基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化制造技术

本申请涉及基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化。SSD控制器动态调整NVM中的读取阈值以减少由于装置阈值电压分布偏移而导致的错误，因此改善了诸如SSD的存储子系统的性能、可靠性和/或成本。保留漂移时钟使用在一个或多个NVM芯片上的一个或多个参考页面(或ECC单元或块)作为随着时间/温度参考的读取阈值，并且使用这些值的函数作为(随着时间/温度)的漂移的测量。在一些初始时间，一个或多个参考页面被程序化且为一个或多个参考页面中的每一个测量初始读取阈值。在一些实施方式中，读取阈值在以下一个或多个中被平均：同一芯片上的所有参考页面；以及I/O装置中相同的一个或多个芯片中的所有参考页面。

【技术实现步骤摘要】
基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化本申请为专利技术名称为“基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化”的原中国专利技术专利申请的分案申请。原中国专利技术专利申请的申请号为CN201410046744.7；并且原中国专利技术专利申请的申请日为2014年2月10日。相关申请的交叉引用本申请的权益要求体现在所附的应用数据表、请求或传送中(如果有的话，根据需要而定)。在即时应用的类型允许的范围内，本申请为了所有的目的通过引用将以下申请结合于此，完成本专利技术时所有共同拥有的即时应用：于2012年5月4日提交的第一指定专利技术者为EarlTCOHEN以及题为“固态硬盘控制器中的0-1平衡管理”的美国非临时申请(案号：SF-11-02和序列号：13/464,433)；以及于2013年2月10日提交的第一指定专利技术者为EarlTCOHEN以及题为“基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化”的美国临时专利申请(案号：SF-11-19和序列号：61/762,955)。
本专利技术涉及非易失性存储技术方面的进步，以提供改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n选择保留漂移预测器方案，以用于从保留漂移历史来预测非易失性存储器NVM中的最佳读取阈值电压；/n读取与所述NVM的多个页面组的参考单元相关联的所述保留漂移历史；以及/n至少基于所选择的保留漂移预测器方案和所读取的保留漂移历史来预测所述多个页面组中的至少一些的最佳读取阈值电压的值。/n

【技术特征摘要】
20130210 US 61/762,9551.一种方法，包括：
选择保留漂移预测器方案，以用于从保留漂移历史来预测非易失性存储器NVM中的最佳读取阈值电压；
读取与所述NVM的多个页面组的参考单元相关联的所述保留漂移历史；以及
至少基于所选择的保留漂移预测器方案和所读取的保留漂移历史来预测所述多个页面组中的至少一些的最佳读取阈值电压的值。


2.根据权利要求1所述的方法，其中根据预定标准动态地选择所述保留漂移预测器方案。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保留漂移预测器方案包括一对一函数，其中所述多个页面组的非参考单元被预测为表现与所述参考单元一致。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述保留漂移预测器方案包括基于时间的函数，其中从所述参考单元获得的读取阈值根据所述保留漂移历史和从所述参考单元被最后写入起经过的时间来修改。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述保留漂移预测器方案包括补偿函数，其中从所述参考单元获得的读取阈值根据表示所述多个页面组的非参考单元与所述参考单元之间的差异的特征化数据来修改。


6.根据权利要求5所述的方法，其中所述非参考单元与所述参考单元之间的差异包括时间依赖和损耗依赖的差异。


7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：通过补偿预测器基于对所述多个页面组的非参考单元相对于所述参考单元表现出不同保留偏移的确定来补偿所述非参考单元与所述参考单元之间的变化。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，由所述补偿预测器施加的补偿包括随时间可变的线性函数、不随时间变化的线性函数、单一函数、随时间可变的非线性函数和不随时间可变的非线性函数中的至少一者。


9.一种存储系统，包括：
非易失性存储器NVM；以及
存储控制器，其通信地耦合到所述NVM，所述存储控制器经配置以：
选择保留漂移预测器方案，以用于从保留漂移历史来预测所述NVM中的最佳读取阈值电压；
读取与所述NVM的多个页面组的参考单元相关联的保留漂移历史；以及
至少基于所选择的保留漂移预测器方案和所读取的保留漂移历史来预测所述多个页面组中的至少一些的最佳读取阈值电压的值。


10.根据权利要求9所述的存储系统，其中根据预定标准动态地选择所述保留漂移预测器方案。


11.根据权利要求9所述的存储系...

【专利技术属性】
技术研发人员：厄尔·T·柯亨，钟浩，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US