【技术实现步骤摘要】
用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备
本公开涉及半导体制造
,具体涉及一种用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备。
技术介绍
在投影光刻机中,曝光光束照明刻有集成电路图形的掩模,掩模经过投影物镜成像在晶圆(Wafer)上,使涂覆在晶圆上的光刻胶被曝光,从而将掩模图样复制到Wafer表面。集成电路集成度的提高要求不断缩小光刻特征尺寸,光刻特征尺寸的缩小依赖于投影光刻机光刻分辨率的提高。缩短曝光波长和增大投影物镜的数值孔径是提高光刻分辨率最有效的手段,但导致了投影物镜的焦深急剧减小。投影物镜焦深的减小使涂有光刻胶的晶圆表面处在有效焦深范围之内变得越来越困难。因此,必须利用调焦调平传感器(LevelSensor)准确测量晶圆表面相对于投影物镜最佳焦面的高度和倾斜度的偏离量,并通过调焦调平执行器对该偏离量进行校正。掩模图形通过光刻机镜头曝光后在晶圆上的单个成像区域称为一个Shot。现有技术,使用调焦调平传感器投影扫描测量得到每个Shot投影曝光的高度,但是,实际曝光时的扫描方向和调焦调平传感器测量时的扫描方向 ...
【技术保护点】
1.一种用于曝光设备的调整装置,用于对工件台上放置的基板进行调整,所述基板表面预先被划分为多个测量区域,其特征在于,所述调整装置包括:/n在光路上依次设置的光源、投影光栅、可调节反射镜、探测光栅和探测器模块;/n所述光源发出的光束经过所述投影光栅形成具有预设光斑图案的光束后,到达可调节反射镜;所述可调节反射镜将光束调整后,投射并覆盖所有测量区域;从所述基板表面反射的光束经所述探测光栅到达所述探测器模块;所述探测器模块根据探测到的光束信息计算调焦调平参数。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于曝光设备的调整装置,用于对工件台上放置的基板进行调整,所述基板表面预先被划分为多个测量区域,其特征在于,所述调整装置包括:
在光路上依次设置的光源、投影光栅、可调节反射镜、探测光栅和探测器模块;
所述光源发出的光束经过所述投影光栅形成具有预设光斑图案的光束后,到达可调节反射镜;所述可调节反射镜将光束调整后,投射并覆盖所有测量区域;从所述基板表面反射的光束经所述探测光栅到达所述探测器模块;所述探测器模块根据探测到的光束信息计算调焦调平参数。
2.根据权利要求1所述的调整装置,其特征在于,所述光源为紫外线光源。
3.根据权利要求1所述的调整装置,其特征在于,所述探测器模块使用与曝光时的扫描路径相同的路径来测试基板表面的高度,并在曝光时进行补偿。
4.根据权利要求3所述的调整装置,其特征在于,所述调整装置可相对于所述工件台沿第一方向或第二方向移动;
当所述调整装置相对于所述工件台沿第一方向移动时,所述可调节反射镜反射到基板表面的光束,沿第一方向扫描所述基板表面对应的测量区域,所述探测器模块测得对应区域的调焦调平参数;
当所述调整装置相对于所述工件台沿第二方向移动时,所述可调节反射镜反射到基板表面的光束,沿第二方向扫描所述基板表面对应的测量区域,所述探测器模块测得对应区域的调焦调平参数。
5.根据权利要求4所述的调整装置,其特征在于,所述第一方向和所述第二方向相反。
6.根据权利要求5所述的调整装置,其特征在于,所述探测器模块,具体用于:
根据探测到的第一方向光束信息计算第一调焦调平参数;
根据探测到的第二方向光束信息计算第二调焦调平参数。
7.根据权利要求1所述的调整装置,...
【专利技术属性】
技术研发人员:金成昱,金帅炯,梁贤石,贺晓彬,杨涛,李俊峰,王文武,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,真芯北京半导体有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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