mini-LED背光模组的制备方法技术

技术编号:25000231 阅读:42 留言:0更新日期:2020-07-24 18:01
本发明专利技术公开了直下式背光模组的制备方法。该方法包括制备mini‑LED灯板;将光学膜片组和mini‑LED灯板按照自上而下设置的位置贴合;其中,制备mini‑LED灯板,包括:在玻璃基板上沉积金属层;在金属层上沉积光刻胶;在光刻胶上光刻蚀形成图案;化学腐蚀图案未保护的金属层,得到图案化的金属层;去除剩余的光刻胶,得到灯板主体;在灯板主体上电性连接mini‑LED芯片,得到mini‑LED灯板。本发明专利技术通过以上工艺方法形成的mini‑LED灯板平整度高、线路窄、精度高,可以有效改善mini‑LED芯片SMT精度和良率。

【技术实现步骤摘要】
mini-LED背光模组的制备方法
本专利技术涉及显示装置,尤其涉及一种直下式背光模组的制备方法及其显示设备。
技术介绍
Mini-LED具有自发光显示特性,其优势包括全固态、长寿命、高亮度、低功耗、体积较小、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境。相较于自发光显示的OLED技术,Micro-LED不仅效率较高、寿命较长,材料不易受到环境影响而相对稳定,还能避免产生残影现象等。由于基于Mini-LED的LCD的亮度、对比度、寿命、可视角度和分辨率等各种指标都强于传统LCD和OLED显示技术,许多厂家将其视为下一代显示技术而开始积极布局。Mini-LED芯片是由印制电路板(PrintedCircuitBoard,简称PCB板)驱动点亮的。在PCB板上制备信号走线时,往往采用多层设计,受限于干膜解析度低、干膜厚度大、铜厚度大、曝光和蚀刻设备精度不高等因素的影响,使得所能形成的信号走线的线宽较大(可进行量产的最小线宽在85μm左右),此时该信号走线所需搭配的LED芯片尺寸较大;另外,部分相邻LED之间需要布置信号走线,由于配置的信号走线的线宽较大,也会导致该相邻LED芯片之间的间距较大。目前作为承载芯片排布的基板材质主要为软性FPC线路板或硬质PCB线路板,其都有很明显缺陷:线路排布极限宽度限制;线路变形大、厚度大,组装难定位;
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种直下式背光模组的制备方法,能够实现背光。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是提供mini-LED背光模组的制备方法,包括:制备mini-LED灯板;将光学膜片组和mini-LED灯板按照自上而下设置的位置贴合;其中,制备mini-LED灯板,包括:在玻璃基板上沉积金属层;在所述金属层上沉积光刻胶;在所述光刻胶上光刻蚀形成图案;化学腐蚀所述图案未保护的金属层,得到图案化的金属层;去除剩余的光刻胶,得到灯板主体;在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯板。在一个优选实施例中,在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯板之前,还包括:在图案化的金属层上沉积光刻胶并刻蚀出电性连接位点。刻蚀方法包括光刻蚀、化学刻蚀、离子刻蚀或者机械打孔。在一个优选实施例中,在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯板之后,还包括:在所述mini-LED上沉积荧光层。在一个优选实施例中,在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯板之后,还包括:在mini-LED灯板上mini-LED芯片以外的区域沉积反射层。在一个优选实施例中,所述反射层包括扩散粒子,所述扩散粒子包括SiO2、TiO2、Au、Ag、Al、Cu、Zn、Pt、Co、Ni、Cu2O、CuO、CdO、ZnO、玻璃纤维中至少一种微粒。所述反射层包括有光泽的白色反射材料、漫反射材料、镜面反射白色反射材料(Al、Ag、Al/Ag/Al)以及胶体折射率的聚合物膜中的至少一种。在一个优选实施例中,所述荧光层包括红色荧光量子点、绿色荧光量子点和黄色荧光量子点中的至少两种量子点。玻璃基板也可以替换为其他高分子材料,如聚酰亚胺薄膜(PI),聚酯(PET),或者记忆金属。本专利技术通过以上工艺方法形成的mini-LED灯板平整度高、线路窄、精度高,可以有效改善mini-LED芯片SMT精度和良率。附图说明本专利技术及其优点将通过研究以非限制性实施例的方式给出,并通过所附附图所示的特定实施方式的详细描述而更好的理解,其中:图1是本专利技术实施例1的mini-LED背光模组的制备方法得到的mini-LED灯板结构图。具体实施方式请参照附图中的图式,其中相同的组件符号代表相同的组件,本专利技术的原理是以实施在一适当的环境中来举例说明。以下的说明是基于所示例的本专利技术的具体实施例,其不应被视为限制本专利技术未在此详述的其它具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外,本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”,除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅为示例,并且目的不在于限制本专利技术。此外,本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。实施例1首先,通过图1,就本专利技术的实施例1的直下式背光模组的制备方法进行说明。本专利技术采用的一个技术方案是提供直下式背光模组的制备方法,包括:S1、在玻璃基板103上沉积金属层104;S2、在所述金属层104上沉积光刻胶102;S3、在所述光刻胶102上光刻蚀形成图案;S4、化学腐蚀所述图案未保护的金属层104,得到图案化的金属层104;S5、去除剩余的光刻胶,得到灯板主体;S6、在图案化的金属层104上沉积光刻胶并刻蚀出电性连接位点,刻蚀方法包括光刻蚀、化学刻蚀、离子刻蚀或者机械打孔;S7、在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片101本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种mini-LED背光模组的制备方法,其特征在于,包括:/n制备mini-LED灯板;/n将光学膜片组和mini-LED灯板按照自上而下设置的位置贴合;/n其中,制备mini-LED灯板,包括:/n在玻璃基板上沉积金属层;/n在所述金属层上沉积光刻胶;/n在所述光刻胶上光刻蚀形成图案;/n化学腐蚀所述图案未保护的金属层,得到图案化的金属层;/n去除剩余的光刻胶,得到灯板主体;/n在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯板。/n

【技术特征摘要】
1.一种mini-LED背光模组的制备方法,其特征在于,包括:
制备mini-LED灯板;
将光学膜片组和mini-LED灯板按照自上而下设置的位置贴合;
其中,制备mini-LED灯板,包括:
在玻璃基板上沉积金属层;
在所述金属层上沉积光刻胶;
在所述光刻胶上光刻蚀形成图案;
化学腐蚀所述图案未保护的金属层,得到图案化的金属层;
去除剩余的光刻胶,得到灯板主体;
在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯板。


2.根据权利要求1所述的mini-LED背光模组的制备方法,其特征在于,在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯板之前,还包括:
在图案化的金属层上沉积光刻胶并刻蚀出电性连接位点。


3.根据权利要求2所述的mini-LED背光模组的制备方法,其特征在于,在所述灯板主体上电性连接mini-LED芯片,得到mini-LED灯...

【专利技术属性】
技术研发人员:樊伟查显超游士兴
申请(专利权)人:深圳市隆利科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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