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本发明公开一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法，制造方法包括以下步骤：S1:键合，采用粘合剂将晶圆的正面键合在玻璃载板上；S2:晶圆研磨蚀刻，对晶圆的背面进行研磨蚀刻，在晶圆上形成凹槽，凹槽的边缘为斜坡状/阶梯状；S3：解键合，通过解键合将...该专利属于绍兴同芯成集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴同芯成集成电路有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法，制造方法包括以下步骤：S1:键合，采用粘合剂将晶圆的正面键合在玻璃载板上；S2:晶圆研磨蚀刻，对晶圆的背面进行研磨蚀刻，在晶圆上形成凹槽，凹槽的边缘为斜坡状/阶梯状；S3：解键合，通过解键合将...