一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法技术

本发明专利技术公开一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法，制造方法包括以下步骤：S1:键合，采用粘合剂将晶圆的正面键合在玻璃载板上；S2:晶圆研磨蚀刻，对晶圆的背面进行研磨蚀刻，在晶圆上形成凹槽，凹槽的边缘为斜坡状/阶梯状；S3：解键合，通过解键合将晶圆从玻璃载板上脱离；S4:背面电镀，将晶圆放置在电镀设备的化学液槽中，进行背面电镀工艺；S5:热处理工艺，对于晶圆进行温度在300℃‑400℃的工艺，形成合金熔焊的欧姆接触电阻。本发明专利技术键合方法，通过将晶圆键合在玻璃载板上，对晶圆进行蚀刻研磨，晶圆形成边缘缓坡状/阶梯状，避免晶圆在研磨蚀刻过程中产生损坏，提高晶圆的成品率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法
本专利技术涉及晶圆生产领域，具体是一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法。
技术介绍
目前先进的MOSFETandIGBT的功率器件及3-D器件的晶片生产工艺，为了能够生产制造超薄晶圆(20-100um厚度)，必须键合一个厚度400-700um直径200-205mm的玻璃载板上，来传送晶圆片进行薄化的工艺；或是使用太鼓工艺晶圆(TaicoWafer)，薄化晶圆,可进行晶片背面减薄后的光刻图案，刻蚀，离子植入，退火，进行金属淀积工艺，切割边缘后，置于切割蓝膜框架进行晶粒切割。目前方法，生产过程中，为了能在多次不同工艺设备之间的传送，如采用键合玻璃载板，可以达到背面薄化晶圆的目的，但是不能进行双面工艺，而且因为键合材料特性限制，无法在应用高温的退火工艺，必须使用高价的Laser设备，以比较低温的工艺，致使产出很低受到限制；如采用太鼓工艺，晶圆不需键合玻璃载板，可以完成减薄，及的光刻图案，刻蚀，离子植入，退火，进行单面金属淀积工艺，但是必须切割边缘，切割时极易损伤晶圆，影响晶粒的生产合格率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法，通过将晶圆键合在玻璃载板上，对晶圆进行蚀刻研磨，晶圆形成边缘缓坡状/阶梯状，避免晶圆在研磨蚀刻过程中产生损坏，提高晶圆的成品率，降低生产成本。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法，制造方法包括以下步骤：S1:键合采用粘合剂将晶圆的正面键合在玻璃载板上。S2:晶圆研磨蚀刻对晶圆的背面进行研磨蚀刻，在晶圆上形成凹槽，凹槽的边缘为斜坡状/阶梯状。S3：解键合通过解键合将晶圆从玻璃载板上脱离。S4:背面电镀将晶圆放置在电镀设备的化学液槽中，进行背面电镀工艺。S5:热处理工艺对于晶圆进行温度在300℃-400℃的工艺，形成合金熔焊的欧姆接触电阻。进一步的，所述粘合剂通过UV键合将晶圆和玻璃载板粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。进一步的，所述粘合剂通过加热键合将晶圆和玻璃载板粘合在一起,温度要求为150-300℃，使用的时间为30分钟以下。进一步的，所述S3采用镭射的方式解键合。进一步的，所述S3采用热分解的方式解键合。本专利技术的有益效果：本专利技术键合方法，通过将晶圆键合在玻璃载板上，对晶圆进行蚀刻研磨，晶圆形成边缘缓坡状/阶梯状，避免晶圆在研磨蚀刻过程中产生损坏，提高晶圆的成品率，降低生产成本。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。图1是本专利技术键合结构示意图；图2是本专利技术晶圆研磨蚀刻结构示意图；图3是本专利技术晶圆研磨蚀刻结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法,制造方法包括以下步骤：S1:键合采用粘合剂6将晶圆1的正面键合在玻璃载板5上，如图1所示。S2:晶圆1研磨蚀刻对晶圆1的背面进行研磨蚀刻，在晶圆1上形成凹槽2，凹槽2的边缘为斜坡状3/阶梯状4，如图2、图3所示。S3：解键合采用镭射/热分解的方式进行解键合，将晶圆1从玻璃载板5上脱离。S4:背面电镀将晶圆1放置在电镀设备的化学液槽中，进行背面电镀工艺。S5:热处理工艺对于晶圆1进行温度在300℃-400℃的工艺，形成合金熔焊的欧姆接触电阻。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法，其特征在于，制造方法包括以下步骤：/nS1:键合/n采用粘合剂(6)将晶圆(1)的正面键合在玻璃载板(5)上；/nS2:晶圆(1)研磨蚀刻/n对晶圆(1)的背面进行研磨蚀刻，在晶圆(1)上形成凹槽(2)，凹槽(2)的边缘为斜坡状(3)/阶梯状(4)；/nS3：解键合/n通过解键合将晶圆(1)从玻璃载板(5)上脱离；/nS4:背面电镀/n将晶圆(1)放置在电镀设备的化学液槽中，进行背面电镀工艺；/nS5:热处理工艺/n对于晶圆(1)进行温度在300℃-400℃的工艺，形成合金熔焊的欧姆接触电阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法，其特征在于，制造方法包括以下步骤：
S1:键合
采用粘合剂(6)将晶圆(1)的正面键合在玻璃载板(5)上；
S2:晶圆(1)研磨蚀刻
对晶圆(1)的背面进行研磨蚀刻，在晶圆(1)上形成凹槽(2)，凹槽(2)的边缘为斜坡状(3)/阶梯状(4)；
S3：解键合
通过解键合将晶圆(1)从玻璃载板(5)上脱离；
S4:背面电镀
将晶圆(1)放置在电镀设备的化学液槽中，进行背面电镀工艺；
S5:热处理工艺
对于晶圆(1)进行温度在300℃-400℃的工艺，形成合金熔焊的欧姆接触电阻。


2.根据权利要求1所述的一种边缘缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33