一种曝光系统及光刻机技术方案

本发明专利技术实施例提供一种曝光系统及光刻机，曝光系统包括：沿光轴依次排列的光源、耦合镜组、匀光组件、中继镜组和投影物镜；所述曝光系统还包括能量传感器和至少一个能量探测器，所述能量传感器位于所述投影物镜的像面上；所述匀光组件包括第一匀光单元和第二匀光单元，所述第一匀光单元位于所述耦合镜组与所述第二匀光单元之间，所述第一匀光单元与所述第二匀光单元沿光轴方向上存在空隙；所述能量探测器位于所述匀光组件一侧且朝向所述空隙处，所述能量探测器用于接收从所述空隙出射的光线，并对所述能量传感器进行标定。本发明专利技术实施例提供一种曝光系统及光刻机，以实现提高能量探测器的线性度，以及提高曝光剂量的控制精度。

【技术实现步骤摘要】
一种曝光系统及光刻机
本专利技术实施例涉及光刻技术，尤其涉及一种曝光系统及光刻机。
技术介绍
半导体制造中的微光刻技术就是利用光学系统把掩模板上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的硅片上。曝光系统包括光刻照明装置、掩模板、投影物镜以及用于精确对准硅片的工件台。光刻照明装置需要在掩膜面上提供均匀的矩形视场，然后通过投影物镜将掩模板上的图形投影到硅片上进行曝光。为了在硅片上精确的再现掩模图形的特征尺寸需要对曝光的剂量进行控制。现有技术中，能量探测器接收到的能量分布不均匀，导致能量探测器的线性度差，曝光剂量的控制精度有待进一步提高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种曝光系统及光刻机，以实现提高能量探测器的线性度，以及提高曝光剂量的控制精度。第一方面，本专利技术实施例提供一种曝光系统，包括：沿光轴依次排列的光源、耦合镜组、匀光组件、中继镜组和投影物镜；所述曝光系统还包括能量传感器和至少一个能量探测器，所述能量传感器位于所述投影物镜的像面上；所述匀光组件包括第一匀光单元和第二匀光单元，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光系统，其特征在于，包括：沿光轴依次排列的光源、耦合镜组、匀光组件、中继镜组和投影物镜；/n所述曝光系统还包括能量传感器和至少一个能量探测器，所述能量传感器位于所述投影物镜的像面上；/n所述匀光组件包括第一匀光单元和第二匀光单元，所述第一匀光单元位于所述耦合镜组与所述第二匀光单元之间，所述第一匀光单元与所述第二匀光单元沿光轴方向上存在空隙；所述能量探测器位于所述匀光组件一侧且朝向所述空隙处，所述能量探测器用于接收从所述空隙出射的光线，并对所述能量传感器进行标定。/n

【技术特征摘要】
1.一种曝光系统，其特征在于，包括：沿光轴依次排列的光源、耦合镜组、匀光组件、中继镜组和投影物镜；
所述曝光系统还包括能量传感器和至少一个能量探测器，所述能量传感器位于所述投影物镜的像面上；
所述匀光组件包括第一匀光单元和第二匀光单元，所述第一匀光单元位于所述耦合镜组与所述第二匀光单元之间，所述第一匀光单元与所述第二匀光单元沿光轴方向上存在空隙；所述能量探测器位于所述匀光组件一侧且朝向所述空隙处，所述能量探测器用于接收从所述空隙出射的光线，并对所述能量传感器进行标定。


2.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统还包括与所述能量探测器一一对应设置的至少一个反射镜，所述反射镜位于所述匀光组件和与所述反射镜一一对应的所述能量探测器之间，所述反射镜用于将从所述空隙出射的光线反射到与所述反射镜一一对应的所述能量探测器上。


3.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述第一匀光单元与所述第二匀光单元之间的所述空隙的宽度大于等于0.05mm且小于等于0.2mm。


4.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述第一匀光单元关于第一匀光单元中心轴对称，所述第二匀光单元关于第二匀光单元中心轴对称，所述第一匀光单元中心轴与所述第二匀光单元中心轴共线；
所述第一匀光单元朝向所述能量探测器的一侧表面与所述能量探测器之间的垂直距离小于等于所述第二匀光单元朝向所述能量探测器的一侧表面与所述能量探测器之间的垂直距离。


5.根据权利要求4所述的曝光系统，其特征在于，所述能量探测器的数量为2-4个。


6.根据权利要求5所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统包括两个所述能量...

【专利技术属性】
技术研发人员：湛宾洲，王彩红，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31