压电平的电压值高于所述第一读取电压电平的所述电压值,而根据所述第一参考值与所述第二参考值发送所述第四读取指令序列的步骤包括:
根据所述第一参考值与所述第二参考值之间的数值关系决定所述第四读取电压电平。
3.根据权利要求2所述的存储器控制方法,其中根据所述第一参考值与所述第二参考值之间的所述数值关系决定所述第四读取电压电平的步骤包括:
若所述第一参考值与所述第二参考值之间的所述数值关系为第一数值关系,决定所述第四读取电压电平且所述第四读取电压电平的电压值高于所述第三读取电压电平的所述电压值;以及
若所述第一参考值与所述第二参考值之间的所述数值关系为第二数值关系,决定所述第四读取电压电平且所述第四读取电压电平的所述电压值低于所述第二读取电压电平的所述电压值。
4.根据权利要求1所述的存储器控制方法,还包括:
根据所述第四数据与目标数据获得第三参考值,其中所述目标数据为所述第二数据与所述第三数据的其中之一,且所述第三参考值反映所述第四数据与所述目标数据之间的数据变化状况;
根据所述第三参考值发送第五读取指令序列以指示基于第五读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第五数据;以及
由所述解码电路解码所述第五数据。
5.根据权利要求4所述的存储器控制方法,其中所述第五读取电压电平的电压值介于所述第二读取电压电平的电压值与所述第三读取电压电平的电压值之间。
6.根据权利要求4所述的存储器控制方法,其中所述第四读取电压电平的电压值高于所述第三读取电压电平的电压值,且所述第五读取电压电平的电压值高于所述第四读取电压电平的所述电压值。
7.根据权利要求4所述的存储器控制方法,其中所述第四读取电压电平的电压值低于所述第二读取电压电平的电压值,且所述第五读取电压电平的电压值低于所述第四读取电压电平的所述电压值。
8.根据权利要求1所述的存储器控制方法,还包括:
在进入软比特解码模式之前,收集基于多个读取电压电平读取所述第一物理单元所获得的信息,其中所述多个读取电压电平包括所述第一读取电压电平、所述第二读取电压电平、所述第三读取电压电平及所述第四读取电压电平;
根据所述信息获得对应于所述第一物理单元的可靠度信息;以及
在进入所述软比特解码模式之前,由所述解码电路根据所述可靠度信息执行解码操作。
9.根据权利要求1所述的存储器控制方法,还包括:
由所述解码电路解码所述第一数据;
在解码所述第一数据后,由所述解码电路解码所述第二数据与所述第三数据的其中之一;以及
在解码所述第二数据与所述第三数据的所述其中之一后,由所述解码电路解码所述第二数据与所述第三数据的其中之另一。
10.一种存储器存储装置,包括:
连接接口单元,用以连接至主机系统;
可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元;以及
存储器控制电路单元,连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块,
其中所述存储器控制电路单元用以发送第一读取指令序列以指示基于第一读取电压电平读取所述多个物理单元中的第一物理单元以获得第一数据,
所述存储器控制电路单元还用以发送第二读取指令序列以指示基于第二读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第二数据,
所述存储器控制电路单元还用以发送第三读取指令序列以指示基于第三读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第三数据,
所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一数据与所述第二数据获得第一参考值,其中所述第一参考值反映所述第一数据与所述第二数据之间的数据变化状况,
所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一数据与所述第三数据获得第二参考值,其中所述第二参考值反映所述第一数据与所述第三数据之间的数据变化状况,
所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一参考值与所述第二参考值发送第四读取指令序列以指示基于第四读取电压电平读取所述第一物理单元以获得第四数据,并且
所述存储器控制电路单元还用以解码所述第四数据。
11.根据权利要求10所述的存储器存储装置,其中所述第一读取电压电平的电压值高于所述第二读取电压电平的电压值,所述第三读取电压电平的电压值高于所述第一读取电压电平的所述电压值,而所述存储器控制电路单元根据所述第一参考值与所述第二参考值发送所述第四读取指令序列的操作包括:
根据所述第一参考值与所述第二参考值之间的数值关系决定所述第四读取电压电平。
12.根据权利要求11所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元根据所述第一参考值与所述第二参考值之间的所述数值关系决定所述第四读取电压电平的操作包括:
若所述第一参考值与所述第二参考值之间的所述数值关系为第一数值关系,决定所述第四读取电压电平且所述第四读取电压电平的电压值高于所述第三读取电压电平的所述电压值;以及
若所述第一参考值与所述第二参考值之间的所述数值关系为第二数值关系,决定所述第四读取电压电平且所述第四读取电压电平的所述电压值低于所述第二读取电压电平的所述电压值。
13.根据权利要求10所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元还用以根据所述第四数据与目标数据获得第三参考值,其中所述目标数据为所述第二数据与所述第三数据的其中之一,且所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:林纬,刘安城,陈思玮,杨宇翔,
申请(专利权)人:群联电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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