【技术实现步骤摘要】
缺陷检测方法及设备
本专利技术涉及光伏电池检测
，尤其涉及一种缺陷检测方法及设备。
技术介绍
随着能源危机的日益严峻，关于太阳能的开发应用显得十分重要。其中，薄膜太阳能电池以其光电转化效率高、稳定性好、制造成本低、可柔性化、以及环境友好等优点而受到了广泛的关注。以铜铟镓硒(CuInGaSe，CIGS)薄膜太阳能电池为例，参考图1所示，典型CIGS薄膜太阳能电池的结构包括：用作衬底基板01的纳钙玻璃或柔性材料，形成于衬底基板01表面的背电极层02例如钼Mo薄膜电极，形成于背电极层02表面的CIGS吸收层03，形成于吸收层03表面的硫化镉CdS缓冲层04，以及依次形成于缓冲层04表面的本征半导体薄膜05例如本征氧化锌i-Zno薄膜和透明电极层06例如和氧化锌铝电极，最终形成PN节。基于此，在形成各个功能膜层的过程中，需要采用刻划工艺来形成不同的子电池并实现各个子电池之间的串联或者并联。其中，P1刻划线是采用激光刻划工艺实现的，其可用于将背电极层02分割成多个电极单元，P2刻划线是采用机械刻划工艺实现的，其可...
【技术保护点】
1.一种缺陷检测方法，用于对完成刻划工艺的待测基板进行缺陷检测，其特征在于，所述待测基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的背电极层，所述方法包括：/n采集第一光源透过所述待测基板形成的第一图像数据；/n根据所述第一图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷。/n
【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测方法，用于对完成刻划工艺的待测基板进行缺陷检测，其特征在于，所述待测基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的背电极层，所述方法包括：
采集第一光源透过所述待测基板形成的第一图像数据；
根据所述第一图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，还包括：
采集第二光源由所述背电极层所在表面反射的第二图像数据；
根据所述第一图像数据和所述第二图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷。
3.根据权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述第一光源和所述第二光源分设于所述待测基板的两侧，所述第一图像数据和所述第二图像数据均自所述第一光源所在侧采集。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
在采集所述第一图像数据和所述第二图像数据之前，控制所述第一光源和所述第二光源同时发射不同颜色的光。
5.根据权利要求2-4任一所述的方法，其特征在于，还包括：
控制所述第一光源和所述第二光源交替发光，在所述第一光源发光时，采集所述第一图像数据，在所述第二光源发光时，采集所述第二图像数据。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第一图像数据和所述第二图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷包括：
获取第一光学参数，所述第一光学参数包括所述第一光源透过所述待测基板的第一光强；
将所述第一光强与第一阈值进行对比，并在所述第一光强大于所述第一阈值时，确定所述待测基板存在过刻不良。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第一图像数据和所述第二图像数据反映的对应于各个刻划位置的光学参数分析所述待测基板是否存在缺陷包括：
获取第二光学参数，所述第二光学参数包括所述第二光源经由所述待测基板表面反射的第二光强；
将所述第二光强与第二阈值进行对比，并在所述第二光强小于所述第二阈值时，确定所述待测基板存在漏刻不良。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第一图像数据和所述第二图像数据反映的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李新连，郭逦达，杨立红，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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