【技术实现步骤摘要】
基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化本申请为专利技术名称为“基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化”的原中国专利技术专利申请的分案申请。原中国专利技术专利申请的申请号为CN201410046744.7；并且原中国专利技术专利申请的申请日为2014年2月10日。相关申请的交叉引用本申请的权益要求体现在所附的应用数据表、请求或传送中(如果有的话，根据需要而定)。在即时应用的类型允许的范围内，本申请为了所有的目的通过引用将以下申请结合于此，完成本专利技术时所有共同拥有的即时应用：于2012年5月4日提交的第一指定专利技术者为EarlTCOHEN以及题为“固态硬盘控制器中的0-1平衡管理”的美国非临时申请(案号：SF-11-02和序列号：13/464,433)；以及于2013年2月10日提交的第一指定专利技术者为EarlTCOHEN以及题为“基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化”的美国临时专利申请(案号：SF-11-19和序列号：61/762,955)。
本专利技术涉及非易失性存储技术...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n至少部分地基于与非易失性存储器NVM的页面组相关联的保留漂移历史，来确定与非易失性存储器NVM的所述页面组相关联的最佳读取阈值电压是否在公差之外；/n当确定与所述页面组相关联的最佳读取阈值电压在公差之外时，以具有已知的0和1的统计分布的模式写入与所述页面组相关联的参考单元；/n通过读取所述参考单元确定与所述页面组相关联的新的最佳读取阈值电压；以及/n使用新的最佳读取阈值电压和新参考单元产生的指示来更新与所述页面组相关联的所述保留漂移历史。/n
【技术特征摘要】
20130210 US 61/762,9551.一种方法，包括：
至少部分地基于与非易失性存储器NVM的页面组相关联的保留漂移历史，来确定与非易失性存储器NVM的所述页面组相关联的最佳读取阈值电压是否在公差之外；
当确定与所述页面组相关联的最佳读取阈值电压在公差之外时，以具有已知的0和1的统计分布的模式写入与所述页面组相关联的参考单元；
通过读取所述参考单元确定与所述页面组相关联的新的最佳读取阈值电压；以及
使用新的最佳读取阈值电压和新参考单元产生的指示来更新与所述页面组相关联的所述保留漂移历史。
2.根据权利要求1所述的方法，其中基于从所述参考单元根据所述保留漂移历史被最后写入起经过的时间来确定与所述页面组相关联的最佳读取阈值电压在公差之外。
3.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述参考单元根据所述保留漂移历史暴露于温度下来确定与所述页面组相关联的最佳读取阈值电压在公差之外。
4.根据权利要求1所述的方法，其中确定与所述页面组相关联的新的最佳读取阈值电压包括：
从所述参考单元读取数据；
确定所读取的数据中0和1的分布；
确定所读取的数据中0和1的分布与已知的0和1的统计分布之间的视差；以及
至少部分地基于所确定的视差的幅度来确定新的读取阈值电压。
5.根据权利要求4所述的方法，其中基于所述视差的幅度来确定所述新的读取阈值电压包括：从查找表查找所述读取阈值电压值，所述查找表至少部分地由所确定的视差的幅度索引。
6.根据权利要求1所述的方法，其中与所述页面组相关联的所述参考单元出现在所述页面组中的至少两个页面中。
7.根据权利要求1所述的方法，其中与所述页面组相关联的所述参考单元包括所述NVM的块的最后一页，所述NVM的块包含所述页面组。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述NVM包括MLC存储器，并且所述最佳读取阈值电压是与所述页面组相关联的一组最佳读取阈值电压之一。
9.一种存储系统，包括：
非易失性存储器NVM；以及
存储控制器，其通信地耦合到所述NVM，所述存储控制器经配置以：
至少部分地基于与所述NVM的页面组相关联的保留漂移历史，来确定与所述NVM的所述页面组相关联的最佳读取阈值电压是否在公差之外；
当确定与所述页面组相关联的最佳读取阈值电压在公差之外时，通过读取与所述页面组相关联的参考单元来确定与所述页面组相关联的新的最佳读取阈值电压，所述参考单元具有模式，所述模式具有已知的0和1的统计分布；以及
使用新的最佳读取阈值电压和新参考单元生成的指示来更新与所述页面组相关联的所述保留漂移历史。
10.根据权利要求9所述的存储系统，其中所述存储控制器进一步经配置以在确定与所述页面组相关联的新的最佳读取阈值电压之前，将所述模式...
【专利技术属性】
技术研发人员：厄尔·T·柯亨，钟浩，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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